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2009年2月18日
IRS211(7,71,8)(S)
单通道驱动器
IC特点
专为自举浮动通道
手术
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围从10V到20V
欠压锁定
CMOS施密特触发与下拉输入
输出同相输入
符合RoHS
IRS2117和IRS2118的PDIP8提供
产品概述
拓扑
V
OFFSET
V
OUT
I
O+
＆放大器;我
O-
（典型值）
电压
门槛
IRS211(7,8)
IRS21171
单高端
600 V
10V-20 V
290毫安& 600毫安
9.5 V & 6 V
2.5 V & 0.8 V
套餐类型
SOIC8
PDIP8
IRS2117(1)
IRS2118
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1
2008国际整流器
IRS211(7,71,8)(S)
目录
描述
QUALI科幻阳离子信息
绝对最大额定值
推荐工作条件
静态电气特性
动态电气特性
功能框图
输入/输出引脚等效电路图
铅定义
铅作业
应用信息及其他详细信息
参数温度变化趋势
包详细信息
磁带和卷轴详细
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2
2008国际整流器
IRS211(7,71,8)(S)
描述
在IRS2117 ， IRS21171和IRS2118是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。
Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The
逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲
舞台设计为最小交叉传导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
在高端或低端配置，它可在高达600 V功率MOSFET或IGBT
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2008国际整流器
3
IRS211(7,71,8)(S)
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
IC闩锁测试
符合RoHS
产业
（每JEDEC JESD 47 ）
点评：这系列IC已通过JEDEC的
工业资质。 IR的消费资格水平
授予延伸产业更高水平。
MSL2
260°C
SOIC8
（根据IPC / JEDEC J -STD- 020C ）
不适用
PDIP8
（非表面贴装封装类型）
B类
（根据JEDEC标准EIA / JESD22- A115 ）
3A级
（每EIA / JEDEC标准JESD22- A114 ）
I类， A级
（每JESD78 ）
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
高学历额定值可应用户有这样的需求。请联系
您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
高等教育MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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2008国际整流器
4
IRS211(7,71,8)(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
VB
VS
VHO
VCC
VIN
dV
S
/ DT
PD
R
θ
JA
TJ
TS
TL
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
可允许的偏移电压瞬变（图2）
8引脚SOIC
包装功耗@ T
A
≤
+25C
8引脚PDIP
8引脚SOIC
热阻，结到环境
8引脚PDIP
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
VB - 25
VS - 0.3
- 0.3
- 0.3
---
---
---
---
-55
---
马克斯。
625
VB + 0.3
VB + 0.3
25
VCC + 0.3
50
0.625
1.0
200
125
150
150
300
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
V
单位
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1，为保证正常工作的设备应使用
在推荐的条件。在VS补偿评级与偏置15 V电源的所有测试
差。
符号
VB
VS
VST
VHO
VCC
VIN
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
瞬态高压侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
分钟。
VS + 10
-50 ()
VS
10
0
马克斯。
VS + 20
600
600
VB
20
VCC
V
单位
TA
环境温度
-40
125
C
逻辑运算的V
S
-5 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
V - -5 V至
BS 。
操作的COM瞬态负VS - 50 V与50 ns的脉冲宽度。通过设计保证。
请参阅本数据表的详细信息，应用信息部分。
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2008国际整流器
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IDT74ALVC16836PA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRS21171SPBF
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深圳市大唐盛世半导体有限公司
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