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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第318页 > ISL6209CBZ
ISL6209
数据表
2007年3月23日
FN9132.2
高电压同步整流降压
MOSFET驱动器
该ISL6209是高频，双MOSFET驱动器，
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
移动同步整流降压转换器拓扑结构
计算应用。该驱动程序，结合了Intersil公司
多相降压PWM控制器，如ISL6216 ， ISL6244 ，
和ISL6247 ，形成一个完整的单级核心电压
为先进的移动微处理器稳压器解决方案。
该ISL6209拥有4A典型的灌电流下门
驱动程序。在4A典型输出电流为能够保持
在PHASE节点上升沿到下MOSFET的栅极
防止因高dv / dt的直通功率损耗
PHASE节点的。工作电压相匹配的30V
MOSFET的击穿电压通常在移动中使用
电脑电源。
该ISL6209还具有三态PWM输入的，
与大多数的Intersil的PWM多相一起工作
控制器，可以防止在输出一个负脉冲
电压时，输出被关闭。此功能
消除了肖特基二极管，这通常出现在一个
用于保护所述微处理器电源系统
微处理器，从反相输出电压的损坏。
该ISL6209具有高效开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动器能够
驱动3000pF的负载用为8ns传播延迟和更少
超过10ns的过渡时间。该产品实现
具有内部自举自举在上部栅
肖特基二极管，降低实施成本，复杂性和
允许使用更高的性能的，具有成本效益
N沟道MOSFET 。可编程死区时间与门
阈值监视集成，以防止两个MOSFET
同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
贯通保护
- 主动栅极阈值监测
- 可编程死区时间
30V工作电压
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为8ns
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心电压供应为英特尔和AMD移动
微处理器
高频超薄型DC / DC转换器
大电流低输出电压DC / DC转换器
高输入电压DC / DC转换器
订购信息
部分
数
ISL6209CB*
部分
记号
ISL6209CB
温度。
范围
(°C)
包
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
L8.3x3
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN封装“
技术简介TB447 “指南防止引导用于─
相胁迫对半桥MOSFET驱动器IC “
-10到+100 8 Ld的SOIC
ISL6209CBZ * ISL6209CBZ -10到+100 8 Ld的SOIC
（注）
（无铅）
ISL6209CR*
209C
-10到+100 8 Ld的3x3 QFN封装
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2005年， 2007年版权所有。英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices公司的注册商标。提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6209
引脚配置
ISL6209
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
延迟
VCC
LGATE
BOOT 1
PWM 2
3
GND
4
LGATE
t
FU
6
6 DELAY
5 VCC
ISL6209
（ 8 LD QFN ）
顶视图
相
7
UGATE
8
ISL6209框图
VCC
延迟
BOOT
UGATE
拍摄开启
通过
保护
PWM
10K
相
控制
逻辑
VCC
LGATE
GND
散热焊盘（ FOR QFN封装）
图1.框图
时序图
2.5V
PWM
t
PDHU
t
PDLU
t
RU
t
RU
t
PT的
1V
UGATE
LGATE
1V
t
FL
t
PDHL
t
FL
t
RL
t
tSSHD
t
PDLL
t
tSSHD
t
FU
t
PT的
2
ISL6209
典型应用 - 两相转换器使用ISL6209栅驱动器
V
BAT
+5V
+5V
VCC
+5V
BOOT
FB
VCC
VSEN
PWM1
PGOOD
PWM2
PWM
延迟
LGATE
主
控制
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
V
BAT
DRIVE
ISL6209
相
COMP
UGATE
+V
CORE
VCC
FS
DACOUT
GND
PWM
延迟
DRIVE
ISL6209
BOOT
UGATE
相
LGATE
图2.典型应用
3
ISL6209
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压（V
延迟
, V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至33V
引导到相电压（V
BOOT -PHASE
） 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V （ DC ）
-0.3V至9V （ <10ns ）
相电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至30V
GND - 8V （ <20ns脉冲宽度， 10μJ ）
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V （ DC ）到V
BOOT
V
相
- 5V （ <20ns脉宽， 10μJ ）到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）到VCC + 0.3V
GND - 2.5V （ <20ns脉宽， 5μJ ）至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装（注3,4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
15
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.相电压能够承受-7V时， BOOT引脚是GND的。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
自举二极管
正向电压
PWM输入
输入电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
85
3.4
2.9
500
-
4.2
-
-
μA
V
V
mV
V
F
V
VCC
= 5V ，正向偏置电流= 2毫安
0.40
0.52
0.60
V
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
-
-
-
3.1
-
250
-250
-
-
150
-
-
1.8
-
-
μA
μA
V
V
ns
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机拖延时间
开关时间
UGATE上升时间（注5 ）
LGATE上升时间（注5 ）
UGATE下降时间（注5 ）
LGATE下降时间（注5 ）
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
t
PDHUGATE
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ，温度= + 25°C
