【先进的功率MOSFET特点雪崩坚固的技术坚固的门栅氧化层技术较低的输入电容改进的栅极电荷扩展安全工作】,IC型号IRF540A,IRF540A PDF资料,IRF540A经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第88页 > IRF540A

先进的功率MOSFET

特点

雪崩坚固的技术

坚固的门栅氧化层技术

较低的输入电容

改进的栅极电荷

扩展安全工作区

175

C

工作温度

低漏电流： 10

A（最大） @ V

DS

= 100V

低

DS （ ON）

: 0.041

（典型值）。

Ο

IRF540A

BV

DSS

= 100 V

R

DS （ ON）

= 0.052

I

D

= 28 A

TO-220

1

2

3

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

C

=25

C

)

Ο

价值

100

28

19.8

1

O

2

O

1

O

1

O

3

O

Ο

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/

C

Ο

连续漏电流（T

C

=100

C

)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

C

=25

C

)

Ο

110

+

20

_

523

28

10.7

6.5

107

0.71

- 55 +175

线性降额因子

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

Ο

C

300

热阻

符号

R

θ

JC

R

θ

CS

R

θ

JA

特征

结到外壳

外壳到散热器

结到环境

典型值。

--

0.5

--

马克斯。

1.4

--

62.5

Ο

单位

C

/W

版本B

1999仙童半导体公司

IRF540A

Ο

N沟道

功率MOSFET

电气特性

(T

C

=25

C

除非另有规定编）

符号

BV

DSS

BV /

T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

分钟。典型值。马克斯。单位

100

--

2.0

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

0.11

--

--

--

--

--

--

22.56

325

148

18

18

90

56

60

10.8

27.9

--

--

4.0

100

-100

10

100

0.052

--

380

170

50

50

180

120

78

--

--

nC

ns

A

pF

V

V

C

V

nA

Ο

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=250

A

I

D

=250

A

参见图7

V

DS

=5V,I

D

=250

A

V

GS

=20V

V

GS

=-20V

V

DS

=100V

V

DS

=80V,T

C

=150

C

V

GS

=10V,I

D

=14A

V

DS

=40V,I

D

=14A

4

O

4

O

Ο

1320 1710

V

GS

=0V,V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=50V,I

D

=28A,

R

G

=9.1

见图13

V

DS

=80V,V

GS

=10V,

I

D

=28A

参见图6 &图12

4

5

OO

4

5

OO

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

1

O

4

O

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

132

0.63

28

110

1.5

--

--

A

V

ns

C

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

=25

C

,I

S

=28A,V

GS

=0V

T

J

=25

C

,I

F

=28A

di

F

/dt=100A/

s

4

O

Ο

Ο

注意事项;

1

O

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

2

O

L = 1MH ，我

AS

= 28A ，V

DD

= 25V ，R

G

=27

，起始物为

J

=25

o

C

o

3

_

_

_

O

I

SD

＆ LT ;

28A ， di / dt的

＆ LT ;

400A/

S，V

DD

＆ LT ;

BV

DSS

，起始物为

J

=25 C

_

s,

4

脉冲测试：脉冲宽度= 250

占空比

＆ LT ;

2%

O

5

O

基本上是独立工作温度

N沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

10

2

V

GS

IRF540A

如图2传输特性

10

2

[A]

I

D

，漏电流

I

D

，漏电流

[A]

上图：

15V

10 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

底部： 4.5 V

175

o

C

10

1

10

1

25

o

C

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. V = 40 V

DS

3. 250

s脉冲测试

10

0

10

-1

10

0

@注意事项：

1. 250

s脉冲测试

2. T = 25

o

C

C

10

1

- 55

o

C

10

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

[A]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

, [ ]

漏源导通电阻

00

.8

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

1

2

0

00

.6

V

GS

= 10 V

00

.4

I

DR

，反向漏电流

1

1

0

V

GS

= 20 V

00

.2

@ N吨：T已

J

= 2

o

C

oe

5

00

.0

0

30

60

90

10

2

1 5

o

C

7

2

o

C

5

1

0

0

04

.

@Nts ：

oe

1 V

GS

= 0 V

.

2 2 0

S·P升（E T） s

. 5

美国东部

10

.

12

.

14

.

16

.

18

.

20

.

22

.

24

.

06

.

08

.

