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PD - 95775A
HEXFET功率MOSFET
应用
l
l
IRLR3714ZPbF
IRLU3714ZPbF
15m
:
l
高频率同步降压
转换为计算机处理器电源
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
LEAD -FREE
V
DSS
20V
R
DS ( ON)
最大
Qg
4.7nC
好处
l
非常低的RDS(on ),在4.5V V
GS
l
超低栅极阻抗
l
充分界定雪崩电压
和电流
D- PAK
IRLR3714Z
I- PAK
IRLU3714Z
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
20
± 20
37
单位
V
f
g
最大功率耗散
g
最大功率耗散
线性降额因子
工作结
存储温度范围
26
144
35
18
0.23
-55 + 175
A
W
W / ℃,
°C
焊接温度,持续10秒
300 ( 1.6毫米从案例)
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装)
结到环境
典型值。
马克斯。
4.28
50
110
单位
° C / W
g
–––
–––
–––
笔记
通过
在第11页
www.irf.com
1
12/7/04
IRLR/U3714ZPbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
12
20
2.1
-5.2
–––
–––
–––
–––
–––
4.7
1.7
0.7
1.7
0.6
2.4
2.6
5.4
7.6
9.2
4.3
560
180
95
–––
–––
15
25
2.55
–––
1.0
150
100
-100
–––
7.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ns
nC
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ,我
D
e
= 12A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ,我
D
= 12A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
31
12
3.5
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
21
8.5
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
37
f
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 12A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 12A ,V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的
A
144
1.0
32
13
V
ns
nC
e
e
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
2
www.irf.com
IRLR/U3714ZPbF
1000
顶部
V
GS
1000
顶部
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
100
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
V
GS
10
10
1
3.0V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
3.0V
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
0
1
1
10
10
100
100
0.1
0.1
0
1
1
10
10
100
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
ID ,漏 - 源电流
(Α)
ID = 30A
VGS = 10V
T J = 25°C
100
1.5
T J = 175℃
10
1.0
VDS = 10V
在60μs脉冲宽度
1
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T J ,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRLR/U3714ZPbF
10000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ,C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12
ID = 12A
VGS ,栅 - 源极电压( V)
10
8
6
4
2
0
VDS = 20V
VDS = 10V
C,电容(pF )
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100.0
T J = 175℃
10.0
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
10
100sec
1msec
1.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ,源toDrain电压( V)
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
0.1
100
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U3714ZPbF
40
不限按包
2.6
VGS ( TH)栅极阈值电压( V)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID ,漏电流( A)
30
ID = 250μA
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
T J ,温度(° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
10
热响应(Z thJC )
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
0.1
0.02
0.01
τ
J
τ
1
τ
2
RI( ° C / W)
1.2525
2.423
0.6041
τi
(秒)
0.00015
0.00098
0.00984
0.01
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
(热反应)
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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