快速CMOS 16位
寄存器（三态）
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT16374T/AT/CT/ET
IDT54/74FCT162374T/AT/CT/ET
产品特点：
共同的特点：
0.5微米CMOS技术
- 高速，低功耗的CMOS替代
ABT功能
–
典型的牛逼
SK
（ O） （输出偏斜） < 250PS
低输入和输出泄漏
≤1A
（ MAX 。 ）
每MIL -STD- 883 ESD > 2000V ，方法3015 ;
＆ GT ;使用200V机器模型（ C = 200pF的， R = 0 ）
- 套餐包括25万间距SSOP ， 19.6密耳间距
TSSOP ， 15.7密耳间距TVSOP和25密耳间距Cerpack
- -40 ° C扩展商业范围至+ 85°C
– V
CC
= 5V
±10%
为FCT16374T / AT / CT / ET特点：
- 高驱动输出（ -32mA我
OH
， 64毫安我
OL
)
??断电禁用输出允许??带电插入??
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 1.0V时
V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C
为FCT162374T / AT / CT / ET特点：
??平衡式输出驱动器：
±24mA
（商业） ，
±16mA
（军事）
降低系统的开关噪声
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 0.6V时
V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C
描述：
该FCT16374T / AT / CT / ET和FCT162374T / AT / CT / ET
16位边沿触发的D型寄存器使用AD-被内置
vanced双金属CMOS工艺。这些高速
低功耗寄存器是非常适合用作缓冲寄存器的
数据同步和存储。输出使能（X
OE
)
和时钟（ XCLK ）控制的组织来操作每一个
设备作为两个8位寄存器或一个16位寄存器
公共时钟。信号引脚流通组织SIM-
plifies布局。所有的输入都设计有滞后
改进的噪声容限。
该FCT16374T / AT / CT / ET ，非常适合驾驶
高电容负载和低阻抗的背板。该
输出缓冲器设计有断电禁用功能
允许板"live insertion"作为底板使用时，
驱动程序。
该FCT162374T / AT / CT / ET有平衡输出驱动器
与限流电阻。这提供了较低的地面反弹，
最小冲，并控制输出下降时间─ reduc-
荷兰国际集团需要外部串联终端电阻。该
FCT162374T / AT / CT / ET的插件替换为
FCT16374T / AT / CT / ET和ABT16374的车载总线接口
脸上的应用程序。
功能框图
1
OE
1
CLK
1
D
1
2
OE
2
CLK
D
1
O
1
2
D
1
D
2
O
1
C
C
TO 7其他渠道
2542 DRW 01
TO 7其他渠道
2542 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年8月
DSC-4230/9
5.8
1
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
1
OE
1
O
1
1
O
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12 SO48-1
SO48-2
13 SO48-3
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
CLK
1
D
1
1
D
2
1
OE
1
O
1
1
O
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
E48-1
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
2542 DRW 04
1
CLK
1
D
1
1
D
2
GND
1
O
3
1
O
4
GND
1
D
3
1
D
4
GND
1
O
3
1
O
4
GND
1
D
3
1
D
4
V
CC
1
O
5
1
O
6
V
CC
1
D
5
1
D
6
V
CC
1
O
5
1
O
6
V
CC
1
D
5
1
D
6
GND
1
O
7
1
O
8
2
O
1
2
O
2
GND
1
D
7
1
D
8
2
D
1
2
D
2
GND
1
O
7
1
O
8
2
O
1
2
O
2
GND
1
D
7
1
D
8
2
D
1
2
D
2
GND
2
O
3
2
O
4
GND
2
D
3
2
D
4
GND
2
O
3
2
O
4
GND
2
D
3
2
D
4
V
CC
2
O
5
2
O
6
V
CC
2
D
5
2
D
6
V
CC
2
O
5
2
O
6
V
CC
2
D
5
2
D
6
GND
2
O
7
2
O
8
2
OE
GND
2
D
7
2
D
8
2
CLK
2542 DRW 03
GND
2
O
7
2
O
8
2
OE
GND
2
D
7
2
D
8
2
CLK
SSOP /
TSSOP / TVSOP
顶视图
CERPACK
顶视图
5.8
2
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军用和商用温度范围
引脚说明
引脚名称
XDX
XCLK
XOX
x
OE
描述
数据输入
时钟输入
三态输出。
三态输出使能输入（低电平有效）
2542 TBL 01
功能表
(1)
输入
功能
高阻
负载
注册
XDX
X
X
L
H
L
H
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
↑
=低到高的转变
输出
x
OE
H
H
L
L
H
H
XOX
Z
Z
L
H
Z
Z
2542 TBL 02
XCLK
L
H
↑
↑
↑
↑
绝对最大额定值
(1)
符号
描述
马克斯。
V
TERM(2)
端电压相对于-0.5到+7.0
GND
-0.5到
V
TERM(3)
相对于端电压
GND
V
CC
+0.5
T
英镑
储存温度
-65到+150
I
OUT
直流输出电流
-60到+120
单位
V
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
I / O
I / O
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
3.5
3.5
MAX 。 UNIT
6.0
pF
8.0
pF
2542 LNK 04
°
C
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2542 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.所有设备终端，除了FCT162XXXT输出和I / O端子。
