PD - 97035A
PDP开关
特点
l
先进的工艺技术
l
优化的PDP延的关键参数，
能量回收和旁路开关的应用
l
低辐射
脉冲
等级达到降低功耗
耗散PDP延，能量回收
并通过开关应用
l
低Q
G
快速响应
l
高重复峰值电流能力
可靠运行
l
短期回落&上升时间的快速切换
l
175 ° C的工作结温
提高耐用性
l
对于稳健性重复雪崩能力
与可靠性
IRFB4227PbF
主要参数
200
240
19.7
130
175
D
D
V
DS
最大
V
DS （雪崩）
典型值。
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
I
RP
最大@ T
C
= 100°C
T
J
最大
V
V
m:
A
°C
G
S
G
D
S
TO-220AB
D
S
G
描述
这
HEXFET
功率MOSFET
是专门为设计延;能量回收&旁路开关
应用在等离子显示面板。这
MOSFET
采用最新的加工技术，以实现
每硅片面积和低辐射低导通电阻
脉冲
投资评级。这个额外的功能
MOSFET
在175℃
工作结温，高重复峰值电流能力。这些功能结合起来，
使这
MOSFET
一个高效，健壮和可靠的装置，用于PDP驱动的应用程序。
门
漏
来源
绝对最大额定值
参数
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
I
RP
@ T
C
= 100°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
10磅在（ 1.1N M）
马克斯。
±30
65
46
260
130
330
190
2.2
-40 + 175
300
单位
V
A
c
重复峰值电流
g
W
W / ℃，
°C
x
x
N
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
f
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
f
笔记
通过
是第8页
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1
10/12/05
IRFB4227PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
7.0V
100
7.0V
10
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
1
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
4.0
VDS = 25V
ID ，漏 - 源电流
(Α)
100.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 46A
3.0
≤
在60μs脉冲宽度
VGS = 10V
10.0
TJ = 175℃
（归一化）
2.0
1.0
TJ = 25°C
1.0
0.1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
1000
1000
900
800
每个脉冲的能量（ μJ ）
700
600
500
400
300
200
100
110
120
130
140
150
160
170
每个脉冲的能量（ μJ ）
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
800
L = 220nH
C =变量
100°C
25°C
600
400
200
0
130
140
150
160
170
180
190
VDS ，漏到-source电压（V ）
ID ，峰值漏极电流（ A）
图5 。
典型ê
脉冲
与漏 - 源极电压
图6 。
典型ê
脉冲
与漏电流
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3
IRFB4227PbF
1400
L = 220nH
1200
1000.0
每个脉冲的能量（ μJ ）
1000
800
600
400
200
0
25
C = 0.4μF
C = 0.3μF
C = 0.2μF
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
TJ = 175℃
10.0
1.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
50
75
100
125
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
温度（℃）
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型ê
脉冲
vs.Temperature
8000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 46A
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
16
6000
C，电容（pF ）
西塞
4000
12
8
2000
科斯
4
CRSS
0
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图9 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图10 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
70
60
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1sec
100sec
10sec
ID ，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
TC ， CaseTemperature （ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大漏极电流与外壳温度
图12 。
最大安全工作区
4
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IRFB4227PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ ）
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.16
600
ID = 46A
0.12
500
8.6A
14A
底部
39A
顶部
ID
400
0.08
300
TJ = 125°C
0.04
200
100
TJ = 25°C
0.00
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图13 。
导通电阻比。栅极电压
5.0
图14 。
最大雪崩能量比。温度
200
VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
0
25
50
75
100
ID = 250μA
重复峰值电流（ A）
160
吨= 1μs的时间
占空比= 0.25
半正弦波
方波脉冲
120
80
40
125
150
175
TJ ，温度（° C）
外壳温度（ ° C）
图15 。
阈值电压与温度的关系
1
图16 。
典型的重复峰值电流 -
外壳温度
热响应（Z thJC ）
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.08698 0.000074
0.2112
0.1506
0.001316
0.009395
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
1
τ
2
CI-
τi /日
Ci
τi /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图17 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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PD - 97035A
