高速
1K ×8双端口
静态SRAM
特点
高速存取
- 商业： 20/25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
- 工业：25 /55/ 100纳秒（最大）
- 军事：25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
低功耗工作
- IDT7130 / IDT7140SA
—
主动： 550MW （典型值）。
—
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7130 / IDT7140LA
—
主动： 550MW （典型值）。
—
待机：为1mW （典型值）。
MASTER IDT7130轻松扩展数据总线宽度为16 - 或 -
使用SLAVE IDT7140更多的位
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
片上的端口仲裁逻辑（ IDT7130专用）
忙
对IDT7130输出标志;
忙
输入的IDT7140
INT
标志的端口到端口的通信
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作-2V数据保留（ LA只）
TTL兼容，单5V ± 10 ％电源
军工产品符合MIL -PRF- 38535 QML
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
可提供48引脚DIP ， LCC和陶瓷扁平封装， 52引脚
PLCC，和64引脚STQFP和TQFP
绿色部分可用，请参阅订购信息
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
忙
L
(1,2)
I / O
0R
-I / O
7R
I / O
控制
忙
R
地址
解码器
10
,
(1,2)
A
9L
A
0L
内存
ARRAY
10
地址
解码器
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
和
打断
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
L
(2)
INT
R
2689 DRW 01
(2)
注意事项：
1. IDT7130 （ MASTER ） ：
忙
是漏极开路输出，需要上拉电阻。
IDT7140 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.开漏输出：需要上拉电阻。
2006年4月
1
DSC-2689/13
2006集成设备技术有限公司
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT7130 / IDT7140是高速1K ×8双端口静态
的RAM 。的IDT7130被设计为用作一个独立的8位
双端口RAM或作为"MASTER"双端口RAM加上
IDT7140 "SLAVE"双端口16位或更多的字宽的系统。
在16 - 或 - 使用IDT主/从双口RAM的方法
更多的位存储器系统的应用结果全速，无错
自由操作，而无需额外的分立逻辑。
这两款器件提供单独的CON-两个独立的端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的异步
存取以进行读或写操作的任何位置在存储器中。自动
断电功能，通过控制
CE，
允许在芯片上电路
每个端口进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能科技大厂制造，
这些设备通常在功率仅为550MW操作。低
功率（ LA ）的版本提供电池备份的数据保持能力，
每个双端口通常从2V的电池消耗200μW 。
该IDT7130 / IDT7140设备均采用48引脚sidebraze
或塑料DIP封装，低成本航空公司，扁平封装， 52引脚PLCC和64引脚TQFP
和STQFP 。军工级产品在制造的并发症
ANCE符合MIL -PRF- 38535 QML的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
01/08/02
CE
L
读/写
L
忙
L
INT
L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
IDT7130/40
41
P或C
9
40
P48-1
(4)
10
39
＆放大器;
11
C48-2
(4)
38
12
48-Pin
37
DIP
13
36
顶视图
(5)
35
14
15
34
16
33
17
32
18
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
2689 DRW 02
01/
IN
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. P48-1包体约为0.55英寸x 0.61英寸x 0.19英寸
C48-2包体约为0.62英寸x 2.43英寸x 0.15英寸
L48-1包体约为0.57英寸x 0.57英寸x 0.68英寸
F48-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.11英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
2
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
01/08/02
指数
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
A
0L
OE
L
N / C
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
V
CC
7 6 5 4 3 2
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
,
2689 DRW 04
IDT7130/40J
J52-1
(4)
52引脚PLCC
顶视图
(5)
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
01/08/02
指数
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
N / C
N / C
N / C
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
V
CC
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
N / C
N / C
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
N / C
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
IDT7130 / 40TF或PF
PP64-1 & PN64-1
(4)
64引脚STQFP
64引脚TQFP
顶视图
(5)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
,
2689 DRW 05
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J52-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.17英寸
PP64-1封装体大约为10毫米×10毫米× 1.4毫米。
PN64-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
GND
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
3
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2689 TBL 02
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
o
mA
2689 TBL 01
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
该规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
推荐工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2689 TBL 03
电容
符号
C
IN
C
OUT
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2689 TBL 05
产业
只有STQFP和TQFP封装
参数
(1)
输入电容
输出电容
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7130SA
7140SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
(1)
输出低电压（ I / O
0
-I / O
7
)
开漏输出
低电压（ BUSY ，
INT ）
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
- 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 16毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7130LA
7140LA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
0.5
___
马克斯。
5
5
0.4
0.5
___
单位
A
A
V
V
V
2689 TBL 04
___
___
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V泄漏是不确定的。
4
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,5)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7130X20
(2)
7140X20
(2)
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(6)
活动端口OutputsDisabled ，
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
110
110
____
____
7130X25
7140X25
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
110
110
110
110
30
30
30
30
65
65
65
65
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
马克斯。
220
170
280
220
65
45
80
60
150
115
160
125
15
5
30
10
145
105
155
115
7130X35
7140X35
Com'l
＆放大器;军事
典型值。
110
110
110
110
25
25
25
25
50
50
50
50
1.0
0.2
____
____
马克斯。
250
200
____
____
马克斯。
165
120
230
170
65
45
80
60
125
90
150
115
30
10
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(3)
30
30
____
____
65
45
____
____
mA
65
65
____
____
165
125
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
60
60
____
____
155
115
____
____
45
45
45
45
110
85
145
105
mA
2689 TBL 06A
7130X55
7140X55
Com'l ，工业
＆放大器;军事
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
测试条件
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(6)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
110
110
110
110
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
马克斯。
155
110
190
140
65
35
65
45
110
75
125
90
15
4
30
10
100
70
110
85
7130X100
7140X100
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
110
110
110
110
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
马克斯。
155
110
190
140
55
35
65
45
110
75
125
90
15
4
30
10
95
70
110
80
mA
mA
mA
mA
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
2689 TBL 06B
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
仅2 PLCC ， TQFP和STQFP包。
3.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
CYC
，并使用?? AC测试条件？输入电平的
GND到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
5. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，而不是生产测试。 VCC DC = 100 mA（一般）
6.港口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
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