数据表No.PD60217版本A
IR2011(
S） & （的PbF
)
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
延迟匹配
200V最大。
1.0A /1.0A （典型值） 。
10 - 20V
80 & 60纳秒（典型值） 。
20 ns（最大值） 。
充分运作，高达+ 200V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围从10V到20V
独立的高，低侧通道
输入logicHIN / LIN高电平有效
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
CMOS施密特触发与下拉输入
匹配的传播延迟为两个通道
8引脚SOIC还提供无铅（的PbF ）
应用
D类音频类放大器
高功率DC -DC SMPS转换器
其它高频应用
套餐
描述
该IR2011是一款高功率，具有独立的高高速功率MOSFET驱动器
和低侧参考输出通道，理想的音频D级和DC-DC转换器
应用程序。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，向下
至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，
最小驱动器跨导。传播延迟也可用来简化应用在
高频应用。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
功率MOSFET在工作频率高达200伏的高压侧的配置。 Propri-
etary HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片CON-
梁支。
8引脚SOIC
IR2011S
也可用
无铅（的PbF ）
8引脚PDIP
IR2011
典型连接
200V
HIN
LIN
COM
5
HIN
LIN
COM
V
S
HO
V
B
V
CC
4
TO
负载
8
LO
1
V
CC
（请参阅铅作业的正确配置） 。这个/这些图（ S）只显示电气连接。请
请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2011 （S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚DIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚DIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM -0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
250
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+0.3
V
CC
+0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。在VS和COM偏移评级
与偏置电压为15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
200
V
B
20
V
CC
5.5
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-4到+ 200V 。举办了V逻辑状态
S
-4V到-V
BS
.
2
www.irf.com
IR2011 （S） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25°C除非另有规定。图1示出的时序定义。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
DM1
DM2
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
导通延迟匹配|吨
on
（H ） - 吨
on
(L) |
关断延迟匹配|吨
关闭
(H)
- t
关闭
(L) |
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
80
75
35
20
5
5
—
—
50
35
20
20
V
S
= 0V
V
S
= 200V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数是参照
COM ，并适用于所有的逻辑输入线： HIN和LIN 。在V
O
我
O
参数参考COM并
适用于各自的输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
8.2
7.4
8.2
7.4
—
—
—
—
—
—
—
90
140
7.0
—
9.0
8.2
9.0
8.2
1.0
1.0
—
0.7
2.0
0.2
50
210
230
20
1.0
9.8
9.0
V
9.8
9.0
—
—
A
V
O
= 0V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15V,
PW
≤
10
s
A
V
I
O
= 0A
20mA
V
B
=V
S
= 200V
V
IN
= 0V或3.3V
V
IN
= 0V或3.3V
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 0V
V
CC
= 10V - 20V
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3
数据表No.PD60217版本A
IR2011(
S） & （的PbF
)
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
延迟匹配
200V最大。
1.0A /1.0A （典型值） 。
10 - 20V
80 & 60纳秒（典型值） 。
20 ns（最大值） 。
充分运作，高达+ 200V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围从10V到20V
独立的高，低侧通道
输入logicHIN / LIN高电平有效
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
CMOS施密特触发与下拉输入
匹配的传播延迟为两个通道
8引脚SOIC还提供无铅（的PbF ）
应用
D类音频类放大器
高功率DC -DC SMPS转换器
其它高频应用
套餐
描述
该IR2011是一款高功率，具有独立的高高速功率MOSFET驱动器
和低侧参考输出通道，理想的音频D级和DC-DC转换器
应用程序。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，向下
至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，
最小驱动器跨导。传播延迟也可用来简化应用在
高频应用。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
功率MOSFET在工作频率高达200伏的高压侧的配置。 Propri-
etary HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片CON-
梁支。
8引脚SOIC
IR2011S
也可用
无铅（的PbF ）
8引脚PDIP
IR2011
典型连接
200V
HIN
LIN
COM
5
HIN
LIN
COM
V
S
HO
V
B
V
CC
4
TO
负载
8
LO
1
V
CC
（请参阅铅作业的正确配置） 。这个/这些图（ S）只显示电气连接。请
请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2011 （S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚DIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚DIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM -0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
250
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+0.3
V
CC
+0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。在VS和COM偏移评级
与偏置电压为15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
200
V
B
20
V
CC
5.5
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-4到+ 200V 。举办了V逻辑状态
S
-4V到-V
BS
.
2
www.irf.com
IR2011 （S） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25°C除非另有规定。图1示出的时序定义。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
DM1
DM2
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
导通延迟匹配|吨
on
（H ） - 吨
on
(L) |
关断延迟匹配|吨
关闭
(H)
- t
关闭
(L) |
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
80
75
35
20
5
5
—
—
50
35
20
20
V
S
= 0V
V
S
= 200V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数是参照
COM ，并适用于所有的逻辑输入线： HIN和LIN 。在V
O
我
O
参数参考COM并
适用于各自的输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
8.2
7.4
8.2
7.4
—
—
—
—
—
—
—
90
140
7.0
—
9.0
8.2
9.0
8.2
1.0
1.0
—
0.7
2.0
0.2
50
210
230
20
1.0
9.8
9.0
V
9.8
9.0
—
—
A
V
O
= 0V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15V,
PW
≤
10
s
A
V
I
O
= 0A
20mA
V
B
=V
S
= 200V
V
IN
= 0V或3.3V
V
IN
= 0V或3.3V
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 0V
V
CC
= 10V - 20V
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QQ：2880707522 复制
