IRF1018E/S/SLPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
60
––– –––
––– 0.073 –––
–––
7.1
8.4
2.0
–––
4.0
––– –––
20
––– ––– 250
––– ––– 100
––– ––– -100
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5mAc
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 47A
f
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
110
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 47A
I
D
= 47A
V
DS
= 30V
V
GS
= 10V
f
I
D
= 47A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 39V
I
D
= 47A
R
G
= 10Ω
V
GS
= 10V
f
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
h
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
g
–––
46
10
12
34
0.73
13
35
55
46
2290
270
130
390
630
–––
69
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
Ω
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
有效的输出电容（能源相关）H ---
–––
有效的输出电容（时间相关）G
ns
pF
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
c
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
79
315
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
––– –––
1.3
V
–––
26
39
ns
–––
31
47
–––
24
36
nC
–––
35
53
–––
1.8
–––
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 47A ，V
GS
= 0V
f
T
J
= 25°C
V
R
= 51V,
I
F
= 47A
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
f
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.08mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 47A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐
使用高于此值。
I
SD
≤
47A ， di / dt的
≤
1668A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
这仅适用于TO-220
2
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1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
底部
4.5V
10
10
4.5V
≤60μs
脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
1
0.1
1
≤60μs
脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.5
ID = 47A
2.0
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
TJ = 175℃
10
1.5
1
TJ = 25°C
VDS = 25V
1.0
≤60μs
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 47A
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
3000
C，电容（pF ）
西塞
2000
12
8
1000
科斯
CRSS
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
4
0
0
0
10
20
30
40
50
60
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
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1000
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
1000
TJ = 175℃
100
1msec
100μsec
10
TJ = 25°C
10
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
DC
10
100
0.1
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
80
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
80
ID = 5毫安
ID ，漏电流（ A）
60
75
40
70
20
65
0
25
50
75
100
125
150
175
60
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ ，温度（° C）
TC ， CaseTemperature （ ° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
0.8
图10 。
漏极至源极击穿电压
400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
350
300
250
200
150
100
50
0
0.6
5.3A
11A
底部
47A
顶部
ID
能量（ μJ ）
0.4
0.2
0.0
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
4
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
C
τ
τ
4
τ
2
τ
3
τ
4
0.01
CI-
τi /日
次I /日
RI（ ° C / W）
0.026741
0.28078
0.606685
0.406128
τι
（秒）
0.000007
0.000091
0.000843
0.005884
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
100
占空比=单脉冲
0.01
10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
雪崩电流（ A）
0.05
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
ΔΤ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
100
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
80
顶部
单脉冲
BOTTOM 10 ％占空比
ID = 47A
60
40
20
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
ΔT
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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5
QQ：2881677436 复制
