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IS457
IS457
s
特点
1.高速响应型(T
PHL
: TYP 。为300ns )
2.模式与半导体激光光斑位置偏差
考虑到(探测器尺寸标准:0.5mm X 3.0毫米)
3.集电极开路输出
4.调整角度由外固定电阻的方法
高速响应类型
OPIC光检测器
s
外形尺寸
+
0.2
-
0.1
(单位:毫米)
±
0.2
±
0.3
0.7
4
1
3.0
探测器
中心
0.4
2.5
3.81
0.1
0.25
3
2.75
±0.2
4.4
±
0.1
2.7
+
0.5
2.7
-
0
+0.5
-
0
s
应用
1.激光打印机
2
5.0
±
0.1
1.5
±
4.4
±
0.1
1.07
(R0.2)
5.0
10
±
0.1
10
+0.3
-
0
0.8
+
0.2
-
0.4
10
10
内部连接图
0.15
4
增益电阻( RO)
(外部安装)
1
V
REF
2
3
1
2
3
4
R
O
V
O
GND
V
CC
* OPIC (光学IC )是夏普公司的注册商标。在OPIC由
一个光检测元件和信号处理电路集成在一个芯片上。
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
高电平输出电压
低电平输出电压
工作温度
储存温度
*2
焊接温度
总功耗
滚装码头耗散
*3
入射光强度
*3
辐射强度
*1
(Ta=25C)
符号
V
CC
V
OH
I
OL
T
OPR
T
英镑
T
SOL
P
P
RO
P
I
E
e
等级
- 0.5 + 7
7
40
- 25 + 80
- 40 + 85
260
150
24
5
60
单位
V
V
mA
C
C
C
mW
mW
mW
瓦/平方厘米
2
焊接区
焊接区
* 1 1分钟
* 2对于3秒在右侧图中所示的位置
* 3最大。允许入射光强度和激光束的辐射强度( λ = 780 nm)到检测器
在没有确认元器件规格说明书中,夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备,在目录显示不承担任何责任,
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本。
IS457
s
光电特性
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高水平的电源电流
低电平电源电流
滚装码头失调电压
*4
& QUOT ;高
→ Low"
阈值的照度1
*4
& QUOT ;高
→ Low"
阈值的照度2
"High → Low"门槛入射光强度
"High → Low"传播延迟时间
响应时间
& QUOT ;低
“ High"
传播延迟时间
上升时间
下降时间
符号
I
OH
V
OL
I
CCH
I
CCL
I
OSRO
E
VHL1
E
VHL2
P
国际人道法
t
PHL
t
PLH
t
r
t
f
C
L
= 15pF的,占空比为1 : 1
P
I
=0.2mW,
λ
=780nm
R
O
=一个5.1kΩ ,R
L
=510
条件
R
O
= 51kΩ ,E
v
= 0 LX
I
OL
= 40毫安,E
V
= 1 000 LX
R
O
= 51kΩ ,E
V
= 0 LX
R
O
= 51kΩ ,E
V
= 1 000 LX
R
O
=5.1k
R
O
=51k
R
O
=5.1k
R
O
=5.1k ,
λ
=780nm
分钟。
-
-
-
-
-
250
-
-
-
-
-
-
(V
CC
= 5V ,TA = 25℃)
典型值。
-
0.35
3.0
5.8
8
360
4 500
100
300
300
100
50
马克斯。
100
0.52
6.5
8.6
15
470
-
-
500
500
500
200
单位
A
V
mA
mA
A
lx
lx
W
ns
ns
ns
ns
*4 E
VHL1
, E
VHL2
:照度由CIE标准光源A(钨灯)带来的变化,从"High"到"Low"
s
推荐工作条件
参数
工作电源电压
工作温度
入射光强度(
λ=780
纳米)
获得性
符号
V
cc
T
OPR
P
I
R
O
分钟。
4.5
0
-
0.39
马克斯。
5.5
60
2.5
5.1
单位
V
C
mW
k
以稳定的电源线,连接一个旁路电容的0.1
F
Vcc和GND之间
在不到1厘米的引线的位置。
s
测试电路的响应时间
VCC
Ro
Vo
V
REF
GND
5.1k
0.1
F
Vo
C
L
GND
5.0V
t
PHL
t
PLH
510
0.2mW
5V
P
I
0.1mW
0mW
注意事项1.
L
包括探针 - 线电容。
2.添加一个旁路电容0.1μF的位置
不到1厘米的VCC- GND端子。
V
O
1.5V
IS457
图。 1总功耗对比
环境温度
250
图。 2低电平输出电压 -
低电平输出电流
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Vcc=5V
Ta=25C
总功耗为P(mW )
200
150
100
50
0
- 25
0
25
50
75
100
低电平输出电压V
OL
(V)
10
20
30
40
50
60
70
80
环境温度Ta ( ° C)
低电平输出电流I
OL
(MA )
图。 3低电平输出电压 -
环境温度
Vcc=5V
0.5
图。 4电源电流与电源电压
ICC
L
8
7
Ta=25C
Ro=51k
低电平输出电压V
OL
(V)
0.4
I
OL
=40mA
(MA )
CC
6
5
4
3
2
1
ICC
H
0.2
0.1
供应电流I
0.3
- 25
0
25
50
75
0
4
5
6
7
8
环境温度Ta (C )
电源电压V
CC
(V)
图。 5电源电流与环境温度
8
7
Vcc=5V
Ro=51k
图。 6 "High → Low"门槛
入射光强度与电源电压
200
Ta=25C
Ro=5.1k
"High → Low"门槛事件
光强度P
国际人道法
(
W
)
(MA )
6
5
4
3
2
1
- 25
0
25
50
75
ICC
L
150
供应电流I
CC
100
ICC
H
50
0
4
5
6
7
8
周围温度Ta ( ℃)
电源电压V
CC
( V)
IS457
图。 7传输延迟时间 -
环境温度
t
PHL
图。 8上升,下降时间与环境温度
Vcc=5V
Ro=5.1k
R
L
=510
tr
传播延迟时间t
PLH
, t
PHL
(纳秒)
400
t
PLH
160
140
300
上升,下降时间t
r
, t
f
(纳秒)
120
100
80
60
40
20
- 25
0
25
50
75
tf
200
100
Vcc=5V
Ro=5.1k
R
L
=510
75
- 25
0
25
50
周围温度Ta ( ℃)
周围温度Ta ( ℃)
图。 9光谱灵敏度
100
T
a
= 25C
80
相对灵敏度( % )
60
40
20
0
300
400
500
600
700
800
900 1000
1100
波长
λ
(纳米)
q
请参阅本章"Precautions的Use" 。 (页78至93 )
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    -
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联系人:刘先生
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