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ，无输出负载， DELAY = VCC
V
VCC
= 5V ，无输出负载， DELAY = VCC
V
VCC
= 5V ，输出空载，
DELAY = VCC
-
-
-
-
-
-
10
8
8
8
4
13
13
20
-
-
-
-
-
-
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
ISL6209
电气规格
参数
LGATE导通传播延迟
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流（注5 ）
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流（注5 ）
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流（注5 ）
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流（注5 ）
注意：
5.通过特性保证，而不是100 ％生产测试。
R
UGATE
I
UGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
LGATE
I
LGATE
R
LGATE
I
LGATE
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
0.4
4.0
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
t
PDHLGATE
测试条件
V
VCC
= 5V ，输出空载，
DELAY = VCC
民
10
典型值
20
最大
30
单位
ns
功能引脚说明
UGATE （引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装）
该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接
高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
DELAY （引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN ）
延时引脚设置门开关之间的死区时间
为ISL6209 。连接一个电阻到GND从这个引脚
调整死区时间，请参阅图4。此引脚与VCC到
禁用延迟电路。看
贯通保护
部分以了解详情。
BOOT （引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN ）
BOOT是浮动自举电源引脚上闸
驾驶。连接该引脚之间的自举电容
在PHASE引脚。自举电容提供充电
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
PHASE （引脚8 SOIC - 8 ， 7脚为QFN ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极
和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个
返回为上层栅极驱动器的路径。
描述
手术
专为速度， ISL6209双MOSFET驱动器控制
从一个高边和低边N沟道场效应晶体管
外部提供的PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测
LGATE电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]的基础上，如何迅速的电压LGATE
下面滴
1V.
这可以防止两个下部和上部
从同时进行，或拍摄开启的MOSFET
通过。一旦此延迟周期结束时，上闸门
驱动器开始上升[T
的Rugate
] ，和上部MOSFET
开启。
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
pdlUGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[T
富盖特
] 。再次，自适应
PWM （引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。在
此外，放置一个500kΩ的电阻从这个引脚到地。这
在所有初创允许适当的三态运行
条件。
GND （引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN ）
GND为接地引脚。所有的信号都参考这个
节点。
LGATE （引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN ）
LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅
低侧功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN ）
VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高
优质的旁路电容此引脚与GND 。
5
ISL6209
数据表
2004年3月
FN9132
高电压同步整流降压
MOSFET驱动器
该ISL6209是高频，双MOSFET驱动器，
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
移动同步整流降压转换器拓扑结构
计算应用。该驱动程序，结合了Intersil公司
多相降压PWM控制器，如ISL6216 ， ISL6244 ，
和ISL6247 ，形成一个完整的单级核心电压
为先进的移动微处理器稳压器解决方案。
该ISL6209拥有4A典型的灌电流下门
驱动程序。在4A典型输出电流为能够保持
在PHASE节点上升沿到下MOSFET的栅极
防止因高dv / dt的直通功率损耗
PHASE节点的。工作电压相匹配的30V
MOSFET的击穿电压通常在移动中使用
电脑电源。
该ISL6209还具有三态PWM输入的，
与大多数的Intersil的PWM多相一起工作
控制器，可以防止在输出一个负脉冲
电压时，输出被关闭。此功能
消除了肖特基二极管，这通常出现在一个
用于保护所述微处理器电源系统
微处理器，从反相输出电压的损坏。
该ISL6209具有高效开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动器能够
驱动3000pF的负载用为8ns传播延迟和更少
超过10ns的过渡时间。该产品实现
具有内部自举自举在上部栅
肖特基二极管，降低实施成本，复杂性和
允许使用更高的性能的，具有成本效益
N沟道MOSFET 。可编程死区时间与门
阈值监视集成，以防止两个MOSFET
同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
贯通保护
- 主动栅极阈值监测
- 可编程死区时间
30V工作电压
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为8ns
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅可作为一种选择
应用
核心电压供应为英特尔和AMD移动
微处理器
高频超薄型DC-DC转换器
大电流低输出电压的DC- DC转换器
高输入电压DC- DC转换器
订购信息
产品编号
ISL6209CB
ISL6209CBZ （注）
ISL6209CB-T
TEMP 。 RANGE
(°C)
-10-100
-10-100
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN封装“
8 Ld的SOIC卷带
ISL6209CBZ -T （注） 8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
ISL6209CR
ISL6209CRZ （注）
ISL6209CR-T
