IRFR120 ， IRFU120 ， SiHFR120 ， SiHFU120
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
16
4.4
7.7
单身
D
特点
100
0.27
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR120 / SiHFR120 ）
直铅（ IRFU120 / SiHFU120 ）
可用磁带和卷轴
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120PbF
SiHFR120-E3
IRFR120
SiHFR120
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120TRPbF
a
SiHFR120T-E3
a
IRFR120TR
a
SiHFR120T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120TRRPbF
a
SiHFR120TR-E3
a
IRFR120TRR
a
SiHFR120TR
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120TRLPbF
a
SiHFR120TL-E3
a
IRFR120TRL
a
SiHFR120TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU120PbF
SiHFU120-E3
IRFU120
SiHFU120
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
T
C
= 25 °C
坐骑）
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
最大功率耗散（PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
c
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91266
S-挂起-REV 。 A， 21 -JUL- 08
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
100
± 20
7.7
4.9
31
0.33
0.020
210
7.7
4.2
42
2.5
5.5
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS
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1
IRFR120 ， IRFU120 ， SiHFR120 ， SiHFU120
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绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 5.3 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 7.7 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
9.2 A， di / dt的
≤
110 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
260
d
单位
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.6 A
b
100
-
2.0
-
-
-
-
1.6
-
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.27
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.6 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
360
150
34
-
-
-
6.8
27
18
17
4.5
7.5
-
-
-
16
4.4
7.7
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.2 A，V
DS
= 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 50 V，I
D
= 9.2 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 5.2
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
G
-
S
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IRFR120 ， IRFU120 ， SiHFR120 ， SiHFU120
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
130
0.65
7.7
A
31
2.5
260
1.3
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 7.7 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 9.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
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图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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IRFR120 ， IRFU120 ， SiHFR120 ， SiHFU120
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V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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