IRFR410 ， IRFU410
数据表
1999年7月
网络文件编号
3372.2
1.5A ， 500V ， 7.000 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA17445 。
特点
1.5A ， 500V
r
DS （ ON）
= 7.000
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
高输入阻抗
150
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFU410
IRFR410
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
IFU410
IFR410
符号
D
注意：
订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
门
来源
漏极（法兰）
漏极（法兰）
4-401
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFR410 ， IRFU410
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFR410 ， IRFU410
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩额定值（参见图5） （注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
500
500
1.5
1.2
3.0
±20
42
0.33
参见UIS曲线
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
B-
V
DSS
/T
J
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
参考25
o
C，我
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
民
500
-
典型值
-
0.61
最大
-
-
单位
V
V/
o
C
漏源击穿电压
温度COEF网络cient
击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
2
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
10
24
15
9
1.1
5
210
30
7
4
25
250
±100
7.000
-
-
-
-
-
12
1.4
7
-
-
-
V
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注3 ）
正向跨导（注3 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=
±20V
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 10V， （图9）
V
DS
= 50V ，我
DS
= 0.75A ， （图8）
V
DD
= 250V ，我
D
≈
1.5A ，R
GS
= 24, R
L
= 167,
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
VGS = 10V ， ID
≈
1.5A ， VDS = 0.8 ×额定BV
DSS
,
（图12）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的，
（图10 ）
-
-
-
-
-
-
4-402
IRFR410 ， IRFU410
电气连接特定的阳离子
参数
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
L
D
测试条件
测量从
漏极引线的6mm
（ 0.25英寸），从包
以模具中心
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头
到源极连接垫
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
民
-
典型值
4.5
最大
-
单位
nH
内部源极电感
L
S
-
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
3.0
110
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
3.0
单位
A
A
G
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
注意事项：
V
SD
t
rr
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 1.5A ，V
GS
= 0V时， （图11）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 1.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
130
-
-
2.0
520
V
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图3）
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 40μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 1.5A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
2.0
I
D
，漏电流（ A）
0
50
100
150
1.5
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.5
0
25
50
T
C
，外壳温度（
o
C)
75
100
125
o
C)
T
C
，外壳温度（
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
4-403
QQ：2881677436 复制
