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PD-95214A

IRF7828PbF

HEXFET

功率MOSFET的DC- DC转换器

N沟道特定应用的MOSFET

理想的CPU内核的DC -DC转换器

低传导损耗

低开关损耗

LEAD -FREE

描述

这种新设备采用了先进的HEXFET功率

MOSFET技术，实现了前所未有的

导通电阻和栅极电荷平衡的。减少

传导和开关损耗，使其非常适用于高

效率的DC - DC转换器供电的最新

代微处理器。

该IRF7828进行了优化所有参数

关键是在同步降压转换器，包括

DS （ ON）

，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开通免疫力。

该IRF7828提供格外低R

DS （ ON）

高CDV / DT

免疫力同步FET应用。

该包是专门为气相，红外，

对流，或波峰焊技术。动力

大于3W功耗是可能在一个典型的

印刷电路板安装的应用程序。

SO-8

T O服务P V IE W

器件的特性？

IRF7828PbF

（上）

OSS

9.5m

9.2nC

3.7nC

6.1nC

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极或源极

电流（V

≥

4.5V)

漏电流脉冲？

功耗

= 25°C

= 70°C

结&存储温度范围

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流？

热阻

参数

最大结点到环境？

最大结对铅

θJA

θJL

马克斯。

单位

° C / W

, T

英镑

= 25°C

= 70°C

符号

IRF7828PbF

±20

13.6

100

2.5

1.6

-55到150

3.1

100

°C

单位

04/05/07

IRF7828PbF

电气特性

参数

漏 - 源

击穿电压

静态漏源

抗性

栅极阈值电压

漏源漏

当前

DSS

（上）

GS （ TH）

DSS

民

–

1.0

–

GSS

GS1

GS2

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

–

典型值

–

9.5

–

9.2

7.3

2.5

0.8

2.9

3.7

6.1

2.3

6.3

2.7

9.7

7.3

1010

360

110

最大

–

12.5

–

1.0

150

±100

–

= 15V, V

= 0

= 15V ，我

= 10A

= 4.5V

钳位感性负载

= 10V, V

= 0

单位

条件

= 0V时，我

= 250A

= 4.5V ，我

= 10A

= V

= 250A

= 24V, V

= 0

= 24V, V

= 0,

TJ = 125°C

栅源漏

当前

总闸门变动续FET

总闸门变动同步FET

预Vth的

栅极 - 源电荷

后Vth的

栅极 - 源电荷

栅漏电荷

切换变动（Q

gs2

+ Q

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

= ±20V

= 5.0V ，我

= 15A ，V

=16V

= 5V, V

＆ LT ; 100mV的

= 15V ，我

= 10A

目前*

反向传输电容C

RSS

源极 - 漏极评级&特点

参数

二极管正向

电压*

反向恢复

充电？

反向恢复

充电（与并行

肖特基）？

RR （S ）

民

–

典型值

–

最大

1.0

–

单位

条件

= 10A ?? ，V

= 0V

的di / dt

700A/s

= 16V, V

= 0V时，我

= 15A

的di / dt = 700A / μs的

（有10BQ040 ）

= 16V, V

= 0V时，我

= 15A

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1英寸方形铜板

典型值=测量 - Q

OSS

的R的典型值

（上）在V测

= 4.5V ，Q

, Q

和Q

OSS

测量V

= 5.0V ，我

= 10A.

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IRF7828PbF

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 14A

VGS = 10V

ID = 10A

VDS = 24V

VDS = 15V

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20

80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

Q g总栅极电荷（ NC）

图1 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图2 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图3 。

导通电阻比。栅极电压

图4 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

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IRF7828PbF

100.0

TJ = 150℃

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

ISD ，反向漏电流（ A）

10.0

T J = 150℃

T J = 25°C

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

2.0

3.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

4.0

5.0

6.0

0.0

0.5

1.0

1.5

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VSD ，源toDrain电压（ V）

图5 。

典型的传输特性

图6 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

100

D = 0.50

热响应（Z thJA ）

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

（热反应）

0.01

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图7.最大有效瞬态热阻，结到环境

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IRF7828PbF

SO - 8封装外形

尺寸以地壳板块（英寸）

＆放大器;

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SO- 8最热信息（无铅）

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