l
符合RoHS标准不含铅和溴化物
典型值（除非另有规定）
l
单片集成肖特基二极管
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
l
薄型（ <0.7毫米）
25V最大± 16V最大0.9mΩ @ 10V 1.4mΩ @ 4.5V
l
双面冷却兼容
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
低封装电感
26nC
9.8nC 2.8nC
56nC
31nC
1.6V
l
优化高频开关
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
l
低传导损耗和开关损耗
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
等距
MX
l
足迹兼容的DirectFET
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET
PLUS
MOSFET与肖特基二极管
IRF6894MPbF
IRF6894MTRPbF
PD - 97633A
描述
该IRF6894MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和小于0.7mm轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装的
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术。应用笔记AN- 1035之后就制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6894MPbF结余行业领先的通态电阻，同时尽量减少栅极电荷随着低栅极电阻降低两个
传导和开关损耗。本部分包括一个集成的肖特基二极管，以减少体内流失二极管的Qrr进一步降低
损失在同步降压电路。减少损失，使这款产品非常适合高频率/高效率的DC -DC转换器
权力大电流负载，如最新一代的微处理器。该IRF6894MPbF进行了优化参数
在同步降压转换器的同步FET插座的关键。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
4.0
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±16
32
25
160
260
410
26
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
10
20
30
40
50
60
ID = 26A
VDS = 20V
VDS = 13V
VDS = 5V
A
mJ
A
ID = 33A
3.0
2.0
1.0
TJ = 25°C
0.0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
TJ = 125°C
70
80
VGS ，门-to - 源电压（V ）
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.18mH ，R
G
= 50Ω, I
AS
= 26A.
www.irf.com
1
8/12/11
IRF6894MTRPbF
1000
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.8V
2.5V
10
2.5V
1
顶部
底部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.8V
2.5V
2.5V
10
底部
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.1
1
TJ = 25°C
1
10
100
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
图5 。
典型的输出特性
1.6
ID = 33A
V GS = 10V
V GS = 4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
典型的RDS（on ） （正火）
VDS = 15V
≤60μs
脉冲宽度
2.5
3.0
3.5
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.4
1.2
10
1.0
1
0.8
0.1
1.5
2.0
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
5.0
TJ = 25°C
4.0
VGS = 3.5V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 12V
VGS = 15V
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
3.0
2.0
1.0
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
4
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
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