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PD - 95363
开关电源MOSFET
应用
l
IRF3708PbF
IRF3708SPbF
IRF3708LPbF
HEXFET
功率MOSFET
高频DC-DC隔离转换器
同步整流电信
和工业应用
高频降压转换器的
计算机处理器电源
LEAD -FREE
超低栅极阻抗
非常低R
DS ( ON)
在4.5V V
GS
充分界定雪崩电压
和电流
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
最大
12m
I
D
62A
l
l
好处
l
l
l
TO-220AB
IRF3708
D
2
PAK
IRF3708S
TO-262
IRF3708L
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
30
±12
62
52
248
87
61
0.58
-55 + 175
单位
V
V
A
W
W
W / ℃,
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
结到环境(印刷电路板安装) *
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.73
–––
62
40
单位
° C / W
*
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
笔记
通过
在第10页
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1
6/10/04
IRF3708/S/LPbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
分钟。
30
–––
–––
静态漏 - 源极导通电阻---
–––
栅极阈值电压
0.6
–––
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
栅 - 源反向漏
–––
典型值。
–––
0.028
8
9.5
14.5
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
––– V
--- V /°C的
12.0
13.5 m
29
2.0
V
20
A
100
200
nA
-200
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 12A
V
GS
= 2.8V ,我
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
输出栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
49
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
24
6.7
5.8
14
7.2
50
17.6
3.7
2417
707
52
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 15V ,我
D
= 50A
–––
I
D
= 24.8A
–––
nC
V
DS
= 15V
–––
V
GS
= 4.5V
21
V
GS
= 0V时,我
D
= 24.8A ,V
DS
= 15V
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 24.8A
ns
–––
R
G
= 0.6
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 15V
–––
pF
= 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
典型值。
–––
–––
马克斯。
213
62
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向
反向
反向
反向
恢复
恢复
恢复
恢复
时间
收费
时间
收费
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.80
41
64
43
70
62
248
1.3
–––
62
96
65
105
V
ns
nC
ns
nC
A
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 31A ,V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C,I
S
= 31A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 31A ,V
R
=20V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C,I
F
= 31A ,V
R
=20V
的di / dt = 100A / μs的
2
www.irf.com
IRF3708/S/LPbF
1000
VGS
顶部
10.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
VGS
10.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
顶部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
2.7V
2.7V
10
10
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 62A
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.0
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
1.5
100
1.0
0.5
10
2.0
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF3708/S/LPbF
3500
2800
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
24.8A
V
DS
= 15V
8
C,电容(pF )
西塞
2100
6
1400
科斯
4
700
2
0
CRSS
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
T
J
= 25
°
C
I
D
,漏电流( A)
100
T
J
= 175
°
C
10us
100
100us
10
1ms
10ms
1
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
1
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 175 ° C
单脉冲
1
10
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF3708/S/LPbF
70
60
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
50
40
30
-
V
DD
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
20
V
DS
10
0
90%
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF3708PBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF3708PBF
Infineon Technologies
2417+
2000
TO-220-3
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IRF3708PBF
IR
22+
3523
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRF3708PBF
Infineon Technologies
24+
5000
TO-220-3
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IRF3708PBF
Infineon
2025+
26820
TO-220AB
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRF3708PBF
INFINEON/英飞凌
2405+
9580
TO-220(TO-220-3)
十年芯路!只有原装!优势MOS场效应管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
IRF3708PBF
IR
17+
9600
N/A
全新原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRF3708PBF
Infineon Technologies
24+
10000
TO-220AB
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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INFINEON/英飞凌
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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