3.输出和I / FCT162XXXT O端子。
5.8
3
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V
±
10％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
H
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
参数
输入高电平
输入低电平
输入大电流（输入引脚）
(5)
输入大电流（ I / O引脚）
(5)
低输入电流（输入引脚）
(5)
低输入电流（ I / O引脚）
(5)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(5)
钳位二极管电压
短路电流
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= GND
V
CC
=最大。
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
–80
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
–
0.7
–
140
马克斯。
—
单位
V
V
A
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
±1
–
1.2
–
225
—
A
V
mA
mV
A
100
5
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
500
2542 LNK 05
输出驱动特性，可以用于FCT16374T
符号
I
O
V
OH
参数
输出驱动电流
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
O
= 2.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -3mA
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
I
OH
= -24mA MIL 。
I
OH
= -32mA COM'L 。
(4)
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
≤
4.5V
分钟。
–50
2.5
2.4
2.0
—
—
典型值。
(2)
—
马克斯。
–
180
—
—
—
0.55
±1
单位
mA
V
V
V
V
A
2542 LNK 06
3.5
3.5
3.0
0.2
—
V
OL
I
关闭
输出低电压
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
输出驱动特性，可以用于FCT162374T
符号
I
ODL
I
ODH
V
OH
V
OL
参数
输出低电流
输出高电流
输出高电压
输出低电压
测试条件
(1)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -16mA MIL 。
I
OH
= -24mA COM'L 。
I
OL
= 16毫安MIL 。
I
OL
= 24毫安COM'L 。
分钟。
60
–60
2.4
—
典型值。
(2)
115
–115
3.3
0.3
马克斯。
200
–200
—
0.55
单位
mA
mA
V
V
2542 LNK 07
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
的条件4.持续时间不能超过一秒。
5.测试限制这个参数是
±
5μA在T
A
= –55°C.
5.8
4
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
x
OE
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
x
OE
= GND
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
x
OE
= GND
十六位切换
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
测试条件
(1)
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.5
60
马克斯。
1.5
100
单位
mA
A/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
0.6
1.5
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.1
3.0
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
3.0
5.5
(5)
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
7.5
19.0
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
N
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
=静态电流（I
CCL
,
I
CCH
我
CCZ
)
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
N
CP
时钟输入=数在f
CP
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
2542 TBL 08
5.8
5
快速CMOS 16位
寄存器（三态）
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT16374T/AT/CT/ET
IDT54/74FCT162374T/AT/CT/ET
产品特点：
共同的特点：
0.5微米CMOS技术
- 高速，低功耗的CMOS替代
ABT功能
–
典型的牛逼
SK
（ O） （输出偏斜） < 250PS
低输入和输出泄漏
≤1A
（ MAX 。 ）
每MIL -STD- 883 ESD > 2000V ，方法3015 ;
＆ GT ;使用200V机器模型（ C = 200pF的， R = 0 ）
- 套餐包括25万间距SSOP ， 19.6密耳间距
TSSOP ， 15.7密耳间距TVSOP和25密耳间距Cerpack
- -40 ° C扩展商业范围至+ 85°C
– V
CC
= 5V
±10%
为FCT16374T / AT / CT / ET特点：
- 高驱动输出（ -32mA我
OH
， 64毫安我
OL
)
??断电禁用输出允许??带电插入??
