数据表号PD60195 -D
IR2010(
S
） & （的PbF ）
特点
高端和低端驱动器
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
延迟匹配
200V最大。
3.0A / 3.0A （典型值） 。
10 - 20V
95 & 65纳秒（典型值） 。
15 ns（最大值） 。
设计为引导操作浮动通道
全面运行至200V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
关闭输入关闭两个通道
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
也可用LEAD -FREE
应用
D类音频类放大器
高功率DC -DC SMPS转换器
其它高频应用
套餐
描述
该IR2010是一款高功率，高电压，高速功率MOSFET和IGBT
具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于音频驱动程序
D类和DC-DC转换器的应用程序。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出，下降到3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级，最小驱动器跨导。 DE-传播
千红进行匹配，以简化在高频应用中使用。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧的配置
化其工作频率高达200伏。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技
nologies使坚固耐用的单片式结构。
14引脚PDIP
16引脚SOIC
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
200V
TO
负载
（请参阅铅作业的正确配置） 。这个/这些图（ S）只显示电气连接。
请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2010(
S
） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
225
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.6
1.25
75
100
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置在15V的差分。典型
在其他的偏置条件的评分示于图24和图25 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
+ 3
-5 （注2 ）
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
200
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-4到+ 200V 。举办了V逻辑状态
S
-4V到-V
BS
.
注2 ：当V
DD
< 5V，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD.
（请参考设计提示DT97-3了解更多详情） 。
2
www.irf.com
IR2010(
S
） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。动态
电特性是使用图3中所示的测试电路进行测量。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
7
8
9
10
11
6
50
30
35
—
—
—
95
65
70
10
15
—
135
105
105
20
25
15
V
S
= 0V
V
S
= 200V
V
S
= 200V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数
是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。在V
O
我
O
参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
12
13
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
9.5
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.5
7.0
2.5
2.5
—
—
—
—
—
—
—
70
100
1
20
—
8.6
8.2
8.6
8.2
3.0
3.0
—
6.0
—
1
1.0
0.1
50
210
230
5
40
1.0
9.7
9.4
9.7
9.4
—
—
A
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW
≤
10
s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW
≤
10
s
V
A
V
V
DD
= 15V
V
DD
= 3.3V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
=V
S
= 200V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
www.irf.com
3
数据表号PD60195 -D
IR2010(
S
） & （的PbF ）
特点
高端和低端驱动器
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
延迟匹配
200V最大。
3.0A / 3.0A （典型值） 。
10 - 20V
95 & 65纳秒（典型值） 。
15 ns（最大值） 。
设计为引导操作浮动通道
全面运行至200V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
关闭输入关闭两个通道
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
也可用LEAD -FREE
应用
D类音频类放大器
高功率DC -DC SMPS转换器
其它高频应用
套餐
描述
该IR2010是一款高功率，高电压，高速功率MOSFET和IGBT
具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于音频驱动程序
D类和DC-DC转换器的应用程序。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出，下降到3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级，最小驱动器跨导。 DE-传播
千红进行匹配，以简化在高频应用中使用。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧的配置
化其工作频率高达200伏。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技
nologies使坚固耐用的单片式结构。
14引脚PDIP
16引脚SOIC
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
200V
TO
负载
（请参阅铅作业的正确配置） 。这个/这些图（ S）只显示电气连接。
请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2010(
S
） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
225
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.6
1.25
75
100
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置在15V的差分。典型
在其他的偏置条件的评分示于图24和图25 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
+ 3
-5 （注2 ）
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
200
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-4到+ 200V 。举办了V逻辑状态
S
-4V到-V
BS
.
注2 ：当V
DD
< 5V，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD.
（请参考设计提示DT97-3了解更多详情） 。
2
www.irf.com
IR2010(
S
） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。动态
电特性是使用图3中所示的测试电路进行测量。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
7
8
9
10
11
6
50
30
35
—
—
—
95
65
70
10
15
—
135
105
105
20
25
15
V
S
= 0V
V
S
= 200V
V
S
= 200V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数
是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。在V
O
我
O
参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
12
13
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
9.5
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.5
7.0
2.5
2.5
—
—
—
—
—
—
—
70
100
1
20
—
8.6
8.2
8.6
8.2
3.0
3.0
—
6.0
—
1
1.0
0.1
50
210
230
5
40
1.0
9.7
9.4
9.7
9.4
—
—
A
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW
≤
10
s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW
≤
10
s
V
A
V
V
DD
= 15V
V
DD
= 3.3V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
=V
S
= 200V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
www.irf.com
3
QQ：2880707522 复制
