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PD - 9.1103B
IRF7204
HEXFET
功率MOSFET
Adavanced工艺技术
l
超低导通电阻
l
P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
描述
l
S
S
S
G
1
8
7
A
D
D
D
D
2
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.060
I
D
= -5.3A
3
6
4
5
以P V即瓦特
从国际第四代HEXFETs
整流器采用先进的加工技术，
实现尽可能低的导通电阻的每个硅
区。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计者在一个非常有效的装置，用于使用
各种各样的应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
双芯片的能力使其成为理想中的各种力量
应用程序。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗有可能在
一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
S 0 -8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-5.3
-4.2
-21
2.5
0.020
± 12
-1.7
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境
分钟。
–––
典型值。
–––
马克斯。
50
单位
° C / W
8/25/97
IRF7204
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.022 ?????? V / ℃参考至25℃ ，我
D
= -1mA
––– 0.060
V
GS
= -10V ，我
D
= -5.3A
––– 0.10
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
––– -2.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
7.9 –––
S
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.3A
––– -25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
––– -250
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
25 –––
I
D
= -5.3A
5.0 –––
NC V
DS
= -10V
8.0 –––
V
GS
= -10V
14
30
V
DD
= -10V
26
60
I
D
= -1.0A
ns
100 150
R
G
= 6.0
68 100
R
D
= 10
D
2.5
4.0
860
750
230
–––
nH
–––
–––
–––
–––
pF
铅之间的6mm （0.25英寸）。
从包装和中心
模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz的
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– -2.5
展示
A
G
整体反转
––– ––– -15
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.25A ，V
GS
= 0V
––– 85 100
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.4A
––– 77 120
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
I
SD
≤
-5.3A ， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
IRF7204
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归
)
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRF7204
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
12
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
-I
D
，漏电流（ A）
I
10
1ms
10ms
1
0.1
T
A
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRF7204
6.0
V
DS
V
GS
R
D
5.0
D.U.T.
+
-I D，漏电流（ A）
4.0
-10V
3.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
2.0
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.0
V
GS
10%
0.0
25
50
75
100
125
150
TC ，外壳温度
( ° C)
90%
V
DS
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
(Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
10
热响应
0.1
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
-
R
G
V
DD
PD - 95165
IRF7204PbF
Adavanced工艺技术
l
超低导通电阻
l
P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
S
1
2
3
4
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.060
I
D
= -5.3A
6
5
顶视图
从国际第四代HEXFETs
整流器采用先进的加工技术，
实现尽可能低的导通电阻的每个硅
区。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计者在一个非常有效的装置，用于使用
各种各样的应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
双芯片的能力使其成为理想中的各种力量
应用程序。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗有可能在
一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-5.3
-4.2
-21
2.5
0.020
± 12
-1.7
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
R
θJA
最大结点到环境
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
50
单位
° C / W
10/6/04
IRF7204PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
-1.0
TYP 。 MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.022 ?????? V / ℃参考至25℃ ，我
D
= -1mA
0.060
V
GS
= -10V ，我
D
= -5.3A
0.10
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
-2.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
7.9
S
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.3A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-250
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
25
I
D
= -5.3A
5.0
NC V
DS
= -10V
8.0
V
GS
= -10V
14
30
V
DD
= -10V
26
60
I
D
= -1.0A
ns
100 150
R
G
= 6.0
68 100
R
D
= 10
2.5
4.0
860
750
230
nH
pF
D
铅之间的6mm （0.25英寸）。
从包装和中心
模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz的
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
-2.5
展示
A
G
整体反转
-15
p-n结二极管。
S
-1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.25A ，V
GS
= 0V
85 100
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.4A
77 120
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
I
SD
≤
-5.3A ， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
IRF7204PbF
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归
)
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRF7204PbF
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
12
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
-I
D
，漏电流（ A）
I
10
1ms
10ms
1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRF7204PbF
6.0
V
DS
V
GS
R
G
-10V
R
D
5.0
D.U.T.
+
-I
D
，漏电流（ A）
4.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
3.0
2.0
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.0
V
GS
10%
0.0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
V
DS
图10B 。
开关时间波形
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
-
V
DD
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IS23SC4428-X8
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IRF7828PBF
IDT742541DTEB
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    IRF7204
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：李经理
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联系人：何小姐
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