-10-100
-10-100
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
（无铅）
8 Ld的QFN磁带和卷轴
ISL6209CRZ -T （注） 8 Ld的QFN磁带和卷轴（无铅）
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利。英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices公司的注册商标。提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6209
引脚配置
ISL6209 （ SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
延迟
VCC
LGATE
BOOT 1
PWM 2
3
GND
4
6
6 DELAY
5 VCC
ISL6209 （ QFN ）
顶视图
相
7
LGATE
UGATE
8
ISL6209框图
VCC
延迟
BOOT
UGATE
PWM
10K
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
VCC
相
LGATE
GND
散热焊盘（ FOR QFN封装）
图1.框图
2
ISL6209
典型应用 - 两相转换器使用ISL6209栅驱动器
V
BAT
+5V
+5V
VCC
+5V
FB
VCC
VSEN
PGOOD
PWM1
PWM2
PWM
延迟
DRIVE
ISL6209
相
LGATE
COMP
BOOT
UGATE
+V
CORE
主
控制
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
V
BAT
VCC
FS
DACOUT
GND
PWM
延迟
DRIVE
ISL6209
BOOT
UGATE
相
LGATE
图2.典型应用
3
ISL6209
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
BOOT电压（V
BOOT
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至33V
相电压（V
相
)
（注1 ） 。 。 。 V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
热信息
热电阻（典型注2 ， 3 ， 4 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装（注3,4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
15
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10℃ 100℃的
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.相电压能够承受-7V时， BOOT引脚是GND的。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
自举二极管
正向电压
PWM输入
输入电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
85
3.4
2.9
500
-
4.2
-
-
A
mV
V
F
V
VCC
= 5V ，正向偏置电流= 2毫安
0.40
0.60
0.65
V
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
-
-
-
3.1
-
250
-250
-
-
150
-
-
1.8
-
-
A
A
V
V
ns
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机释抑时间
开关时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
t
PDHUGATE
t
PDHLGATE
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ，温度= 25°C
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载，延迟= VCC
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载，延迟= VCC
V
VCC
= 5V ，输出空载，
DELAY = VCC
V
VCC
= 5V ，输出空载，
DELAY = VCC
-
-
-
-
-
-
5
5
8
8
8
4
8
8
8
8
-
-
-
-
-
-
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
ISL6209
电气规格
参数
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流（注5 ）
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流（注5 ）
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流（注5 ）
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流（注5 ）
注意：
5.通过设计保证，未经测试。
R
UGATE
I
UGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
LGATE
I
LGATE
R
LGATE
I
LGATE
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
0.4
4.0
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
A
A
A
A
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
功能引脚说明
UGATE （引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装）
该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接
高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
DELAY （引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN ）
延时引脚设置门开关之间的死区时间
为ISL6209 。连接一个电阻到GND从这个引脚
调整死区时间，请参阅图5铁这个引脚VCC到
禁用延迟电路。看
贯通保护
部分以了解详情。
BOOT （引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN ）
BOOT是浮动自举电源引脚上闸
驾驶。连接该引脚之间的自举电容
在PHASE引脚。自举电容提供充电
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
PHASE （引脚8 SOIC - 8 ， 7脚为QFN ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极
和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个
返回为上层栅极驱动器的路径。
描述
手术
专为速度， ISL6209双MOSFET驱动器控制
从一个高边和低边N沟道场效应晶体管
外部提供的PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测
LGATE电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]的基础上，如何迅速的电压LGATE
下面滴
1V.
