【HiPerFETTM功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩，低Qg，高dv / dt初步数据表IXF】,IC型号IXFP3N80,IXFP3N80 PDF资料,IXFP3N80经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩，低Q

，高dv / dt

初步数据表

IXFA 3N80

IXFP 3N80

DSS

= 800 V

D25

= 3.6 A

DS （ ON）

= 3.6

250纳秒

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

， di / dt的

100 A / MS ，V

DSS

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

800

±20

±30

3.6

14.4

3.6

400

100

-55到+150

150

-55到+150

V / ns的

°C

的TO-220 （ IXFP ）

D（ TAB ）

TO- 263 （ IXFA ）

D（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装扭矩（ TO- 220 ）

TO-220

TO-263

300

特点

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

国际标准封装

低R

DS （ ON）

额定松开感性负载

开关（ UIS ）

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

800

2.5

4.5

±100

= 25°C

= 125°C

3.6

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 1毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

98746 (09/00)

IXFA 3N80

IXFP 3N80

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2.5

3.4

685

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 12

（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

1.25

(TO-220)

0.25

K / W

销： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

4 - 漏极

底侧

TO- 220 （ IXFP ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3.6

14.4

1.5

250

门

漏

来源

漏

底侧

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

TO- 263 （ IXFA ）大纲

= I

， -di / DT = 100 A / MS ，V

= 100 V

0.52

1.8

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

2.03

0.51

1.14

0.46

1.14

8.64

7.11

9.65

6.86

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

0.46

4.83

2.79

0.99

1.40

0.74

1.40

9.65

8.13

10.29

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

0.74

英寸

分钟。

马克斯。

.160

.080

.020

.045

.018

.045

.340

.280

.380

.270

.100

.575

.090

.040

.050

.018

.190

.110

.039

.055

.029

.055

.380

.320

.405

.320

BSC

.625

.110

.055

.070

.015

.029

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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TO-220-3

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IXYS

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10000

TO-220-3

原厂一级代理，原装现货

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IXFP3N80

IXYS/艾赛斯

2443+

23000

TO-220

一级代理专营，原装现货，价格优势

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19000

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全新原装现货，原厂代理。

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23+

1980

TO-220

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326

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IXFP3N80

专营IXYS

2024

70700

TO-220

原装现货上海库存，欢迎查询

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IXFP3N80

IXYS/艾赛斯

21+

15360

TO-220

全新原装正品/质量有保证

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