【PD - 91483CIRF9540NS/LHEXFET功率MOSFET先进的工艺技术l表面贴装（】,IC型号IRF9540NSTRL,IRF9540NSTRL PDF资料,IRF9540NSTRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 91483C

IRF9540NS/L

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

l

表面贴装（ IRF9540S ）

l

通孔低调（ IRF9540L ）

l

175 ° C工作温度

l

快速开关

l

P沟道

l

全额定雪崩

描述

l

D

V

DSS

= -100V

R

DS （ ON）

= 0.117

G

I

D

= -23A

S

国际整流器第五代HEXFETs利用

先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师有一个非常有效和可靠的装置，用于

在各种各样的应用中使用。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高

功率能力和尽可能低的导通电阻

任何现有的表面贴装封装。对D

2

朴适用

为，由于其低的内高电流的应用

连接性和功耗最高2.0W的

典型的表面贴装应用。

通孔版（ IRF9540L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2 P AK

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-23

-16

-76

3.8

140

0.91

± 20

430

-11

14

-5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

1.1

40

单位

° C / W

5/13/98

IRF9540NS/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-100

–––

-2.0

5.3

–––

典型值。

–––

-0.11

–––

15

67

51

7.5

1300

400

240

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA ？

0.117

V

GS

= -10V ，我

D

= -11A

-4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -50V ，我

D

= -11A

-25

V

DS

= -100V, V

GS

= 0V

A

-250

V

DS

= -80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

97

I

D

= -11A

15

NC V

DS

= -80V

51

V

GS

= -10V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= -50V

–––

I

D

= -11A

ns

–––

R

G

= 5.1

–––

R

D

= 4.2Ω ，参照图10

铅之间，

nH

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– -23

展示

A

G

整体反转

––– ––– -76

p-n结二极管。

S

––– ––– -1.6

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= -11A ，V

GS

= 0V

––– 150 220

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= -11A

830 --- 1200 NC

的di / dt = -100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

使用IRF9540N数据和测试条件

起始物为

J

= 25℃时，L = 7.1mH

R

G

= 25, I

AS

= -11A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

I

SD

≤

-11A ， di / dt的

≤

-470A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

IRF9540NS/L

100

顶部

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

100

-ID ，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

10

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

10

-4 .5V

2 0μ S·P ü LS东西TH ID

T

C

= 1 75 °C

0.1

1

10

-4.5 V

1

0.1

1

20 μ S·P ü L南东西TH ID

T C = 25°C

A

10

100

1

100

A

-VD S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

T

J

= 25 °C

T

J

= 1 7 5°C

10

R

S（上）

，D雨来-S环境允许 n个R esistance

（N ORM alized ）

I

D

= -19 A

-I

D

，D雨来 - SO URC式C urre NT （A ）

2.0

1.5

1.0

1

0.5

0.1

4

5

6

7

V

DS

= -2 5 V

2 0μ S·P ü L南东西TH ID

8

9

10

A

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

的s

= -1 0V

100 120 140 160 180

A

-V

的s

，尕德以诚源沃尔特GE （ V）

T

J

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF9540NS/L

3000

20

2500

-V

的s

，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）

V

GS

C

为s

C

RS s

C

SS

=

0V ,

F = 1M ^ h

C

的s

+ C

克

, C

S

中文 T E

C

gd

C

S

+ C

gd

I

D

= -1 1A

V

S

= -80 V

V

S

= -50 V

V

S

= -20 V

16

C， Capacitanc E（ pF）的

2000

C

国际空间站

12

1500

C

OSS

1000

8

C

RSS

500

4

0

1

10

100

A

0

20

40

FO TE S T CIR ú IT

性S E ê图ú 1 3

60

80

A

100

-V

S

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

Q

G

，共有摹吃哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

-I

SD

，反向雨电流（A ）

P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE

B Y形

S（O N）

10

-I

D

，D雨光凭目前（A ）

100

T

J

= 17 5°C

T

J

= 2 5°C

10 0s

10

1米s

1

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

的s

= 0V

1.4

A

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 17 5°C

S荷兰国际集团乐P ü LSE

10

10米s

1.6

A

100

1000

-V

S.D。

，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）

-V

S

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF9540NS/L

25

V

DS

20

R

D

V

GS

R

G

I

D

，漏电流（ A）

D.U.T.

