【PD - 9.1104BIRF7205HEXFET功率MOSFETAdavanced工艺技术l超低导】,IC型号IRF7205,IRF7205 PDF资料,IRF7205经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 9.1104B

IRF7205

HEXFET

功率MOSFET

Adavanced工艺技术

l

超低导通电阻

l

P沟道MOSFET

l

表面贴装

l

可在磁带卷&

l

动态的dv / dt额定值

l

快速开关

描述

l

S

G

1

8

7

A

D

2

V

DSS

= -30V

R

DS （ ON）

= 0.070

I

D

= -4.6A

3

6

4

5

T O服务P VIEW

从国际第四代HEXFETs

整流器采用先进的加工技术，

实现尽可能低的导通电阻的每个硅

区。这样做的好处，结合快速开关

速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计者在一个非常有效的装置，用于使用

各种各样的应用程序。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

双芯片的能力使其成为理想中的各种力量

应用程序。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

S 0 -8

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-4.6

-3.7

-15

2.5

0.020

± 20

-3.0

-55到+ 150

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

R

θJA

最大结点到环境

分钟。

–––

典型值。

–––

马克斯。

50

单位

° C / W

8/25/97

IRF7205

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-30

–––

-1.0

–––

TYP 。 MAX 。单位

条件

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

-0.024 ?????? V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

––– 0.070

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.6A

––– 0.130

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -2.0A

––– -3.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

6.6 –––

S

V

DS

= -15V ，我

D

= -4.6A

––– -1.0

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

A

––– -5.0

V

DS

= -15V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70 °C

––– -100

V

GS

= -20V

nA

––– 100

V

GS

= 20V

27

40

I

D

= -4.6A

5.2 –––

NC V

DS

= -15V

7.5 –––

V

GS

= -10V

14

30

V

DD

= -15V

21

60

I

D

= -1.0A

ns

97 150

R

G

= 6.0

71 100

R

D

= 10

D

2.5

4.0

870

720

220

–––

nH

–––

pF

铅之间的6mm （0.25英寸）。

从包装和中心

模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= -10V

= 1.0MHz的

G

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– -2.5

展示

A

G

整体反转

––– ––– -15

p-n结二极管。

S

––– ––– -1.2

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= -1.25A ，V

GS

= 0V

––– 70 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= -4.6A

––– 100 180

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

I

SD

≤

-4.6A ， di / dt的

≤

90A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF7205

IRF7205

C,

12

IRF7205

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

-10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

10%

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

(Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.01

0.1

1

10

100

10

热响应

0.1

0.0001

0.001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

-

V

DD

PD - 9.1104B

IRF7205

HEXFET

功率MOSFET

Adavanced工艺技术

l

超低导通电阻

l

P沟道MOSFET

l

表面贴装

l

可在磁带卷&

l

动态的dv / dt额定值

l

快速开关

描述

l

S

G

1

8

7

A

D

2

V

DSS

= -30V

R

DS （ ON）

= 0.070

I

D

= -4.6A

3

6

4

5

T O服务P VIEW

从国际第四代HEXFETs

整流器采用先进的加工技术，

实现尽可能低的导通电阻的每个硅

区。这样做的好处，结合快速开关

速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计者在一个非常有效的装置，用于使用

各种各样的应用程序。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

双芯片的能力使其成为理想中的各种力量

应用程序。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

S 0 -8

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-4.6

-3.7

-15

2.5

0.020

± 20

-3.0

-55到+ 150

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

R

θJA

最大结点到环境

分钟。

–––

典型值。

–––

马克斯。

50

单位

° C / W

8/25/97

IRF7205

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-30

–––

-1.0

–––

TYP 。 MAX 。单位

条件

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

-0.024 ?????? V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

––– 0.070

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.6A

––– 0.130

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -2.0A

––– -3.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

6.6 –––

S

V

DS

= -15V ，我

D

= -4.6A

––– -1.0

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

A

––– -5.0

V

DS

= -15V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70 °C

––– -100

V

GS

= -20V

nA

––– 100

V

GS

= 20V

27

40

I

D

= -4.6A

5.2 –––

NC V

DS

= -15V

7.5 –––

V

GS

= -10V

14

30

V

DD

= -15V

21

60

I

D

= -1.0A

ns

97 150

R

G

= 6.0

71 100

R

D

= 10

D

2.5

4.0

870

720

220

–––

nH

–––

pF

铅之间的6mm （0.25英寸）。

从包装和中心

模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= -10V

= 1.0MHz的

G

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– -2.5

展示

A

G

整体反转

––– ––– -15

p-n结二极管。

S

––– ––– -1.2

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= -1.25A ，V

GS

= 0V

––– 70 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= -4.6A

––– 100 180

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

I

SD

≤

-4.6A ， di / dt的

≤

90A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF7205

IRF7205

C,

12

IRF7205

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

-10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

10%

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

(Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.01

0.1

1

10

100

10

热响应

0.1

0.0001

0.001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

-

V

DD

SMD型

HEXFET功率MOSFET

KRF7205

(IRF7205)

特点

Adavanced工艺技术

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

动态的dv / dt额定值

快速开关

MOSFET

IC

绝对最大额定值大= 25

参数

连续漏电流， V

GS

@ 10V @ T

A

= 25

连续漏电流， V

GS

@ 10V @ T

A

= 70

漏电流脉冲* 1

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt * 2

最大结到环境* 3

结温和存储温度范围

V

GS

的dV / D

t

R

JA

符号

I

D

I

D

I

DM

等级

-4.6

-3.7

-15

2.5

0.02

20

-3

50

-55到+ 150

单位

A

@T

C

= 25

P

D

W

V

V / ns的

/W

T

J

, T

英镑

* 1重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

*2 I

SD

-4.6A ，D

i

/d

t

90A/

S，V

DD

V

（ BR ） DSS

,T

J

10sec.

150

* 3面安装在FR- 4电路板，T

www.kexin.com.cn

1

SMD型

KRF7205

(IRF7205)

电气特性TA = 25

参数

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

内部排水电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

连续源电流体二极管）

脉冲源电流

二极管的正向电压

* 1脉冲宽度

300

S;占空比

2%.

体二极管） * 2

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

L

D

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

rr

Q

rr

t

on

I

S

I

SM

V

SD

T

J

= 25

, I

S

= -1.25A ，V

GS

= 0V*1

V

GS

= 0V

V

DS

= -10V

F = 1.0MHz的

T

J

= 25

, I

F

=-4.6A

s*1

符号

V

DSS

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

Testconditons

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.6A*1

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -2.0A*1

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250

A

-1.0

6.6

民

-30

IC

MOSFET

典型值

最大

单位

V

0.070

0.130

-3.0

V

S

-1.0

-5.0

-100

100

27

5.2

7.5

14

21

97

30

60

150

100

ns

40

nC

nA

A

V

DS

= -15V ，我

D

= -4.6A*1

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70

I

GSS

V

GS

= -20V

V

GS

= 20V

I

D

= -4.6A

V

DS

= -15V

V

GS

= -10V,*1

V

DD

= -15V

I

D

= -1.0A

R

G

= 6.0

R

D

= 10

*1

71

2.5

nH

4.0

870

720

220

70

100

180

ns

nC

pF

d

i

/d

t

= 100A/

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

-2.5

A

-15

-1.2

V

* 2重复评价;脉冲宽度的限制bymax

2

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