IXFR 55N50F
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2 ， 3
22
33
6700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1250
330
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=I
T
R
G
= 1
（外部）
20
45
9.6
195
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
50
95
0.30
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
ISOPLUS 247外形
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
T
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
55
220
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.0
10
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
3. I
T
= 27.5A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
IXFR 55N50F
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2 ， 3
22
33
6700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1250
330
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=I
T
R
G
= 1
（外部）
20
45
9.6
195
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
50
95
0.30
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
ISOPLUS 247外形
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
T
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
55
220
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.0
10
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
3. I
T
= 27.5A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
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