PDP开关
特点
l
先进的工艺技术
l
优化的PDP延的关键参数，
能量回收和旁路开关的应用
l
低辐射
脉冲
等级达到降低功耗
耗散PDP延，能量回收
并通过开关应用
l
低Q
G
快速响应
l
高重复峰值电流能力
可靠运行
l
短期回落&上升时间的快速切换
l
175 ° C的工作结温
提高耐用性
l
对于稳健性重复雪崩能力
与可靠性
IRFB4227PbF
主要参数
200
240
19.7
130
175
D
D
V
DS
最大
V
DS （雪崩）
典型值。
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
I
RP
最大@ T
C
= 100°C
T
J
最大
V
V
m:
A
°C
G
S
G
D
S
TO-220AB
D
S
G
描述
这
HEXFET
功率MOSFET
是专门为设计延;能量回收&旁路开关
应用在等离子显示面板。这
MOSFET
采用最新的加工技术，以实现
每硅片面积和低辐射低导通电阻
脉冲
投资评级。这个额外的功能
MOSFET
在175℃
工作结温，高重复峰值电流能力。这些功能结合起来，
使这
MOSFET
一个高效，健壮和可靠的装置，用于PDP驱动的应用程序。
门
漏
来源
绝对最大额定值
参数
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
I
RP
@ T
C
= 100°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
10磅在（ 1.1N M）
马克斯。
±30
65
46
260
130
330
190
2.2
-40 + 175
300
单位
V
A
c
重复峰值电流
g
W
W / ℃，
°C
x
x
N
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
f
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
f
笔记
通过
是第8页
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10/12/05
IRFB4227PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
7.0V
100
7.0V
10
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
1
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
4.0
VDS = 25V
ID ，漏 - 源电流
(Α)
100.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 46A
3.0
≤
在60μs脉冲宽度
VGS = 10V
10.0
TJ = 175℃
（归一化）
2.0
1.0
TJ = 25°C
1.0
0.1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
1000
1000
900
800
每个脉冲的能量（ μJ ）
700
600
500
400
300
200
100
110
120
130
140
150
160
170
每个脉冲的能量（ μJ ）
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
800
L = 220nH
C =变量
100°C
25°C
600
400
200
0
130
140
150
160
170
180
190
VDS ，漏到-source电压（V ）
ID ，峰值漏极电流（ A）
图5 。
典型ê
脉冲
与漏 - 源极电压
图6 。
典型ê
脉冲
与漏电流
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IRFB4227PbF
1400
L = 220nH
1200
1000.0
每个脉冲的能量（ μJ ）
1000
800
600
400
200
0
25
C = 0.4μF
C = 0.3μF
C = 0.2μF
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
TJ = 175℃
10.0
1.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
50
75
100
125
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
温度（℃）
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型ê
脉冲
vs.Temperature
8000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 46A
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
16
6000
C，电容（pF ）
西塞
4000
12
8
2000
科斯
4
CRSS
0
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图9 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图10 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
70
60
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1sec
100sec
10sec
ID ，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
TC ， CaseTemperature （ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大漏极电流与外壳温度
图12 。
最大安全工作区
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IRFB4227PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ ）
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.16
600
ID = 46A
0.12
500
8.6A
14A
底部
39A
顶部
ID
400
0.08
300
TJ = 125°C
0.04
200
100
TJ = 25°C
0.00
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图13 。
导通电阻比。栅极电压
5.0
图14 。
最大雪崩能量比。温度
200
VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
0
25
50
75
100
ID = 250μA
重复峰值电流（ A）
160
吨= 1μs的时间
占空比= 0.25
半正弦波
方波脉冲
120
80
40
125
150
175
TJ ，温度（° C）
外壳温度（ ° C）
图15 。
阈值电压与温度的关系
1
图16 。
典型的重复峰值电流 -
外壳温度
热响应（Z thJC ）
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.08698 0.000074
0.2112
0.1506
0.001316
0.009395
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
1
τ
2
CI-
τi /日
Ci
τi /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图17 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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