【PD-95265IRF7811AVPbFIRF7811AVPbFN沟道特定应用的MOSFET理想的C】,IC型号IRF7811AVPBF,IRF7811AVPBF PDF资料,IRF7811AVPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD-95265

IRF7811AVPbF

N沟道特定应用的MOSFET

理想的CPU内核的DC -DC转换器

低传导损耗

低开关损耗

最大限度地减少并行MOSFET的大电流

应用

100% R

G

经过测试

无铅

描述

这种新设备采用了先进的HEXFET功率

MOSFET技术，实现了前所未有的

导通电阻和栅极电荷平衡的。减少

传导和开关损耗，使其非常适用于高

效率的DC - DC转换器供电的最新

代微处理器。

该IRF7811AV已经优化所有参数

这是关键中的同步降压转换器，包括

R

DS （ ON）

，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开通免疫力。

该IRF7811AV提供了一个非常低的组合

Q

sw

＆放大器;

DS （ ON）

为控制减亏

同步FET应用。

该包是专门为气相，红外，

对流，或波峰焊技术。动力

大于2W耗散可以在一个典型的

印刷电路板安装的应用程序。

S

G

1

8

7

A

D

2

3

6

4

5

SO-8

顶视图

器件的特性？

IRF7811AV

11 m

17 NC

6.7 NC

8.1 NC

R

DS （ ON）

Q

G

Q

SW

Q

OSS

绝对最大额定值

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续输出电流

(V

GS

≥

4.5V)

漏电流脉冲

T

A

= 25°C

T

L

= 90°C

= 25°C

= 90°C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

I

S

I

SM

IRF7811AV

30

±20

10.8

11.8

100

2.5

3.0

-55到150

2.5

50

单位

V

A

T

功耗

e

T

结&存储温度范围

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流

A

L

W

°C

A

热阻

eh

最大结对铅

h

最大结点到环境

参数

符号

R

θJA

R

θJL

典型值

–––

最大

50

20

单位

° C / W

www.irf.com

1

08/17/04

IRF7811AVPbF

电气特性

参数

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

总栅极电荷，控制用FET

总栅极电荷，同步FET

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号最小值

V

（ BR ） DSS

30

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

SW

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

–––

1.0

–––

0.5

–––

典型值

–––

11

–––

17

14

3.4

1.6

5.1

6.7

8.1

–––

8.6

21

43

10

723

46

最大单位

条件

–––

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

14

3.0

50

20

100

26

21

–––

12

4.4

–––

pF

–––

ns

V

DD

= 16V

I

D

= 15A

V

GS

= 5.0V

钳位感性负载

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0

V

DS

= 16V ，我

D

= 15A

毫欧V

GS

= 4.5V ，我

D

= 15A

V

A

nA

nC

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

GS

= ± 20V

V

DS

= 24V ，我

D

= 15A ，V

GS

= 5.0V

V

GS

= 5.0V, V

DS

＆ LT ; 100mV的

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

d

毫安V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 100°C

––– ±100

––– 1801 –––

二极管的特性

参数

二极管的正向电压

反向恢复电荷

（与并行Schottsky ）

符号最小值

V

SD

–––

Q

rr

Q

rr

–––

典型值

–––

50

43

最大单位

1.3

–––

V

nC

条件

T

J

= 25 ° C，I

S

= 15A ，V

GS

= 0V

d

f

的di / dt = 700A / μs的

V

DD

= 16V, V

GS

= 0V时，我

D

= 15A

的di / dt = 700A / μs的，（有10BQ040 ）

V

DD

= 16V, V

GS

= 0V时，我

D

= 15A

f

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

典型值=测量 - Q

OSS

的R的典型值

DS

（上）在V测

GS

= 4.5V ，Q

G

, Q

SW

和Q

OSS

测量V

GS

= 5.0V ，我

F

= 15A.

