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MOSFET
金属?氧化物?半导体?场?效果?晶体管
CoolMOSC7
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPP65R045C7
数据?表
Rev.2.0
最终科幻
电源?管理? & ?多元化
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPP65R045C7
1Description
的CoolMOS ?是?一?革命?技术?的?高?压?电源
MOSFET的?设计?按?以?的?超结? ( SJ ) ?原理?和
首创?用?英飞凌?技术。
CoolMOSC7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ
MOSFET ?供应商?与?高?级?创新?的?品?产品组合
提供的?所有?好处?快?交换?超结? MOSFET的?发行
更好?效率, ?减少?门?充, ?容易吗?执行?和
优秀的?可靠性。
TO-220
TAB
特点
?增加多少? MOSFET ? dv / dt的?耐用
?更好?效率?因?什么?最好的?在?级? FOM ·R
DS ( ON)
*E
OSS
和R
DS ( ON)
*Q
g
?最?的?类·R
DS ( ON)
? /包
?容易吗?到?使用/驱动器
?无铅?镀?卤素?免费的?模?复合
QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20
andJESD22)
引脚2 ,选项卡
销1
来源
3脚
好处
?启用?高?系统?效率
?启用?高?频? / ?增加?权力?密度?解决方案
?系统?成本? / ?大小?储蓄?因?为?降低?冷却?要求
?高?系统?可靠性?因?以?下?工作?温度
应用
PFC ?期? ,并?硬?交换? PWM ?期?的?例如: ?计算?服务器,
电信? UPS ?和?太阳。
?请注意: ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?对于MOSFET并联使用铁氧体磁珠上的门
还是?分开?图腾?极?是?一般?推荐。
Table1KeyPerformanceParameters
参数
V
DS
@ T
, MAX
R
DS ( ON) ,最大
Q
g.typ
I
D,脉冲
E
OSS
@400V
体二极管的di / dt
类型? / ?订货?代码
IPP65R045C7
价值
700
45
93
212
11.7
80
PG- 220
单位
V
m
nC
A
J
A / μs的
记号
65C7045
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见附录A
最终数据手册
2
Rev.2.0,2013-04-18
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPP65R045C7
目录表?
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
热特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
电气特性图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装纲要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
免责声明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
最终数据手册
3
Rev.2.0,2013-04-18
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPP65R045C7
2Maximumratings
在?吨
j
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
雪崩能量,重复
雪崩电流,单脉冲
MOSFET的dv / dt坚固
栅极 - 源极电压(静态)
栅极 - 源极电压(动态)
功耗
储存温度
工作结温
安装力矩
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
最大的二极管整流速度
绝缘耐压
符号
I
D
I
D,脉冲
E
AS
E
AR
I
AS
dv / dt的
V
GS
V
GS
P
合计
T
英镑
T
j
-
I
S
I
S,脉冲
dv / dt的
di
f
/ DT
V
ISO
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-55
-55
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
46
29
212
249
1.25
12.0
100
20
30
227
150
150
60
46
212
1.5
80
不适用
单位
A
A
mJ
mJ
A
V / ns的
V
V
W
°C
°C
A
A
V / ns的
V
注意: ? / ?测试?条件
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
I
D
= 12A ; V
DD
=50V
I
D
= 12A ; V
DD
=50V
-
V
DS
=0...400V
静电;
AC( f>1赫兹)
T
C
=25°C
-
-
T
C
=25°C
T
C
=25°C
V
DS
=0...400V,I
SD
< = I
S
,T
j
=25°C
V
RMS
,T
C
=25°C,t=1min
NCM M3和M3.5螺丝
A / μs的
V
DS
=0...400V,I
SD
< = I
S
,T
j
=25°C
限制T
j max的情况
.
脉冲宽度t
p
限制T
, MAX
3)
?同?低?方? ,并?高?边?转?与?相同·R
G
2)
1)
最终数据手册
4
Rev.2.0,2013-04-18
650VCoolMOSC7PowerTransistor
IPP65R045C7
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
参数
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境
热阻,结 - 环境
对于SMD版
焊接温度,波峰焊接
只允许在引线
符号
R
thJC
R
thJA
R
thJA
T
出售
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.55
62
-
260
单位
注意: ? / ?测试?条件
° C / W -
° C / W含铅
° C / W不适用
°C
1.6毫米( 0.063英寸)从案例
10s
最终数据手册
5
Rev.2.0,2013-04-18
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    -
    -
    -
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TO220
假一赔十进口全新原装现货
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7890
TO-220-3
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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原装正品现货
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