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 1.0V时
V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C
为FCT162374T / AT / CT / ET特点：
??平衡式输出驱动器：
±24mA
（商业） ，
±16mA
（军事）
降低系统的开关噪声
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 0.6V时
V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C
描述：
该FCT16374T / AT / CT / ET和FCT162374T / AT / CT / ET
16位边沿触发的D型寄存器使用AD-被内置
vanced双金属CMOS工艺。这些高速
低功耗寄存器是非常适合用作缓冲寄存器的
数据同步和存储。输出使能（X
OE
)
和时钟（ XCLK ）控制的组织来操作每一个
设备作为两个8位寄存器或一个16位寄存器
公共时钟。信号引脚流通组织SIM-
plifies布局。所有的输入都设计有滞后
改进的噪声容限。
该FCT16374T / AT / CT / ET ，非常适合驾驶
高电容负载和低阻抗的背板。该
输出缓冲器设计有断电禁用功能
允许板"live insertion"作为底板使用时，
驱动程序。
该FCT162374T / AT / CT / ET有平衡输出驱动器
与限流电阻。这提供了较低的地面反弹，
最小冲，并控制输出下降时间─ reduc-
荷兰国际集团需要外部串联终端电阻。该
FCT162374T / AT / CT / ET的插件替换为
FCT16374T / AT / CT / ET和ABT16374的车载总线接口
脸上的应用程序。
功能框图
1
OE
1
CLK
1
D
1
2
OE
2
CLK
D
1
O
1
2
D
1
D
2
O
1
C
C
TO 7其他渠道
2542 DRW 01
TO 7其他渠道
2542 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军事和工业温度范围
1997年2月
DSC-2542/9
1997
集成设备技术有限公司
5.8
有关这部分的最新信息，请与IDT的网站http://www.idt.com或传真点播服务，在（美国） 1-800-9 - IDT -FAX / （国际） 408-492 -8391 。
1
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军事和工业温度范围
销刀豆网络gurations
1
OE
1
O
1
1
O
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12 SO48-1
SO48-2
13 SO48-3
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
CLK
1
D
1
1
D
2
1
OE
1
O
1
1
O
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
E48-1
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
2542 DRW 04
1
CLK
1
D
1
1
D
2
GND
1
O
3
1
O
4
GND
1
D
3
1
D
4
GND
1
O
3
1
O
4
GND
1
D
3
1
D
4
V
CC
1
O
5
1
O
6
V
CC
1
D
5
1
D
6
V
CC
1
O
5
1
O
6
V
CC
1
D
5
1
D
6
GND
1
O
7
1
O
8
2
O
1
2
O
2
GND
1
D
7
1
D
8
2
D
1
2
D
2
GND
1
O
7
1
O
8
2
O
1
2
O
2
GND
1
D
7
1
D
8
2
D
1
2
D
2
GND
2
O
3
2
O
4
GND
2
D
3
2
D
4
GND
2
O
3
2
O
4
GND
2
D
3
2
D
4
V
CC
2
O
5
2
O
6
V
CC
2
D
5
2
D
6
V
CC
2
O
5
2
O
6
V
CC
2
D
5
2
D
6
GND
2
O
7
2
O
8
2
OE
GND
2
D
7
2
D
8
2
CLK
2542 DRW 03
GND
2
O
7
2
O
8
2
OE
GND
2
D
7
2
D
8
2
CLK
SSOP /
TSSOP / TVSOP
顶视图
CERPACK
顶视图
5.8
2
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军事和工业温度范围
引脚说明
引脚名称
XDX
XCLK
XOX
x
OE
描述
数据输入
时钟输入
三态输出。
三态输出使能输入（低电平有效）
2542 TBL 01
功能表
(1)
输入
功能
高阻
负载
注册
XDX
X
X
L
H
L
H
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
↑
=低到高的转变
输出
x
OE
H
H
L
L
H
H
XOX
Z
Z
L
H
Z
Z
2542 TBL 02
XCLK
L
H
↑
↑
↑
↑
绝对最大额定值
(1)
符号
描述
马克斯。
V
TERM(2)
端电压相对于-0.5到+7.0
GND
-0.5到
V
TERM(3)
相对于端电压
GND
V
CC
+0.5
T
英镑
储存温度
-65到+150
I
OUT
直流输出电流
-60到+120
单位
V
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
I / O
I / O
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
3.5
3.5
MAX 。 UNIT
6.0
pF
8.0
pF
2542 LNK 04
°
C
