快速
32K ×16的双端口
静态RAM
特点
x
x
IDT7027S/L
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 军事：25 /35 / 55ns （最大值）
- 工业：为25ns （最大）
- 商业：20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
低功耗工作
- IDT7027S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7027L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
独立的高字节和低字节控制总线
配套能力。
双芯片能够允许深度扩展，而不
x
x
x
x
x
x
x
x
x
外部逻辑
IDT7027轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
输出标志法师，
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和108引脚
陶瓷针栅阵列（ PGA ）
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
R/
W
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
LB
L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
LB
R
I / O
8-15L
I / O
0-7L
忙
L
(1,2)
A
14L
A
0L
32Kx16
内存
ARRAY
7027
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8-15R
I / O
0-7R
忙
R
A
14R
A
0R
(1,2)
.
地址
解码器
A
14L
A
0L
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
L
地址
解码器
A
14R
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
A
0R
CE
0R
CE
1R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
3199 DRW 01
SEM
L
INT
L
(2)
M / S
(2)
注意事项：
1.
忙
是输入为从机（M / S = V
IL
），并为主机（M / S = V输出
IH
).
2.
忙
和
INT
都是非三态图腾柱输出（推挽式） 。
2000年5月
DSC 7分之3199
1
2000集成设备技术有限公司
IDT7027S/L
高速32K ×16的双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT7027是一种高速32K ×16的双端口静态RAM ，
设计用来作为一个独立的512K位双端口RAM或作为
结合主/从双口RAM的32位或更多的字
系统。在32采用IDT主/从双口RAM的方法
位或者更宽的存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能由芯片控制，使（
CE
0
和
CE
1
）允许芯片上的
每个端口的电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为750MW运行。该IDT7027是
封装在一个100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和108引脚的陶瓷
针脚栅格阵列（ PGA ） 。
军用级产品的制造符合
MIL -PRF- 38535 QML的最新版本，因此非常适合于
军用温度要求苛刻的应用程序的最高水平
性能和可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
NC
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
SEM
L
VCC
读/写
L
OE
L
GND
GND
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
72
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
NC
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
IDT7027PF
PN100-1(4)
100引脚TQFP
俯视图（ 5 ）
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
NC
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
SEM
R
GND
读/写
R
OE
R
GND
GND
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
I / O
10R
3199 DRW 02
.
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
VCC
I / O
7
L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I/O1
L
I / O
0L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
VCC
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
NC
2
6.42
IDT7027S/L
高速32K ×16的双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
81
80
77
74
72
69
68
65
63
60
57
54
12
11
A
10R
84
A
11R
83
A
14R
78
76
NC
NC
79
UB
R
73
SEM
R
GND
70
67
GND
64
NC
61
I / O
13R
I / O
10R
59
56
NC
53
A
7R
87
A
8R
86
A
13R
82
LB
R
75
CE
1R
读/写
R
71
66
GND I / O
14R
I / O
12R
I / O
9R
62
58
55
51
NC
50
10
09
08
A
4R
90
A
5R
88
A
9R
85
A
12R
NC
CE
0R
OE
R
I / O
15R
I / O
11R
NC
52
I / O
8R
49
I / O
7R
47
A
1R
92
A
3R
91
A
6R
89
NC
48
VCC
46
I / O
5R
45
INT
R
95
A
0R
94
A
2R
93
I / O
6R
44
I / O
4R
43
I / O
3R
42
07
06
GND
96
M / S
忙
R
97
98
IDT7027G
G108-1
(4)
108针PGA
顶视图
(5)
I / O
2R
39
I / O
1R
40
I / O
0R
41
忙
L
99
INT
L
100
NC
102
I / O
1L
35
I / O
0L
37
GND
38
05
04
03
A
0L
101
A
1L
103
A
3L
106
I / O
4L
31
I / O
2L
34
GND
36
A
2L
104
A
4L
105
1
A
7L
4
8
12
17
21
25
VCC
28
I / O
5L
32
I / O
3L
33
A
5L
107
2
A
6L
5
A
10L
7
A
13L
NC
10
CE
1L
13
GND
16
I / O
14L
I / O
10L
19
22
NC
24
I / O
7
L
29
I / O
6L
30
02
01
A
8L
108
3
A
11L
6
A
14L
9
NC
LB
L
D
UB
L
11
SEM
L
OE
L
14
15
GND I / O
13L
18
20
I / O
11L
23
26
NC
I / O
9L
L
I / O
8L
27
A
9L
A
A
12L
B
NC
C
CE
0L
E
VCC
F
读/写
L
G
NC
H
I / O
15L
J
I / O
12L
K
NC
.
M
3199 DRW 03
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.21英寸x 1.21英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
14L
I / O
0L
- I / O
15L
SEM
L
UB
L
LB
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
14R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
R
UB
R
LB
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
3199 TBL 01
3
6.42
IDT7027S/L
高速32K ×16的双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
CE
CE
0
V
IL
L
＆ LT ; 0.2V
V
IH
X
H
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
CE
1
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
<0.2V
模式
宝RT种下科特D（ TTL活动）
宝RT种下科特D（ CM操作系统一个莫如）
宝RT德发E乐科特D（ TTL INAC TIV E）
宝RT德发E乐科特D（ TTL INAC TIV E）
宝RT德发E乐科特D（ CM OS INAC TIV E）
宝RT德发E乐科特D（ CM OS INAC TIV E）
3199 TBL 02
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
的水平，
CE
只是一个参考。
2.端口"A"和"B"引用位于何处
CE
被使用。
3. "H" = V
IH
和"L" = V
IL
.
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
X
L
L
L
L
L
L
X
读/写
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
输出
I / O
8-15
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
模式
取消：掉电
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
3199 TBL 03
注意事项：
1. A
0L
— A
14L
≠
A
0R
— A
14R.
2.参考芯片使能真值表。
真值表III - 旗语读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
X
H
X
L
L
读/写
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
输出
I / O
8-15
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
______
______
I / O
0-7
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
______
______
模式
在信号灯标记读取数据
在信号灯标记读取数据
写I / O
0
到信号灯标志
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
不允许
3199 TBL 04
注意事项：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
__
I / O
15
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考芯片使能真值表。
4
6.42
IDT7027S/L
高速32K ×16的双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1,3)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
最大工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
军事
环境
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3199 TBL 06
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
广告
产业
o
mA
3199 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
2，工业级温度：其他包的速度和力量，请联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3199 TBL 08
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
3199 TBL 07
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7027S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7027L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3199 TBL 09
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
5
6.42
QQ：2881677436 复制