这可以防止两个下部和上部
从同时进行，或拍摄开启的MOSFET
通过。一旦此延迟周期结束时，上闸门
驱动器开始上升[T
的Rugate
] ，和上部MOSFET
开启。
PWM （引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。在
此外，放置一个500kΩ的电阻从这个引脚到地。这
在所有初创允许适当的三态运行
条件。
GND （引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN ）
GND为接地引脚。所有的信号都参考这个
节点。
LGATE （引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN ）
LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅
低侧功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN ）
VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高
优质的旁路电容此引脚与GND 。
5
ISL6209
数据表
2004年3月
FN9132
高电压同步整流降压
MOSFET驱动器
该ISL6209是高频，双MOSFET驱动器，
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
移动同步整流降压转换器拓扑结构
计算应用。该驱动程序，结合了Intersil公司
多相降压PWM控制器，如ISL6216 ， ISL6244 ，
和ISL6247 ，形成一个完整的单级核心电压
为先进的移动微处理器稳压器解决方案。
该ISL6209拥有4A典型的灌电流下门
驱动程序。在4A典型输出电流为能够保持
在PHASE节点上升沿到下MOSFET的栅极
防止因高dv / dt的直通功率损耗
PHASE节点的。工作电压相匹配的30V
MOSFET的击穿电压通常在移动中使用
电脑电源。
该ISL6209还具有三态PWM输入的，
与大多数的Intersil的PWM多相一起工作
控制器，可以防止在输出一个负脉冲
电压时，输出被关闭。此功能
消除了肖特基二极管，这通常出现在一个
用于保护所述微处理器电源系统
微处理器，从反相输出电压的损坏。
该ISL6209具有高效开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动器能够
驱动3000pF的负载用为8ns传播延迟和更少
超过10ns的过渡时间。该产品实现
具有内部自举自举在上部栅
肖特基二极管，降低实施成本，复杂性和
允许使用更高的性能的，具有成本效益
N沟道MOSFET 。可编程死区时间与门
阈值监视集成，以防止两个MOSFET
同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
贯通保护
- 主动栅极阈值监测
- 可编程死区时间
30V工作电压
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为8ns
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅可作为一种选择
应用
核心电压供应为英特尔和AMD移动
微处理器
高频超薄型DC-DC转换器
大电流低输出电压的DC- DC转换器
高输入电压DC- DC转换器
订购信息
产品编号
ISL6209CB
ISL6209CBZ （注）
ISL6209CB-T
TEMP 。 RANGE
(°C)
-10-100
-10-100
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN封装“
8 Ld的SOIC卷带
ISL6209CBZ -T （注） 8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
ISL6209CR
ISL6209CRZ （注）
ISL6209CR-T
-10-100
-10-100
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
（无铅）
8 Ld的QFN磁带和卷轴
ISL6209CRZ -T （注） 8 Ld的QFN磁带和卷轴（无铅）
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利。英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices公司的注册商标。提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6209
引脚配置
ISL6209 （ SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
延迟
VCC
LGATE
BOOT 1
PWM 2
3
GND
4
6
6 DELAY
5 VCC
ISL6209 （ QFN ）
顶视图
相
7
LGATE
UGATE
8
ISL6209框图
VCC
延迟
BOOT
UGATE
PWM
10K
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
VCC
相
LGATE
GND
散热焊盘（ FOR QFN封装）
图1.框图
2
ISL6209
典型应用 - 两相转换器使用ISL6209栅驱动器
V
BAT
+5V
+5V
VCC
+5V
FB
VCC
VSEN
PGOOD
PWM1
PWM2
PWM
延迟
DRIVE
ISL6209
相
LGATE
COMP
BOOT
UGATE
+V
CORE
主
控制
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
V
BAT
VCC
FS
DACOUT
GND
PWM
延迟
DRIVE
ISL6209
BOOT
UGATE
相
LGATE
图2.典型应用
3
ISL6209
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
BOOT电压（V
BOOT
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至33V
相电压（V
相
)
（注1 ） 。 。 。 V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
热信息
热电阻（典型注2 ， 3 ， 4 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装（注3,4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
15
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10℃ 100℃的
