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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第589页 > ISL6614ACRZ
ISL6614A
数据表
2005年7月25日
FN9160.2
双路高级同步整流
与预POR过压保护降压MOSFET驱动器
该ISL6614A集成了两个ISL6613A MOSFET驱动器和
是专门用来驱动两个沟道MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。这些驱动程序
结合HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器和N沟道MOSFET构成完整的核 -
稳压器解决方案的先进微处理器。
该ISL6614A同时驱动上下闸
同时在一定范围的从5V至12V 。该驱动器 -
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。
该ISL6614A还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家庭
四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（最高可达1MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介400和417的动力传动系设计，
布局指南，并反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2005年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6614A
订购信息
产品型号
ISL6614ACB*
ISL6614ACBZ*
（见注）
ISL6614ACBZA*
（见注）
ISL6614ACR*
ISL6614ACRZ*
（见注）
ISL6614AIB*
ISL6614AIBZ*
（见注）
ISL6614AIR*
ISL6614AIRZ*
（见注）
温度。
范围（° C）
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC （无铅）
14 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的4×4 QFN
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M14.15
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
1
2
3
4
5
6
7
引脚配置
14 Ld的SOIC
顶视图
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
L16.4x4
PVCC
保护地
LGATE2
16 Ld的4×4 QFN （无铅）
L16.4x4
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的4×4 QFN
M14.15
M14.15
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
11 BOOT1
GND
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LGATE2
7
PHASE2
8
NC
10 BOOT2
9
UGATE2
PWM2
PWM1
15
16 Ld的4×4 QFN （无铅）
L16.4x4
VCC
14
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
16
GND 1
LGATE1 2
2
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
ti
框图
PVCC
VCC
+5V
BOOT1
UGATE1
OTP &
PRE- POR过压保护
特点
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
10K
PVCC
PWM1
8K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
8K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
通道2
PVCC
LGATE2
保护地
PAD
FOR ISL6614ACR ，在底部垫
QFN封装必须被焊接到电路的地。
3
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614A栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
双
司机
ISL6614A
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCC
PHASE1
+12V
BOOT1
+12V
LGATE1
双
司机
ISL6614A
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
GND
保护地
4
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻（注1,2典型值， 3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
9
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
门驱动偏置电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
-
-
7.1
9.7
-
-
mA
mA
上电复位和启用
VCC上升阈值
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
VCC下降阈值
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
PWM输入（参见第8页时序图）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
t
tSSHD
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
500
-460
3.00
2.00
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
-
7.60
-
10.05
10.05
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
数据表
2008年5月5日
FN9160.4
双路高级同步整流
与预POR过压保护降压MOSFET驱动器
该ISL6614A集成了两个ISL6613A MOSFET驱动器和
是专门用来驱动两个沟道MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。这些驱动程序
结合HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器和N沟道MOSFET构成完整的核
稳压器解决方案的先进微处理器。
该ISL6614A同时驱动上下闸
同时在一定范围的从5V至12V 。此驱动器
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。
该ISL6614A还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家庭
四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（最高可达1MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介400和417的动力传动系设计，
布局指南，并反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6614A
订购信息
部分
温度。
部件号标记范围（° C）
ISL6614ACB*
ISL6614ACBZ*
（注）
6614ACB
6614ACBZ
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M14.15
引脚配置
ISL6614ACB ， ISL6614ACBZ ， ISL6614ACBZA ， ISL6614AIB ，
ISL6614AIBZ
14 Ld的SOIC
顶视图
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
LGATE2
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
ISL6614ACBZA * 6614ACBZ
（注）
ISL6614ACR*
ISL6614ACRZ*
（注）
ISL6614AIB*
ISL6614AIBZ*
（注）
ISL6614AIR*
ISL6614AIRZ*
（注）
66 14ACR
66 14ACRZ
6614AIB
6614AIBZ
66 14AIR
66 14AIRZ
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
（无铅）
M14.15
M14.15
-40到+85 14 Ld的SOIC
-40到+85 14 Ld的SOIC
（无铅）
-40到+85 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
-40到+85 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
（无铅）
ISL6614ACR ， ISL6614ACRZ ， ISL6614AIR ， ISL6614AIRZ
16 Ld的4×4 QFN
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
11 BOOT1
GND
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LGATE2
7
PHASE2
8
NC
10 BOOT2
9
UGATE2
PWM2
PWM1
15
VCC
14
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347的细节
卷筒规格。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料
和100 ％雾锡板加退火 - E3终止完成，这
符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容
焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL在有铅
达到或超过了无铅无峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
16
GND 1
LGATE1 2
2
FN9160.4
2008年5月5日
ISL6614A
框图
ti
PVCC
VCC
BOOT1
UGATE1
+5V
PRE- POR过压保护
特点
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
10k
PVCC
PWM1
8k
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10k
PWM2
8k
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
通道2
PVCC
LGATE2
保护地
PAD
FOR ISL6614ACR ，在底部垫
QFN封装必须被焊接到电路的地。
3
FN9160.4
2008年5月5日
ISL6614A
典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614A栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
双
司机
ISL6614A
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCC
PHASE1
+12V
BOOT1
+12V
LGATE1
双
司机
ISL6614A
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
GND
保护地
4
FN9160.4
2008年5月5日
ISL6614A
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
8.5
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
门驱动偏置电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
-
-
7.1
9.7
-
-
mA
mA
上电复位和启用
VCC上升阈值
0 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
VCC下降阈值
0 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PWM输入（参见“时序图”第8页）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关机拖延时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
V
CC
= 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
