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PD - 93947A
IRF5850
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
双P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
低栅电荷
顶视图
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.135
描述
从国际整流器这些P沟道MOSFET
利用先进的加工技术，实现了
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处
为设计者提供了一个非常有效的装置
在电池和负载管理应用程序使用。
这双TSOP -6封装，非常适合应用在哪里
印刷电路板空间非常珍贵在哪里
最大的功能是必需的。每2芯片
封装， IRF5850可以提供两种功能
SOT -23在一个更小的占位面积封装。其独特的热
设计和研发
DS （ ON）
还原能增加
电流处理能力。
TSOP-6
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-2.2
-1.8
-9.0
0.96
0.62
7.7
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
130
单位
° C / W
www.irf.com
1
1/13/03
IRF5850
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.45
3.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.011
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.6
0.66
0.83
8.3
14
31
28
320
56
40
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.135
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.2A
0.220
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -1.9A
-1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -2.2A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
5.4
I
D
= -2.2A
–––
nC
V
DS
= -10V
–––
V
GS
= -4.5V
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
V
GS
= -4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -15V
–––
= 1.0kHz
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
23
7.7
-0.96
-9.0
-1.2
35
12
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -0.96A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -0.96A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
5sec.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
IRF5850
100
VGS
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
顶部
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
顶部
10
1
1
0.1
-1.2V
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
-1.2V
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
10
100
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
10
2.0
T
J
= 150
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
T
J
= 25
°
C
I
D
= -2.2A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
1
1.0
0.5
0.1
1.2
V DS = -15V
20μs的脉冲宽度
1.6
2.0
2.4
2.8
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF5850
500
400
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
-2.2A
V
DS
=-16V
V
DS
=-10V
8
C，电容（pF ）
西塞
300
6
200
4
100
科斯
CRSS
2
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
-I
D
，漏电流（ A）
I
10
100us
1
1ms
1
10ms
T
J
= 25
°
C
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF5850
2.5
V
DS
2.0
R
D
V
GS
R
G
-I
D
，漏电流（ A）
D.U.T.
+
1.5
V
GS
1.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
0.5
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
0.0
V
GS
25
50
75
100
125
150
10%
T
J
，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
结温
90%
V
DS
图10B 。
开关时间波形
1000
热响应（Z
thJA
)
100
D = 0.50
0.20
0.10
10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
2
1
0.1
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图10 。
典型的有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
-
V
DD
5
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