+

15

-10V

10

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

5

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0

25

50

75

100

125

150

175

V

GS

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

-

V

DD

PD - 91483C

IRF9540NS/L

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

l

表面贴装（ IRF9540S ）

l

通孔低调（ IRF9540L ）

l

175 ° C工作温度

l

快速开关

l

P沟道

l

全额定雪崩

描述

l

D

V

DSS

= -100V

R

DS （ ON）

= 0.117

G

I

D

= -23A

S

国际整流器第五代HEXFETs利用

先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师有一个非常有效和可靠的装置，用于

在各种各样的应用中使用。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高

功率能力和尽可能低的导通电阻

任何现有的表面贴装封装。对D

2

朴适用

为，由于其低的内高电流的应用

连接性和功耗最高2.0W的

典型的表面贴装应用。

通孔版（ IRF9540L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2 P AK

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-23

-16

-76

3.8

140

0.91

± 20

430

-11

14

-5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

1.1

40

单位

° C / W

5/13/98

IRF9540NS/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-100

–––

-2.0

5.3

–––

典型值。

–––

-0.11

–––

15

67

51

7.5

1300

400

240

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA ？

0.117

V

GS

= -10V ，我

D

= -11A

-4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -50V ，我

D

= -11A

-25

V

DS

= -100V, V

GS

= 0V

A

-250

V

DS

= -80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

97

I

D

= -11A

15

NC V

DS

= -80V

51

V

GS

= -10V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= -50V

–––

I

D

= -11A

ns

–––

R

G

= 5.1

–––

R

D

= 4.2Ω ，参照图10

铅之间，

nH

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– -23

展示

A

G

整体反转

––– ––– -76

p-n结二极管。

S

––– ––– -1.6

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= -11A ，V

GS

= 0V

––– 150 220

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= -11A

830 --- 1200 NC

的di / dt = -100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

使用IRF9540N数据和测试条件

起始物为

J

= 25℃时，L = 7.1mH

R

G

= 25, I

AS

= -11A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

I

SD

≤

-11A ， di / dt的

≤

-470A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

IRF9540NS/L

100

顶部

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

100

-ID ，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

10

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

10

-4 .5V

2 0μ S·P ü LS东西TH ID

T

C

= 1 75 °C

0.1

1

10

-4.5 V

1

0.1

1

20 μ S·P ü L南东西TH ID

T C = 25°C

A

10

100

1

100

A

-VD S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

T

J

= 25 °C

T

J

= 1 7 5°C

10

R

S（上）

，D雨来-S环境允许 n个R esistance

（N ORM alized ）

I

D

= -19 A

-I

D

，D雨来 - SO URC式C urre NT （A ）

2.0

1.5

1.0

1

0.5

0.1

4

5

6

7

V

DS

= -2 5 V

2 0μ S·P ü L南东西TH ID

8

9

10

A

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

的s

= -1 0V

100 120 140 160 180

A

-V

的s

，尕德以诚源沃尔特GE （ V）

T

J

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF9540NS/L

3000

20

2500

-V

的s

，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）

V

GS

C

为s

C

RS s

C

SS

=

0V ,

F = 1M ^ h

C

的s

+ C

克

, C

S

中文 T E

C

gd

C

S

+ C

gd

I

D

= -1 1A

V

S

= -80 V

V

S

= -50 V

V

S

= -20 V

16

C， Capacitanc E（ pF）的

2000

C

国际空间站

12

1500

C

OSS

1000

8

C

RSS

500

4

0

1

10

100

A

0

20

40

FO TE S T CIR ú IT

性S E ê图ú 1 3

60

80

A

100

-V

S

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

Q

G

，共有摹吃哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

-I

SD

，反向雨电流（A ）

P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE

B Y形

S（O N）

10

-I

D

，D雨光凭目前（A ）

100

T

J

= 17 5°C

T

J

= 2 5°C

10 0s

10

1米s

1

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

的s

= 0V

1.4

A

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 17 5°C

S荷兰国际集团乐P ü LSE

10

10米s

1.6

A

100

1000

-V

S.D。

，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）

-V

S

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF9540NS/L

25

V

DS

20

R

D

V

GS

R

G

I

D

，漏电流（ A）

D.U.T.

+

15

-10V

10

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

5

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0

25

50

75

100

125

150

175

V

GS

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

-

V

DD