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IPD50N03S2-07
的OptiMOS
功率晶体管
特点
N沟道 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色包装（无铅）
极低的RDS（ON）
100 ％雪崩测试
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
7.3
50
V
m
A
PG-TO252-3-11
TYPE
IPD50N03S2-07
包
PG-TO252-3-11
记号
PN0307
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号
I
D
条件
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=50A
价值
50
50
200
250
±20
136
-55 ... +175
55/175/56
mJ
V
W
°C
单位
A
1.0版
第1页
2006-07-18
IPD50N03S2-07
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=85 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
30
2.1
-
-
3.0
0.01
-
4.0
1
A
V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
100
75
50
K / W
-
-
-
1
1
5.7
100
100
7.3
nA
m
1.0版
第2页
2006-07-18
IPD50N03S2-07
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
0.9
50
200
1.3
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=24 V,
I
D
=50 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
11
27
52
5.2
-
-
68
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=6.8
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2000
1200
630
18
40
26
30
-
-
-
-
-
-
-
ns
pF
反向恢复时间
2)
t
rr
-
40
-
ns
反向恢复电荷
2)
1)
Q
rr
-
50
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.1K / W ，芯片能够承载106A在25℃ 。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E在
www.infineon.com/optimos
2)
3)
由设计确定。不受生产测试。
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第3页
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IPD50N03S2-07
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
10 V
160
140
60
50
120
40
100
P
合计
[W]
80
60
I
D
[A]
0
50
100
150
200
30
20
40
10
20
0
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10 s
100 s
10
0
0.5
100
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
10
-1
0.05
10
10
-2
0.01
单脉冲
1
0.1
1
V
DS
[V]
10
100
10
-3
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
p
[s]
1.0版
第4页
2006-07-18
IPD50N03S2-07
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
200
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= (I
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
19
10 V
7V
5.5 V
17
150
6.5 V
6V
15
R
DS （ ON）
[毫瓦]
6.5 V
I
D
[A]
100
13
6V
11
7V
5.5 V
50
9
5V
7
10 V
0
0
2
4
6
8
10
5
0
20
40
60
80
100
120
140
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6V
参数：
T
j
200
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
= 25°C
参数：
g
fs
125
160
100
120
75
80
g
fs
[S]
50
40
25 °C
175 °C
-55 °C
I
D
[A]
25
0
2
3
4
5
6
7
0
0
50
100
150
200
V
GS
[V]
I
D
[A]
1.0版
第5页
2006-07-18
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