【PD - 94639A汽车MOSFETIRF4104IRF4104SIRF4104LHEXFET功率】,IC型号IRF4104L,IRF4104L PDF资料,IRF4104L经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94639A

汽车MOSFET

IRF4104

IRF4104S

IRF4104L

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

●

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 40V

R

DS （ ON）

= 5.5m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 75A

绝对最大额定值

参数

TO-220AB

IRF4104

D

2

PAK

IRF4104S

马克斯。

120

84

75

470

140

TO-262

IRF4104L

单位

A

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

I

DM

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

线性降额因子

V

GS

栅极 - 源极电压

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

E

AS

（测试）

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

d

0.95

± 20

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

h

120

220

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

g

i

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

y

典型值。

马克斯。

1.05

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

8/29/03

IRF4104S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

40

–––

2.0

63

–––

0.032

4.3

–––

68

21

27

16

130

38

77

4.5

7.5

3000

660

380

2160

560

850

–––

5.5

4.0

–––

20

250

200

-200

100

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

e

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 10V ，我

D

= 75A

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 75A

V

DS

= 32V

V

GS

= 10V

V

DD

= 20V

I

D

= 75A

R

G

= 6.8

V

GS

= 10V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 32V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至32V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

23

6.8

75

A

470

1.3

35

10

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 75A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 75A ，V

DD

= 20V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

www.irf.com

IRF4104S/L

1000

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

1000

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

100

4.5V

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

10

0.1

1

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

120

ID ，漏 - 源电流

(

A)

T J = 25°C

T J = 175℃

100

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

100

80

60

T J = 25°C

TJ = 175℃

10

40

20

0

1

4

6

8

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

10

12

VDS = 10V

380μs脉宽

0

20

40

60

80

100

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

www.irf.com

3

IRF4104S/L

5000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

20

ID = 75A

VDS = 32V

VDS = 20V

4000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

16

C，电容（pF ）

西塞

3000

12

2000

8

1000

科斯

CRSS

4

0

1

10

100

0

20

40

60

80

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

T J = 25°C

1.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

0.2

0.6

1.0

VGS = 0V

1.4

1.8

1

VSD ，源toDrain电压（ V）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF4104S/L

120

不限按包

100

ID ，漏电流（ A）

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID = 75A

VGS = 10V

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

3

τ

1

τ

2

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.371

0.000272

0.337

0.001375

0.337

0.018713

0.01

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

PD - 94639A

汽车MOSFET

IRF4104

IRF4104S

IRF4104L

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

●

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 40V

R

DS （ ON）

= 5.5m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 75A

绝对最大额定值

参数

TO-220AB

IRF4104

D

2

PAK

IRF4104S

马克斯。

120

84

75

470

140

TO-262

IRF4104L

单位

A

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

I

DM

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

线性降额因子

V

GS

栅极 - 源极电压

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

E

AS

（测试）

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

d

0.95

± 20

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

h

120

220

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

g

i

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

y

典型值。

马克斯。

1.05

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

8/29/03

IRF4104S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

40

–––

2.0

63

–––

0.032

4.3

–––

68

21

27

16

130

38

77

4.5

7.5

3000

660

380

2160

560

850

–––

5.5

4.0

–––

20

250

200

-200

100

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

e

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 10V ，我

D

= 75A

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 75A

V

DS

= 32V

V

GS

= 10V

V

DD

= 20V

I

D

= 75A

R

G

= 6.8

V

GS

= 10V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 32V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至32V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

23

6.8

75

A

470

1.3

35

10

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 75A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 75A ，V

DD

= 20V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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IRF4104S/L

1000

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

1000

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

V

GS

100

4.5V

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

10

0.1

1

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

120

ID ，漏 - 源电流

(

A)

T J = 25°C

T J = 175℃

100

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

100

80

60

T J = 25°C

TJ = 175℃

10

40

20

0

1

4

6

8

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

10

12

VDS = 10V

380μs脉宽

0

20

40

60

80

100

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

IRF4104S/L

5000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

20

ID = 75A

VDS = 32V

VDS = 20V

4000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

16

C，电容（pF ）

西塞

3000

12

2000

8

1000

科斯

CRSS

4

0

1

10

100

0

20

40

60

80

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

T J = 25°C

1.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

0.2

0.6

1.0

VGS = 0V

1.4

1.8

1

VSD ，源toDrain电压（ V）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF4104S/L

120

不限按包

100

ID ，漏电流（ A）

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID = 75A

VGS = 10V

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

3

τ

1

τ

2

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.371

0.000272

0.337

0.001375

0.337

0.018713

0.01

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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