R

θ

测定在T

J

约90℃的

2

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IRF7811AVPbF

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

2.0

I

D

= 15A

6

1.5

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 4.5V

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

I

D

=

15A

V

DS

= 16V

（归一化）

4

1.0

2

0.5

0.0

0

5

10

15

20

T

J

，结温

(

°

C)

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图1.归一导通电阻与温度的关系

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（

)

0.020

图2.栅极 - 源极电压与典型栅极电荷

3000

V GS = 0V ， F = 1 MHZ

西塞= C GS + C GD ，光盘短路

CRSS = C GD

COSS = C DS + C GD

I D = 15A

0.018

2500

C，电容（pF ）

0.016

2000

西塞

科斯

0.014

1500

0.012

1000

0.010

500

CRSS

0.008

3.0

6.0

9.0

12.0

15.0

0

1

10

100

V GS ，门-to - 源电压（V ）

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图3.典型的RDS（ON）与栅极至源极电压

100

图4.典型电容与漏 - 源极电压

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T = 150

°

C

J

10

I

SD

，反向漏电流（ A）

T = 150

°

C

J

10

T = 25

°

C

J

T = 25

°

C

J

1

0.1

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0.1

V

GS

= 0 V

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图5.典型的传输特性

图6.典型的源极 - 漏极二极管正向电压

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3

IRF7811AVPbF

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

P

DM

t

1

t

2

10

0.1

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图7.最大有效瞬态热阻，结到环境

50 u

8V

5 uH容

肖特基-6A

VDD

450

125nS

重复频率： 100Hz的

50 u

16Vz500mW

Mic4452BM

450

50欧姆探头

V

ds

90%

10%

V

gs

t

D（上）

t

F（ v）的

t

D（关闭）

t

r

(v)

开关时间波形

图8.钳位电感负载测试图和波形切换

4

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IRF7811AVPbF

SO - 8封装外形

尺寸以毫米（英寸）

D

A

5

B

暗淡

A

b

英寸

民

.0532

.013

.0075

.189

.1497

最大

.0688

.0098

.020

.0098

.1968

.1574

MILLIMETERS

民

1.35

0.10

0.33

0.19

4.80

3.80

最大

1.75

0.25

0.51

0.25

5.00

4.00

A1 .0040

8

6

E

1

7

6

5

H

0.25 [.010]

A

c

D

E

e

e1

H

K

L

y

2

3

4

.050 BASIC

0.025 BASIC

.2284

.0099

.016

0°

.2440

.0196

.050

8°

1.27 BASIC

0.635 BASIC

5.80

0.25

0.40

0°

6.20

0.50

1.27

8°

6X

e

e1

A

C

0.10 [.004]

8X B

0.25 [.010]

A1

C A B

y

的K× 45 °

8X L

7

8X

不ES ：

1.梦诗IONING &公差符合ASME Y14.5M - 1994 。

2.继续轧制梦诗ION ： MILLIMET ER

3.梦诗离子毫米[英寸]所示。

4.外形。符合JEDEC外形MS -012AA 。

5梦诗离子不包括模型PROT RUSIONS 。

模具PROTRUS离子不超过0.15 [ 0.006 ] 。

6梦诗离子不包括模型PROT RUSIONS 。

模具PROTRUS离子不超过0.25 [ 0.010 ] 。

7梦诗ION为T HE LENGT 铅焊接TO

A S UBST RAT E.

3X 1.27 [.050]

F OOTPRINT

8X 0.72 [.028]

6.46 [.255]

8X 1.78 [.070]

SO- 8最热

示例：T HIS是一个IRF7101 （ MOSFET ）

DAT 码（ YWW ）

P = DES伊格纳特ES LEAD -FREE

产品（ OPT有理）

Y = LAS牛逼位数T他YEAR

WW =周

A =为S EMBLY的IT ê CODE

批号

产品型号

INT ERNAT有理

RECT IFIER

标志

XXXX

F7101

www.irf.com

5