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2542 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.所有设备终端，除了FCT162XXXT输出和I / O端子。
3.输出和I / FCT162XXXT O端子。
5.8
3
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军事和工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V
±
10％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
H
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
参数
输入高电平
输入低电平
输入大电流（输入引脚）
(5)
输入大电流（ I / O引脚）
(5)
低输入电流（输入引脚）
(5)
低输入电流（ I / O引脚）
(5)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(5)
钳位二极管电压
短路电流
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= GND
V
CC
=最大。
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
–80
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
–
0.7
–
140
马克斯。
—
单位
V
V
0.8
±
1
±
1
±
1
±
1
±
1
±
1
–
1.2
–
250
—
A
A
V
mA
mV
100
5
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
500
A
2542 LNK 05
输出驱动特性，可以用于FCT16374T
符号
I
O
V
OH
参数
输出驱动电流
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
O
= 2.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -3mA
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
I
OH
= -24mA MIL 。
I
OH
= -32mA COM'L 。
(4)
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
≤
4.5V
分钟。
–50
2.5
2.4
2.0
—
—
典型值。
(2)
—
马克斯。
–
180
—
—
—
0.55
±1
单位
mA
V
V
V
V
A
2542 LNK 06
3.5
3.5
3.0
0.2
—
V
OL
I
关闭
输出低电压
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
输出驱动特性，可以用于FCT162374T
符号
I
ODL
I
ODH
V
OH
V
OL
参数
输出低电流
输出高电流
输出高电压
输出低电压
测试条件
(1)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -16mA MIL 。
I
OH
= -24mA COM'L 。
I
OL
= 16毫安MIL 。
I
OL
= 24毫安COM'L 。
分钟。
60
–60
2.4
—
典型值。
(2)
115
–115
3.3
0.3
马克斯。
200
–200
—
0.55
单位
mA
mA
V
V
2542 LNK 07
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
的条件4.持续时间不能超过一秒。
5.测试限制这个参数是
±
5μA在T
A
= –55°C.
5.8
4
IDT54 / 74FCT16374T / AT / CT / ET ， 162374T / AT / CT / ET
FAST CMOS 16位寄存器（三态）
军事和工业温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
x
OE
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
x
OE
= GND
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
x
OE
= GND
十六位切换
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
测试条件
(1)
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.5
60
马克斯。
1.5
100
单位
mA
A/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
0.6
1.5
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.1
3.0
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
3.0
5.5
(5)
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
7.5
19.0
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
N
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
=静态电流（I
CCL
,
I
CCH
我
CCZ
)
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
N
CP
时钟输入=数在f
CP
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
2542 TBL 08
5.8
5
