半导体
IRF220 ， IRF221 ，
IRF222 ， IRF223
4.0A和5.0A ， 150V和200V ， 0.8和1.2欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关转换
器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高功率
双极开关晶体管需要高速和低
栅极驱动电源。这些类型可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA09600 。
1997年10月
特点
4.0A和5.0A ， 150V和200V
r
DS （ ON）
= 0.8Ω和1.2Ω
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRF220
IRF221
IRF222
IRF223
包
TO-204AA
TO-204AA
TO-204AA
TO-204AA
BRAND
IRF220
IRF221
IRF222
IRF223
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 204AA
漏
（法兰）
SOURCE （PIN 2 ）
GATE （引脚1）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
哈里斯公司199&
网络文件编号
1567.2
1
IRF220 ， IRF221 ， IRF222 ， IRF223
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF220
200
200
5.0
3.0
20
±20
40
0.32
85
-55到150
300
260
IRF221
150
150
5.0
3.0
20
±20
40
0.32
85
-55到150
300
260
IRF222
200
200
4.0
2.5
16
±20
40
0.32
85
-55到150
300
260
IRF223
150
150
4.0
2.5
16
±20
40
0.32
85
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图10）
200
150
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
25
250
V
V
V
A
A
民
典型值
最大单位
漏源击穿电压
IRF220 ， IRF222
IRF221 ， IRF223
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
IRF220 ， IRF221
IRF222 ， IRF223
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
IRF220 ， IRF221
IRF222 ， IRF223
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
5.0
4.0
-
-
-
-
-
±100
A
A
nA
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V
I
D
= 2.5A ，V
GS
= 10V， （图8）
-
-
-
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 2.5A
V
DD
= 0.5×额定BV
DSS
, I
D
≈
2.5A ，R
G
= 50
对于IRF220 ， 222
L
= 80
对于IRF221 ， 223
L
= 60
（图17,18 ） MOSFET开关时间
基本上是独立运行的
温度
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
I
G（ REF ）
= 1.5毫安， （图14 ， 19 ， 20 ）门
收费基本上是独立运营的
温度
1.3
-
-
-
-
-
0.5
0.8
2.5
20
30
50
30
11
0.8
1.2
-
40
60
100
60
15
S
ns
ns
ns
ns
nC
-
-
5.0
6.0
-
-
nC
nC
2
IRF220 ， IRF221 ， IRF222 ， IRF223
电气连接特定的阳离子
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
之间测得的
联系方式拧上
凸缘即更靠近
源极和栅极引脚和
的模具中心
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从法兰
和源粘接
PAD
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图11）
民
-
-
-
-
典型值
450
150
40
5.0
最大单位
-
-
-
-
pF
pF
pF
nH
内部源极电感
L
S
-
12.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
3.12
30
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
IRF220 ， IRF221
IRF222 ， IRF223
脉冲源极到漏极电流（注3 ）
IRF220 ， IRF221
S
符号
I
SD
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结整流器
G
D
民
典型值
最大单位
-
-
-
-
5.0
4.0
A
A
I
SDM
-
-
V
SD
T
C
= 25
o
C，我
SD
= 5.0A ，V
GS
= 0V时， （图13）
T
C
= 25
o
C，我
SD
= 4.0A ，V
GS
= 0V时， （图13）
t
rr
Q
RR
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 5.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 5.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
20
16
A
A
IRF222 ， IRF223
源极到漏极二极管电压（注2 ）
IRF220 ， IRF221
IRF222 ， IRF223
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
-
-
350
2.3
2.0
1.8
-
-
V
V
ns
C
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 10V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 6.18mH ，R
G
= 50Ω ，峰值I
AS
= 5A 。参见图15，图16 。
3
IRF220 ， IRF221 ， IRF222 ， IRF223
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
5
4
IRF220 ， IRF221
IRF222 ， IRF223
0.8
0.6
0.4
0.2
0
3
2
1
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
外壳温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化暂态
热阻抗
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
t
2
P
DM
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
100
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
IRF220 ， IRF221
10
10V
V
GS
= 7V
8
为80μs脉冲测试
V
GS
= 6V
6
I
D
，漏电流（ A）
10
IRF222 ， IRF223
IRF220 ， IRF221
IRF222 ， IRF223
100s
10s
DC
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
4
V
GS
= 5V
2
V
GS
= 4V
0
1.0
1ms
10ms
100ms
IRF220
IRF222
1000
0.1
单脉冲
1.0
IRF221
IRF223
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
20
40
60
80
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
4
IRF220 ， IRF221 ， IRF222 ， IRF223
典型性能曲线
除非另有规定编
5
10V
8V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
4
6V
V
GS
= 5V
8
为80μs脉冲测试
（续）
10
为80μs脉冲测试
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
3
6
2
4
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
1
4V
2
0
0
4
6
8
V
DS
，漏源极电压（ V）
2
10
0
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图6.饱和特性
图7.传热特性
1.5
归一漏极至源极
2.2
V
GS
= 10V
I
D
= 2A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ Ω ）
1.8
抗性
1.0
V
GS
= 10V
1.4
V
GS
= 20V
0.5
1.0
0.6
0
0
5
10
I
D
，漏电流（ A）
15
20
0.2
-40
0
40
80
T
J
，结温（
o
C)
120
注：为2μs的供暖效果甚微。
图8.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
1000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1.15
C，电容（pF ）
800
1.05
600
0.95
400
C
国际空间站
C
OSS
0.85
200
C
RSS
0.75
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
5
QQ：2880707522 复制
