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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第504页 > IRF7338
PD - 94372C
IRF7338
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
7
D1
D1
N沟道
V
DSS
12V
P沟道
-12V
3
6
D2
D2
4
5
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
0.034 0.150
顶视图
描述
从国际这些N和P沟道MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
非常低的导通电阻每硅片面积。这
效益为设计者提供了一个非常有效的
装置，用于在电池和负载管理使用
应用程序。
这双SO- 8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力，因此非常适合于各种功率
应用程序。有了这些改进，多个设备
可以在应用程序中使用显着地减少
电路板空间。该软件包是专为气相，
红外或波峰焊技术。
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏极至源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
N沟道
12
6.3
5.2
26
2.0
1.3
16
±12
-55到+ 150
± 8.0
P沟道
-12
-3.0
-2.5
-13
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
6/2/03
IRF7338
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
P沟道
V
GS （ TH）
g
fs
栅极阈值电压
正向跨导
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
12
-12
—
—
—
—
—
—
0.6
-0.40
9.2
3.5
—
—
—
—
––
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
0.01
-0.01
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.0
9.6
7.6
13
26
27
34
25
640
490
340
80
110
58
马克斯。
—
—
—
—
0.034
0.060
0.150
0.200
1.5
-1.0
—
—
20
-1.0
50
-25
±100
±100
8.6
6.6
1.9
1.3
3.9
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V /°C的
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
V
GS
= 3.0V ，我
D
= 2.0A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.9A
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -1.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 6.0V ，我
D
= 6.0A
V
DS
= -6.0V ，我
D
= -1.5A
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6 V, V
GS
= 0V
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
GS
= ± 12V
V
GS
= ± 8.0V
N沟道
I
D
= 6.0A ，V
DS
= 6.0V, V
GS
= 4.5V
P沟道
I
D
= -2.9A ，V
DS
= -9.6V, V
GS
= -4.5 V
N沟道
V
DD
= 6.0V ，我
D
= 1.0A ，R
G
= 6.0,
V
GS
= 4.5V
P沟道
V
DD
= -6.0V ，我
D
= -2.9A ，R
G
= 6.0,
V
GS
= -4.5V
pF
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 9.0V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -9.0V ， = 1.0KHz
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
—
— 6.3
—
— -3.0
A
—
—
26
—
— -13
—
— 1.3
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
V
—
— -1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.9A ，V
GS
= 0V
—
51
76
N沟道
ns
—
37
56
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
—
43
64
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.9A ，的di / dt = -100A / μs的
—
20
30
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在1平方铜板。
N沟道MOSFET能够承受15V V
GS
最大
对于长达24小时以上的装置的寿命。
2
www.irf.com
N沟道
IRF7338
VGS
7.5V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.7V
2.0V
BOTTOM 1.5V
顶部
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
7.5V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.7V
2.0V
BOTTOM 1.5V
100
10
1
1.5V
0.1
1
1.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
100.0
ID ，漏 - 源电流
(
A)
T J = 25°C
T J = 150℃
10
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = 150℃
10.0
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
1.0
2.0
VDS = 10V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
0.1
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VSD ，源toDrain电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7338
2.0
N沟道
I
D
= 6.3A
R DS （ ON） ，漏极 - 源极导通电阻（
)
0.12
0.10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
1.5
0.08
（归一化）
VGS = 3.0V
1.0
0.06
VGS = 4.5V
0.04
0.5
0.02
V
GS
= 4.5V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.00
0
5
10
15
20
25
30
ID ，漏电流（ A）
T
J
，结温
(
°
C)
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（
)
0.05
80
60
0.04
功率（W）的
0.03
40
ID = 6.3A
20
0.02
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0
0.00
0.00
0.00
0.01
0.10
1.00
10.00
VGS ，门-to - 源电压（V ）
时间（秒）
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
典型功耗比。时间
4
www.irf.com
N沟道
IRF7338
12
ID = 6.0A
1000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
国际空间站
= C GS + C GD ，C DS
短
CRSS
科斯
= Cgd的
= C + Cgd的
ds
800
10
8
6
4
2
0
VDS = 12V
C，电容（pF ）
西塞
600
科斯
400
200
CRSS
0
1
10
100
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q g总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
D = 0.50
(Z
thJA
)
0.20
10
0.10
热响应
0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
A
1
10
J
= P
DM
X Z
thJA
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
5
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ICS844071AG
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