【IC42S16100文档标题512K ×16位×2组（ 16兆位） SDRAM修订历史版本号0A0B】,IC型号IC42S16100-6T,IC42S16100-6T PDF资料,IC42S16100-6T经销商,ic,电子元器件-51电子网

IC42S16100

文档标题

512K ×16位×2组（ 16兆位） SDRAM

修订历史

版本号

历史

最初的草案

修订的错字第17页

添加无铅封装

添加速度等级-5ns

Obselte速度等级-8ns

草案日期

备注

八月28,2001

一月10,2002

十二月02,2003

六月25,2004

所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和

产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。

集成电路解决方案公司

DR024-0D 06/25/2004

IC42S16100

512K ×16位×2 ，银行（16 - MBIT ）

同步动态RAM

特点

时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的

完全同步;引用到的所有信号

时钟上升沿

两个银行可以同时操作，

独立地

通过A11双控制内部银行（银行选择）

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度

- （ 1，2， 4，8，全页）

可编程突发序列：

顺序/交错

自动刷新，自刷新

4096刷新周期每64毫秒

随机列地址每个时钟周期

可编程

CAS

延迟（2,3时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

突发终止突发停止和预充电

命令

字节由LDQM和UDQM控制

封装400mil 50脚TSOP- 2

Pb（铅） - 免费包可

描述

ICSI

的16Mb的同步DRAM IC42S16100组织

作为524,288字×16位×2 ，银行提高

性能。该同步DRAM实现高速

采用流水线结构的数据传输。所有的输入和

输出信号的参考时钟输入的上升沿。

销刀豆网络gurations

50针TSOP- 2

VCC

I/O0

I/O1

GNDQ

I/O2

I/O3

VCCQ

I/O4

I/O5

GNDQ

I/O6

I/O7

VCCQ

LDQM

CAS

RAS

A11

A10

VCC

GND

I/O15

I/O14

GNDQ

I/O13

I/O12

VCCQ

I/O11

I/O10

GNDQ

I/O9

I/O8

VCCQ

UDQM

CLK

CKE

GND

引脚说明

A0-A11

A0-A10

A11

A0-A7

I / O0至I / O15

CLK

CKE

RAS

地址输入

行地址输入

银行选择地址

列地址输入

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

CAS

LDQM

UDQM

VCC

GND

VCCQ

GNDQ

列地址选通命令

写使能

低再见，输入/输出面膜

上再见，输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责

集成电路解决方案公司

DR024-0D 06/25/2004

IC42S16100

引脚功能

PIN号

20至24

27 32

符号

A0-A10

TYPE

输入引脚

功能（详细）

A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入

在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入

输入。 A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果

A10是预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，

但如果A10为高电平时，两家银行将预充电。

当A10是高的读或写命令周期，预充电开始automati-

之后美云的突发访问。

这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分

输入。

A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0时

高，银行1被选中。该信号成为操作码的过程模式部分

注册set命令的输入。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。

所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。

当是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，并且当

低，无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，

时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该

装置被同步于该引脚的上升沿取得。

该

输入决定了装置内的指令输入是否被使能。

指令输入时启用

低，与残疾人

为HIGH 。该

设备保持在以前的状态时

为高。

I / O0到I / O15的I / O引脚。 I / O通过这些引脚可以以字节为单位进行控制

使用LDQM和UDQM引脚。

LDQM和UDQM控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读

模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，

相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去

到高阻抗状态时LDQM / UDQM为HIGH 。此功能corre-

sponds到

在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制

输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的缓冲器字节是

启用，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，

输入数据是被屏蔽而不能写入器件。

RAS ，

与联

CAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。

WE ，

与联

RAS

和

CAS ，

形成设备的命令。见

＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。

Q是输出缓冲器的电源。

是设备内部电源。

GNDQ是输出缓冲器地面。

GND是设备内部的地面上。

A11

输入引脚

CAS

CKE

输入引脚

CLK

输入引脚

2，第3 ，第5， 6，8 ，9，11 I / O0至

12 ， 39 ， 40 ， 42 ， 43 ， I / O15

45, 46, 48, 49

14, 36

LDQM ，

UDQM

I / O引脚

输入引脚

7, 13, 38, 44

1, 25

4, 10, 41, 47

26, 50

RAS

GNDQ

GND

输入引脚

电源引脚

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DR024-0D 06/25/2004

IC42S16100

功能框图

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

行解码器

CLK

CKE

RAS

CAS

A11

模式

ROW

地址

卜FF器

记忆细胞

ARRAY

2048

BANK 0

DQM

SENSE AMP I / O GATE

A10

COLUMN

地址缓冲器

串计数器

COLUMN

地址锁存

DATA IN

卜FF器

256

列解码器

行解码器

多路复用器

刷新

调节器

自

刷新

调节器

I / O 0-15

256

SENSE AMP I / O GATE

刷新

计数器

数据输出

卜FF器

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

2048

记忆细胞

ARRAY

VCC / VCCQ

GND / GNDQ

银行1

S16BLK.eps

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DR024-0D 06/25/2004

IC42S16100

绝对最大额定值

(1)

符号

CC MAX

CCQ MAX

OUT

MAX

OPR

英镑

参数

最大电源电压

最大电源电压为输出缓冲

输入电压

输出电压

允许功耗

输出短路电流

工作温度

储存温度

等级

-1.0到+4.6

0至+70

-55到+150

单位

°C

DC推荐工作条件

(2)

(

在T

= 0至+ 70 ° C）

符号

, V

参数

电源电压

输入高电压

(3)

输入低电压

(4)

分钟。

3.0

2.0

-0.3

典型值。

3.3

—

马克斯。

3.6

+ 0.3

+0.8

单位

电容特性

(1,2)

（在T

= 0至+ 25 ° C， VCC = VCCQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）

符号

CI / O

参数

输入电容： A0 -A11

输入电容（ CLK ， CKE ，

CS ， RAS ， CAS，WE ，

LDQM ， UDQM ）

数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15

典型值。

—

马克斯。

单位

注意事项：

1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。

这是一个额定值，器件运行在超过或在标明的任何其他条件

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响其可靠性。

2.所有电压参考GND 。

3. V

（MAX） = V

CCQ

+ 2.0V的脉冲宽度

≤

3纳秒。

4. V

（分钟） = GND - 2.0V带脉＆ LT ; 3 NS和-1.5V带脉＆ LT ;为5ns 。

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