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.相电压能够承受-7V时， BOOT引脚是GND的。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
自举二极管
正向电压
PWM输入
输入电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
85
3.4
2.9
500
-
4.2
-
-
A
mV
V
F
V
VCC
= 5V ，正向偏置电流= 2毫安
0.40
0.60
0.65
V
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
-
-
-
3.1
-
250
-250
-
-
150
-
-
1.8
-
-
A
A
V
V
ns
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机释抑时间
开关时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
t
PDHUGATE
t
PDHLGATE
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ，温度= 25°C
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载，延迟= VCC
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载，延迟= VCC
V
VCC
= 5V ，输出空载，
DELAY = VCC
V
VCC
= 5V ，输出空载，
DELAY = VCC
-
-
-
-
-
-
5
5
8
8
8
4
8
8
8
8
-
-
-
-
-
-
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
ISL6209
电气规格
参数
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流（注5 ）
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流（注5 ）
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流（注5 ）
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流（注5 ）
注意：
5.通过设计保证，未经测试。
R
UGATE
I
UGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
LGATE
I
LGATE
R
LGATE
I
LGATE
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
0.4
4.0
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
A
A
A
A
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
功能引脚说明
UGATE （引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装）
该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接
高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
DELAY （引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN ）
延时引脚设置门开关之间的死区时间
为ISL6209 。连接一个电阻到GND从这个引脚
调整死区时间，请参阅图5铁这个引脚VCC到
禁用延迟电路。看
贯通保护
部分以了解详情。
BOOT （引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN ）
BOOT是浮动自举电源引脚上闸
驾驶。连接该引脚之间的自举电容
在PHASE引脚。自举电容提供充电
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
PHASE （引脚8 SOIC - 8 ， 7脚为QFN ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极
和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个
返回为上层栅极驱动器的路径。
描述
手术
专为速度， ISL6209双MOSFET驱动器控制
从一个高边和低边N沟道场效应晶体管
外部提供的PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测
LGATE电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]的基础上，如何迅速的电压LGATE
下面滴
1V.
这可以防止两个下部和上部
从同时进行，或拍摄开启的MOSFET
通过。一旦此延迟周期结束时，上闸门
驱动器开始上升[T
的Rugate
] ，和上部MOSFET
开启。
PWM （引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。在
此外，放置一个500kΩ的电阻从这个引脚到地。这
在所有初创允许适当的三态运行
条件。
GND （引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN ）
GND为接地引脚。所有的信号都参考这个
节点。
LGATE （引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN ）
LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅
低侧功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN ）
VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高
优质的旁路电容此引脚与GND 。
5
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IS93C46B-3P
IP7915AG/883B
IDT54FCT139A
IDT7134LA25PB
ISL81485IU-T
IRFR4104PBF
ISL60002BIB825
ISL6412_07
IDT74FCT163827APA
IRFBA22N50A
IRKUF71-10HP
IDT7140SA55CGI
IH5142CDE
IDT7142LA100CI
IRFB4227PBF
IDT71421LA25PFI
IDT54FCT833BE
IDT7005L17G
IDTQS3VH2245PA
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