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

20

50

C

国际空间站

= C

gs

+ C ( C

ds

= S 0吨四）

HRE

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

图6.栅极电荷与栅源电压

[V]

[ pF的]

V

GS

，栅源电压

20

00

C

国际空间站

10

50

C

OSS

10

00

C

RSS

50

0

C

RSS

= C

gd

1

0

V

DS

= 2 V

0

0

V

DS

= 5 V

V

DS

= 8 V

0

电容

@Nts ：

oe

1 V

GS

= 0 V

.

2 F = 1MZ

.

H

5

@ N吨S：我

D

= 8 0 A

oe

2.

0

0

1

0

2

0

3

0

4

0

5

0

6

0

7

0

0

0

1

0

1

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

IRF540A

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

N沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

3.0

图7.击穿电压与温度的关系

1.2

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

@注意事项：

1. V = 10 V

GS

2. I = 14.0

D

0.9

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. I = 250

A

D

0.5

0.8

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

T

J

，结温[C]

125

o

150

175

200

0.0

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

T

J

，结温[C]

125

o

150

175

200

图9.最大。安全工作区

3

10

图10.最大。漏电流与外壳温度

30

[A]

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

2

10

[A]

25

10

s

100

s

1毫秒

10毫秒

DC

I

D

，漏电流

I

D

，漏电流

20

1

10

15

10

0

10

@注意事项：

1. T = 25

o

C

C

2. T = 175

o

C

J

3.单脉冲

5

10

-1

0

10

1

10

10

2

0

25

50

75

100

125

150

175

V

DS

，漏源电压[V]

T

c

，外壳温度[

o

C]

图11.热响应

热响应

10

0

D=0.5

@注意事项：

1. Z

θ

J·C

(t)=1.4

o

C / W最大。

2.占空比， D = T / T

2

1

3. T

J·M

-T

C

=P

D M

*Z

θ

J·C

(t)

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.2

0.1

10

- 1

Z

JC

(t) ,

P

DM

t

1

t

2

θ

10

- 2

10

- 5

10

- 4

10

- 3

10

- 2

10

- 1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间

[秒]

N沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

IRF540A

“电流调节器”

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

GS

Q

g

10V

V

DS

V

GS

DUT

3mA

Q

gs

Q

gd

R

1

电流取样（我

G

)

电阻器

R

2

电流取样（我

D

)

电阻器

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

R

L

V

OUT

V

in

R

G

DUT

10V

V

in

10%

V

OUT

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

90%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

L

V

DS

异吨

p

获得

所需的峰值I

D

BV

DSS

1

2

--------------------

E

AS

= ---- L

L

I

AS

2

BV

DSS

-- V

DD

BV

DSS

I

AS

C

V

DD

V

DD

t

p

I

D

R

G

DUT

10V

t

p

I

D

(t)

V

DS

(t)

时间

查看更多IRF540APDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IRF540A

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRF540A

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市金嘉锐电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

IRF540A

IR

25+

32560

TO-220

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市大唐盛世半导体有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885681663 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885628592 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885665079 复制

电话：13008842056

联系人：张先生

地址：广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋406

IRF540A

FAIRCHILD

1820

9860

ROHS

公司现货！欢迎咨询。假一赔百支持发货。

锦迅科技(香港)有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1871955283 复制

点击这里给我发消息

QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980

联系人：马小姐

地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室

IRF540A

FSC

21+

3000

TO-220

只做原装正品,提供一站式BOM配单服务

深圳市金嘉锐电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

IRF540A

ON

2025+

26820

TO-220-3

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市科恒伟业电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881936556 复制

点击这里给我发消息

QQ：1838629145 复制

点击这里给我发消息

QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050

联系人：柯

地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

IRF540A

FAIRCHILD/仙童

1922+

9852

ROHS

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

深圳市源丰诚电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

IRF540A

IR

17+

9600

N/A

全新原装正品现货

深圳市鑫远鹏科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885741998 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885742022 复制

电话：15112667855

联系人：谌小姐

地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E

IRF540A

IR代码

18+

16000

TO-220

深圳市芯泽盛世科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

IRF540A

onsemi

24+

10000

TO-220-3

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IRF540A

FAIRCHILDSEMICONDUCTOR

2443+

23000

NA

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881501652 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IRF540A

FAIRCHILD/仙童

24+

9634

TO-220

全新原装现货，原厂代理。

查询更多IRF540A供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！