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PD -95486

好处

IRF1407SPbF

IRF1407LPbF

HEXFET

功率MOSFET

D

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

LEAD -FREE

G

V

DSS

= 75V

R

DS （ ON）

= 0.0078

S

描述

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

I

D

= 100A

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高

功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何

现有的表面贴装封装。对D

2

白是适合

由于其低的内部连接的高电流的应用

性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面

安装应用程序。

通孔版（ IRF1407L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D

2

PAK

IRF1407S

TO-262

IRF1407L

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

100

70

520

3.8

200

1.3

± 20

390

看到图12a ， 12b中，15，16

4.6

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

0.75

40

单位

° C / W

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹和焊接技术参考

应用笔记＃ AN- 994 。

www.irf.com

1

06/30/04

IRF1407S/LPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。

75

–––

2.0

74

–––

典型值。

–––

0.09

–––

160

35

54

11

150

140

4.5

7.5

5600

890

190

5800

560

1100

马克斯。

–––

0.0078

4.0

–––

20

250

200

-200

250

52

81

–––

单位

V

V /°C的

V

S

A

nA

nC

ns

nH

–––

pF

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 78A

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 78A

V

DS

= 75V, V

GS

= 0V

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 78A

V

DS

= 60V

V

GS

= 10V

V

DD

= 38V

I

D

= 78A

R

G

= 2.5

V

GS

= 10V

D

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

而中心的模具接触

S

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0KHz ，见图。五

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0KHz

V

GS

= 0V, V

DS

= 60V ， = 1.0KHz

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至60V

源极 - 漏极额定值和特性

分钟。典型值。马克斯。单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 100

展示

A

G

整体反转

––– ––– 520

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 78A ，V

GS

= 0V

––– 110 170

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 78A

––– 390 590

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.13mH

R

G

= 25, I

AS

= 78A 。（参见图12）。

I

SD

≤

78A ， di / dt的

≤

320A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

基于最大允许计算出的连续电流

结温。套餐限制电流为75A 。

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

使用IRF1407数据和试验条件。

2

www.irf.com

IRF1407S/LPbF

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

3.0

I

D

= 130A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 25°C

2.5

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

TJ = 175℃

2.0

100.00

（归一化）

1.5

1.0

0.5

10.00

3.0

5.0

7.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

9.0

11.0

13.0

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF1407S/LPbF

100000

15

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

=

78A

V

DS

= 60V

V

DS

= 37V

V

DS

= 15V

12

C，电容（pF ）

10000

西塞

9

1000

科斯

6

3

CRSS

100

1

10

100

0

40

80

120

160

200

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

T J = 175℃

10.00

T J = 25°C

1.00

VGS = 0V

0.10

0.0

1.0

2.0

3.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF1407S/LPbF

120

不限按包

100

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

80

-

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

10V

60

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

40

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

20

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

热响应

0.1

0.10

P

DM

t

1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

1

t

2

0.05

J

= P

DM

X Z

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5