【PD - 95177第五代技术l超低导通电阻l双N沟道MOSFETl表面贴装l可在磁带卷&l】,IC型号IRF7303PBF,IRF7303PBF PDF资料,IRF7303PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95177

第五代技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

动态的dv / dt额定值

快速开关

LEAD -FREE

描述

HEXFET

功率MOSFET

IRF7303PbF

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.050

顶视图

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

尽可能低的导通电阻每硅片面积。

这样做的好处，结合快速开关速度

和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用

各种应用程序。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，

多个设备可以在一个应用程序中使用

大大减少了电路板空间。该包是

专为气相，红外，或波峰焊

技术。大于0.8W的功耗

可以在一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

10秒。漏电流脉冲，V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

5.3

4.9

3.9

2.0

0.016

± 20

5.0

-55到+ 150

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

θJA

最大结点到环境？

典型值。

马克斯。

62.5

单位

° C / W

10/6/04

IRF7303PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

1.0

5.2

典型值。

0.032

6.8

7.7

4.0

6.0

520

180

MAX 。单位

条件

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.050

= 10V ，我

= 2.4A

0.080

= 4.5V ，我

= 2.0A

= V

, I

= 250A

= 15V ，我

= 2.4A

1.0

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

= 125 °C

100

= 20V

-100

= - 20V

= 2.4A

2.9

NC V

= 24V

7.9

= 10V ，参照图6和12

= 15V

= 2.4A

= 6.0

= 6.2Ω ，参照图10

与无铅烙铁头

而中心的模具接触

= 0V

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

2.5

展示

整体反转

p-n结二极管。

1.0

= 25 ° C，I

= 1.8A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 2.4A

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

≤

2.4A ， di / dt的

≤

73A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF7303PbF

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

我，漏 - 源电流（A ）

100

我，漏 - 源电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25°C

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150°C

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

= 25°C

= 150°C

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 4.0A

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

1.0

0.5

= 15V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60

-40

-20

= 10V

100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF7303PbF

1000

800

国际空间站

600

OSS

400

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

, C

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 2.4A

= 24V

C，电容（pF ）

200

RSS

100

测试电路

见图12

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，漏电流（ A）

= 150°C

100us

= 25°C

1ms

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

= 0V

2.0

2.5

0.1

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

10ms

100

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF7303PbF

5.0

4.0

D.U.T.

，漏电流（ A）

3.0

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

1.0

90%

0.0

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.001

0.01

0.1

100

0.1

0.0001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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