-
-
-
500
-460
3.00
2.00
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
26
18
18
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
-
7.60
-
10.05
10.05
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9160.4
2008年5月5日
ISL6614A
数据表
2005年7月25日
FN9160.2
双路高级同步整流
与预POR过压保护降压MOSFET驱动器
该ISL6614A集成了两个ISL6613A MOSFET驱动器和
是专门用来驱动两个沟道MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。这些驱动程序
结合HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器和N沟道MOSFET构成完整的核 -
稳压器解决方案的先进微处理器。
该ISL6614A同时驱动上下闸
同时在一定范围的从5V至12V 。该驱动器 -
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。
该ISL6614A还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家庭
四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（最高可达1MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介400和417的动力传动系设计，
布局指南，并反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2005年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6614A
订购信息
产品型号
ISL6614ACB*
ISL6614ACBZ*
（见注）
ISL6614ACBZA*
（见注）
ISL6614ACR*
ISL6614ACRZ*
（见注）
ISL6614AIB*
ISL6614AIBZ*
（见注）
ISL6614AIR*
ISL6614AIRZ*
（见注）
温度。
范围（° C）
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC （无铅）
14 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的4×4 QFN
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M14.15
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
1
2
3
4
5
6
7
引脚配置
14 Ld的SOIC
顶视图
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
L16.4x4
PVCC
保护地
LGATE2
16 Ld的4×4 QFN （无铅）
L16.4x4
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的4×4 QFN
M14.15
M14.15
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
11 BOOT1
GND
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LGATE2
7
PHASE2
8
NC
10 BOOT2
9
UGATE2
PWM2
PWM1
15
16 Ld的4×4 QFN （无铅）
L16.4x4
VCC
14
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
16
GND 1
LGATE1 2
2
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
ti
框图
PVCC
VCC
+5V
BOOT1
UGATE1
OTP &
PRE- POR过压保护
特点
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
10K
PVCC
PWM1
8K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
8K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
通道2
PVCC
LGATE2
保护地
PAD
FOR ISL6614ACR ，在底部垫
QFN封装必须被焊接到电路的地。
3
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614A栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
双
司机
ISL6614A
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCC
PHASE1
+12V
BOOT1
+12V
LGATE1
双
司机
ISL6614A
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
GND
保护地
4
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻（注1,2典型值， 3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
9
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
门驱动偏置电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
-
-
7.1
9.7
-
-
mA
mA
上电复位和启用
VCC上升阈值
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
VCC下降阈值
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
PWM输入（参见第8页时序图）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
t
tSSHD
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
500
-460
3.00
2.00
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
-
7.60
-
10.05
10.05
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9160.2
2005年7月25日
ISL6614A
数据表
2006年1月3日
FN9160.3
双路高级同步整流
与预POR过压保护降压MOSFET驱动器
该ISL6614A集成了两个ISL6613A MOSFET驱动器和
是专门用来驱动两个沟道MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。这些驱动程序
结合HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器和N沟道MOSFET构成完整的核 -
稳压器解决方案的先进微处理器。
该ISL6614A同时驱动上下闸
同时在一定范围的从5V至12V 。该驱动器 -
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。
该ISL6614A还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家庭
四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（最高可达1MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介400和417的动力传动系设计，
布局指南，并反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6614A
订购信息
部分
温度。
部件号标记范围（° C）
ISL6614ACB*
ISL6614ACBZ*
（见注）
6614ACB
6614ACBZ
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M14.15
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
LGATE2
1
2
3
4
5
6
7
引脚配置
14 Ld的SOIC
顶视图
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
ISL6614ACBZA * 6614ACBZ
（见注）
ISL6614ACR*
ISL6614ACRZ*
（见注）
ISL6614AIB*
ISL6614AIBZ*
（见注）
ISL6614AIR*
ISL6614AIRZ*
（见注）
6614ACR
6614ACRZ
6614AIB
6614AIBZ
6614AIR
6614AIRZ
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
（无铅）
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
M14.15
M14.15
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
（无铅）
16 Ld的4×4 QFN
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
11 BOOT1
GND
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LGATE2
7
PHASE2
8
NC
10 BOOT2
9
UGATE2
PWM2
PWM1
15
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
16
GND 1
LGATE1 2
2
VCC
14
FN9160.3
2006年1月3日
ISL6614A
ti
框图
PVCC
VCC
BOOT1
UGATE1
+5V
PRE- POR过压保护
特点
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
10K
PVCC
PWM1
8K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
8K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
通道2
PVCC
LGATE2
保护地
PAD
FOR ISL6614ACR ，在底部垫
QFN封装必须被焊接到电路的地。
3
FN9160.3
2006年1月3日
ISL6614A
典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614A栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
双
司机
ISL6614A
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCC
PHASE1
+12V
BOOT1
+12V
LGATE1
双
司机
ISL6614A
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
GND
保护地
4
FN9160.3
2006年1月3日
ISL6614A
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻（注1,2典型值， 3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
9
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
门驱动偏置电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
-
-
7.1
9.7
-
-
mA
mA
上电复位和启用
VCC上升阈值
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
VCC下降阈值
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
PWM输入（参见第8页时序图）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
t
tSSHD
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
500
-460
3.00
2.00
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
-
7.60
-
10.05
10.05
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9160.3
2006年1月3日
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IN74AC651DW
IDT71321SA55J
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