PD - 91787H
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA57Z60 100K拉德（SI ）
IRHNA53Z60 300K拉德（SI ）
IRHNA54Z60
500K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
I
D
0.0035 75A*
0.0035 75A*
0.0035 75A*
75A*
IRHNA57Z60
JANSR2N7467U2
30V的N通道
REF ： MIL -PRF-六百八十三分之一万九千五
5
技术
QPL型号
JANSR2N7467U2
JANSF2N7467U2
JANSG2N7467U2
JANSH2N7467U2
IRHNA58Z60 1000K拉德（SI ） 0.0040Ω
TM
SMD-2
国际整流器公司R5技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
0.83
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
04/24/06
IRHNA57Z60 ， JANSR2N7467U2
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
30
—
—
2.0
45
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.026
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.0035
4.0
—
10
25
100
-100
200
55
40
35
125
80
50
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ， I D = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 75A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS
≥
15V ， I DS = 45A
VDS = 24V ， VGS = 0V
VDS = 24V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ， I D = 45A
VDS = 15V
VDD = 15V ， ID = 45A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
9110
4620
150
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
75*
300
1.3
165
690
测试条件
A
T
j
= 25 ℃， IS = 75A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
V
ns
nC
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大
—
—
—
1.6
0.5
—
单位
° C / W
测试条件
焊接到一个2“正方形镀铜板
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHNA57Z60 ， JANSR2N7467U2
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
高达500K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
30
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.004
0.0035
1.3
30
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.0045
0.004
1.3
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 0V ， IS = 45A
1.部件号IRHNA57Z60 （ JANSR2N7467U2 ） ， IRHNA53Z60 （ JANSF2N7467U2 ）和IRHNA54Z60 （ JANSG2N7467U2 ）
2.产品编号IRHNA58Z60 （ JANSH2N7467U2 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
I
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28
37
60
能源
（兆电子伏）
261
285
344
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
40
30
30
30
25
15
37
30
30
30
23
15
33
25
25
20
15
8
35
30
25
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Cu
Br
I
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
IRHNA57Z60 ， JANSR2N7467U2
预辐照
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
1000
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
100
5.0V
5.0V
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
100
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
45A
I
D
=
75 A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
1.0
0.5
10
5.0
V DS =
15
50V
25V
20μs的脉冲宽度
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
=
12V
10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
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预辐照
IRHNA57Z60 ， JANSR2N7467U2
20000
C，电容（pF ）
15000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 45 A
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
15
科斯
10000
西塞
10
5000
5
CRSS
0
1
10
100
0
0
25
50
75
测试电路
见图13
100 125 150 175 200 225
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100s
1ms
100
10
10
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
0.1
1
10
10ms
1
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
PD - 91787F
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
I
D
IRHNA57Z60 100K拉德（SI ） 0.0035Ω 75 *一个
IRHNA53Z60 300K拉德（SI ） 0.0035Ω 75 *一个
IRHNA54Z60
600K拉德（SI ）
0.0035 75*A
IRHNA58Z60 1000K拉德（SI ） 0.0040Ω 75 *一个
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间应用程序
阳离子。这些装置已被表征为
单粒子效应（ SEE）用业绩
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于paral-的
电参的乐陵和温度稳定性
ETERS 。
IRHNA57Z60
30V的N通道
4
#
技术
c
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*当前是通过内部导线直径的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
75*
75*
300
300
2.4
±20
500
75
30
0.83
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
07/24/02
IRHNA57Z60
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
30
—
—
2.0
45
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.026
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.0035
4.0
—
10
25
100
-100
200
55
40
35
125
80
50
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 45A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 45A
VDS = 24V ， VGS = 0V
VDS = 24V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 45A
VDS = 15V
VDD = 15V ， ID = 45A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
9110
4620
150
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
75*
300
1.3
165
690
测试条件
A
V
nS
nC
T
j
= 25°C ， IS = 45A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
—
—
—
1.6
0.42
—
° C / W
测试条件
焊接到一个2“正方形镀铜板
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
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辐射特性
IRHNA57Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
30
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.004
0.0035
1.3
30
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.005
0.004
1.3
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 0V ， IS = 45A
1.部件号IRHNA57Z60 ， IRHNA53Z60和IRHNA54Z60
2.产品编号IRHNA58Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.9
59.4
80.3
能源
（兆电子伏）
255
290
313
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
33.4
30
30
30
25
20
28.8
25
25
20
15
10
26.5
22.5
22.5
15
10
—
35
30
25
VDS
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
AU
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
