【PD - 94850IRF520PbFLEAD -FREEwww.irf.com111/25/03】,IC型号IRF520PBF,IRF520PBF PDF资料,IRF520PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94850

IRF520PbF

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11/25/03

IRF520PbF

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IRF520PbF

4

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IRF520 ， SiHF520

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

(Ω)

Q

g

（最大值）（ NC ）

Q

gs

（ NC ）

Q

gd

（ NC ）

CON组fi guration

V

GS

= 10 V

16

4.4

7.7

单身

D

特点

100

0.27

动态的dv / dt额定值

额定重复性雪崩

175°C的工作温度

快速开关

易于并联的

简单的驱动要求

铅（Pb ），免费提供

可用的

RoHS指令*

柔顺

TO-220

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平，以约50瓦的低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

G

S

G

D

S

N沟道

MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRF520PbF

SiHF520-E3

IRF520

SiHF520

绝对最大额定值

T

C

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

当前

a

能源

b

V

GS

在10 V

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

E

AS

I

AR

E

AR

T

C

= 25 °C

P

D

dv / dt的

T

J

, T

英镑

10秒

6-32或M3螺丝

极限

100

± 20

9.2

6.5

37

0.40

200

9.2

6.0

60

5.5

- 55 + 175

300

d

10

1.1

W / ℃，

mJ

A

mJ

W

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

A

单位

V

线性降额因子

单脉冲雪崩

重复性雪崩电流

a

重复性雪崩能量

a

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

c

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。 V

DD

= 25 V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 3.5毫亨，R

G

= 25

Ω,

I

AS

= 9.2 A（见图12 ）。

C.我

SD

≤

9.2 A， di / dt的

≤

110 A / μs的，V

DD

≤

V

DS

, T

J

≤

175 °C.

。 1.6毫米的情况。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

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IRF520 ， SiHF520

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热电阻额定值

参数

最大结点到环境

案件到水槽，平面，脂表面

最大结至外壳（漏）

符号

R

thJA

R

乡镇卫生院

R

thJC

典型值。

-

0.50

-

马克斯。

62

-

2.5

° C / W

单位

特定网络阳离子

T

J

= 25 ℃，除非另有说明

参数

STATIC

漏源击穿电压

V

DS

温度COEF网络cient

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向跨导

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

漏源体二极管特性

连续源极 - 漏极二极管电流

脉冲二极管正向

体二极管电压

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷

向前开启时间

当前

a

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

MOSFET符号

展示

整体反转

P - N结二极管

D

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

ΔV

DS

/T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

GS

= ± 20 V

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 80 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 150 °C

V

GS

= 10 V

I

D

= 5.5 A

b

A

b

V

DS

= 50 V，I

D

= 5.5

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

F = 1.0兆赫，见图。五

I

D

= 9.2 A，V

DS

= 80 V,

参见图。 6和13

b

100

-

2.0

-

2.7

-

0.13

-

4.0

± 100

25

250

0.27

-

V

V /°C的

V

nA

A

Ω

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

V

GS

= 10 V

-

360

150

34

-

8.8

30

19

20

4.5

7.5

-

16

4.4

7.7

-

nH

-

ns

nC

pF

V

DD

= 50 V，I

D

= 9.2 A,

R

G

= 18

Ω,

R

D

= 5.2

Ω,

参见图。 10

b

铅之间，

从6毫米（ 0.25" ）

封装中心

模具接触

-

D

-

G

S

-

110

0.53

9.2

A

37

1.8

260

1.3

V

ns

C

G

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= 9.2 A，V

GS

= 0 V

b

T

J

= 25 ° C，I

F

= 9.2 A， di / dt的= 100 A / μs的

b

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

和L

D

)

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2 %.

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典型特征

25 ℃，除非另有说明

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

10

1

V

GS

15

V

10

V

8.0 V

7.0

V

6.0

V

5.5

V

5.0

V

底部4.5

V

顶部

10

1

25

°

C

175

°

C

4.5

V

10

0

10

0

20

s

脉冲

宽度

V

DS

=

50

V

4

5

6

7

8

9

10

20

s

脉冲

宽度

T

C

=

25 °C

10

-1

91017_01

10

0

10

1

91017_03

V

DS

，漏 - 源

电压

(V)

V

GS ，

栅极 - 源

电压

(V)

图。 3 - 典型的传输特性

图。 1 - 典型的输出特性，T

C

= 25 °C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏电流（ A）

10

1

V

GS

顶部

15

V

10

V

8.0 V

7.0

V

6.0

V

5.5

V

5.0

V

底部4.5

V

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

- 60 - 40 - 20 0

I

D

= 9.2 A

V

GS

= 10

V

4.5

V

10

0

20

s

脉冲

宽度

T

C

=

175 °C

10

-1

91017_02

10

0

10

1

20 40 60

80

100 120 140 160 180

V

DS ，

漏 - 源

电压

(V)

91017_04

T

J,

结温（ ° C）

图。 2 - 典型的输出特性，T

C

= 175 °C

图。 4 - 归通电阻与温度的关系

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750

600

450

C

国际空间站

I

SD

，反向漏电流（ A）

电容（pF）

V

GS

= 0

V,

F = 1 MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

1

175

°

C

25

°

C

10

0

300

C

OSS

150

C

RSS

0

10

0

10

1

10

-1

0.5

91017_07

V

GS

= 0

V

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

91017_05

V

DS ，

漏 - 源

电压

(V)

V

SD

，源极到漏极

电压

(V)

图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压

图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压

20

V

GS

，栅 - 源

电压

(V)

I

D

= 9.2 A

V

DS

=

80 V

10

3

5

2

在这一领域有限

by

R

DS （ ON）

16

V

DS

= 20

V

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

= 50

V

12

10

2

5

2

10

s

100

s

1

ms

10

ms

T

C

= 25

°C

T

J

= 175

°C

单脉冲

2

5

10

5

2

8

1

5

4

测试电路

见图13

2

0

91017_06

4

8

12

16

20

91017_08

0.1

1

2

5

10

2

5

10

2

5

10

3

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏 - 源

电压

(V)

图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压

图。 8 - 最高安全工作区

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R

D

V

DS

10

R

G

V

GS

D.U.T.

+

-

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

8

6

10

V

脉冲

宽度

≤

1

s

占空比

≤

0.1

%

4

图。 10A - 开关时间测试电路

2

V

DS

0

25

91017_09

90

%

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10

%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度

图。 10B - 开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

0

-

0.5

0.2

0.1

0.05

P

DM

t

1

单脉冲

（热反应）

t

2

注意事项：

1.占空比，D = T

1

/t

2

2.峰值牛逼

j

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

10

-2

0.1

1

10

0.1

0.02

0.01

10

-2

10

-5

91017_11

10

-4

10

-3

t

1

，矩形脉冲持续时间（ S）

图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

L

变化

t

p

获得

需要我

AS

R

G

V

DS

V

DS

t

p

V

DD

D.U.T

I

AS

+

-

V

DD

A

V

DS

10

V

t

p

0.01

Ω

I

AS

图。 12B - 松开电感的波形

图。 12A - 非钳位感应测试电路

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