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PD - 97078

PDP开关

特点

l

先进的工艺技术

l

优化的PDP延的关键参数，

能量回收和旁路开关的应用

l

低辐射

脉冲

等级达到降低功耗

耗散PDP延，能量回收

并通过开关应用

l

低Q

G

快速响应

l

高重复峰值电流能力

可靠运行

l

短期回落&上升时间的快速切换

l

175 ° C的工作结温

提高耐用性

l

对于稳健性重复雪崩能力

与可靠性

IRFB4229PbF

主要参数

250

300

38

91

175

D

V

DS

民

V

DS （雪崩）

典型值。

R

DS （ ON）

（典型值）。 @ 10V

I

RP

最大@ T

C

= 100°C

T

J

最大

D

V

m

:

A

°C

G

D

S

TO-220AB

D

S

G

门

漏

来源

描述

这

HEXFET

功率MOSFET

是专门为设计延;能量回收&旁路开关

应用在等离子显示面板。这

MOSFET

采用最新的加工技术，以实现

每硅片面积和低辐射低导通电阻

脉冲

投资评级。这个额外的功能

MOSFET

在175℃

工作结温，高重复峰值电流能力。这些功能结合起来，

使这

MOSFET

一个高效，健壮和可靠的装置，用于PDP驱动的应用程序。

绝对最大额定值

参数

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

I

RP

@ T

C

= 100°C

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

工作结

存储温度范围

焊接温度10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

10磅在（ 1.1N M）

马克斯。

±30

46

33

180

91

330

190

2.2

-40 + 175

300

单位

V

A

c

重复峰值电流

g

W

W / ℃，

°C

x

N

热阻

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

f

参数

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

f

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.45

–––

62

单位

° C / W

笔记

通过

是第8页

www.irf.com

1

04/12/06

IRFB4229PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

g

fs

Q

g

Q

gd

t

st

E

脉冲

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 漏极电荷

射穿封锁时间

能源每脉冲

分钟。

250

–––

3.0

–––

83

–––

100

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

210

38

–––

-14

–––

72

26

–––

790

1390

4560

390

100

290

4.5

7.5

–––

46

5.0

–––

20

1.0

100

-100

–––

110

–––

nH

–––

pF

ns

J

S

nC

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 26A

e

V

毫伏/°C的

A

mA

nA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 250V, V

GS

= 0V

V

DS

= 250V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 25V ，我

D

= 26A

V

DD

= 125V ，我

D

= 26A ，V

GS

= 10V

e

V

DD

= 200V, V

GS

= 15V ，R

G

= 4.7

L = 220nH ，C = 0.3μF ，V

GS

= 15V

V

DS

= 200V ，R

G

= 4.7, T

J

= 25°C

L = 220nH ，C = 0.3μF ，V

GS

= 15V

V

DS

= 200V ，R

G

= 4.7, T

J

= 100°C

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的，

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至200V

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

G

S

D

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

EFF 。

L

D

L

S

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容

内部排水电感

内部源极电感

–––

雪崩特性

E

AS

E

AR

V

DS （雪崩）

I

AS

d

重复性雪崩能量

重复性雪崩电压

雪崩电流

d

单脉冲雪崩能量

参数

典型值。

马克斯。

单位

mJ

V

A

–––

300

–––

130

33

–––

26

二极管的特性

参数

I

S

@ T

C

= 25 ° C连续源电流

（体二极管）

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

脉冲源电流

（体二极管）

分钟。

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

190

840

46

180

1.3

290

1260

V

ns

nC

A

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 26A ，V

GS

= 0V

的di / dt = 100A / μs的

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

e

T

J

= 25 ° C，I

F

= 26A ，V

DD

= 50V

e

2

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IRFB4229PbF

1000

顶部

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.5V

顶部

100

底部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.5V

10

5.5V

1

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

10

100

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000

图2 。

典型的输出特性

3.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

ID = 26A

VGS = 10V

TJ = 175℃

10

1

TJ = 25°C

0.1

VDS = 25V

≤

在60μs脉冲宽度

0.01

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

TJ ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

1400

1600

每个脉冲的能量（ μJ ）

1200

L = 220nH

C = 0.3μF

100°C

25°C

1200

1000

800

600

400

200

L = 220nH

C =变量

100°C

25°C

800

400

0

150

160

170

180

190

200

0

100

110

120

130

140

150

160

170

VDS ，漏到-source电压（V ）

ID ，峰值漏极电流（ A）

图5 。

典型ê

脉冲

与漏 - 源极电压

图6 。

典型ê

脉冲

与漏电流

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3

IRFB4229PbF

2000

1000

L = 220nH

1600

ISD ，反向漏电流（ A）

每个脉冲的能量（ μJ ）

C = 0.3μF

C = 0.2μF

C = 0.1μF

100

1200

TJ = 175℃

10

800

400

1

TJ = 25°C

VGS = 0V

0

25

50

75

100

125

150

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

温度（℃）

VSD ，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型ê

脉冲

vs.Temperature

7000

6000

5000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

图8 。

典型的源漏二极管正向电压

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 26A

VDS = 160V

VDS = 100V

VDS = 40V

16

C，电容（pF ）

西塞

4000

3000

2000

1000

12

8

科斯

4

CRSS

0

1

10

100

1000

0

20

40

60

80

100

120

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图9 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图10 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

50

1000

40

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

1sec

100sec

10sec

ID ，漏电流（ A）

100

30

10

20

10

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1

10

100

1000

0

25

50

75

100

125

150

175

TJ ，结温（ ° C）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图11 。

最大漏极电流与外壳温度

图12 。

最大安全工作区

4

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IRFB4229PbF

(

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻

)

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

0.40

600

ID = 26A

0.30

500

I D

顶部

7.4A

13A

底部

26A

400

0.20

300

0.10

TJ = 125°C

TJ = 25°C

200

100

0.00

5

6

7

8

9

10

0

25

50

75

100

125

150

175

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

开始TJ ，结温（ ° C）

图13 。

导通电阻比。栅极电压

5.0

图14 。

最大雪崩能量比。温度

140

120

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

-75 -50 -25

0

25

50

75

100 125 150 175

重复峰值电流（ A）

吨= 1μs的时间

占空比= 0.25

半正弦波

方波脉冲

ID = 250μA

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

TJ ，温度（° C）

外壳温度（ ° C）

图15 。

阈值电压与温度的关系

1

图16 。

典型的重复峰值电流 -

外壳温度

热响应（ ZthJC ）

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

0.05

τ

J

τ

J

τ

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

C

τ

1

τ

2

τ

3

τ

3

τ

RI（ ° C / W）

τι

（秒）

0.01

0.02

0.01

CI-

τi /日

CI-

τi /日

0.080717 0.000052

0.209555 0.001021

0.159883 0.007276

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图17 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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