650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPA65R190E6 ， IPB65R190E6
IPI65R190E6 ， IPP65R190E6
IPW65R190E6
1
描述
的CoolMOS 是一项革命性的技术，用于高压功率
的MOSFET ，根据超结（ SJ ）原理而设计
并率先通过英飞凌科技。的CoolMOS E6系列
结合了领先SJ MOSFET供应商与经验
高级的创新。所提供的设备提供的所有好处
快速开关SJ MOSFET ，同时不牺牲易用性。
极低的开关损耗和传导损耗使开关
应用更高效，更紧凑，更轻，冷却。
特点
极低造成的损失非常低的FOM
DSON
*Q
g
与ê
OSS
极高的耐用性减刑
易于使用/驱动器
JEDEC
1)
合格的无铅电镀，无卤素
门
销1
漏
销2
应用
PFC级，硬开关PWM阶段，谐振开关
PWM级的如PC Silverbox ，适配器， LCD & PDP电视，
灯光，服务器，电信和UPS 。
请注意：对于并联的MOSFET上使用铁氧体磁珠
栅或单独的图腾柱通常建议。
表1
参数
主要性能参数
价值
700
0.19
73
66
5.9
500
包
PG-TO247
PG-TO263
PG-TO262
PG-TO220
PG- TO220 FULLPAK
65E6190
单位
V
nC
A
J
A / μs的
记号
相关链接
IFX的CoolMOS网页
IFX设计工具
来源
3脚
V
DS
@
T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
I
D，脉冲
E
OSS
@ 400V
体二极管D
i
/d
t
类型/订货代码
IPW65R190E6
IPB65R190E6
IPI65R190E6
IPP65R190E6
IPA65R190E6
1 ） J- STD20和JESD22
最终数据手册
2
2.0版本， 2011-05-13
650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPx65R190E6
目录
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1
描述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
目录
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2
3
4
5
6
7
8
最大额定值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
热特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
电气特性图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
修订历史
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
最终数据手册
3
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650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPx65R190E6
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
雪崩电流，重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
的TO-220 ，TO- 247 ，TO- 262 ，TO- 263
功耗
的TO-220 FULLPAK
工作和存储温度
安装力矩
的TO-220 ，TO- 247
安装力矩
的TO-220 FULLPAK
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
I
S
I
S，脉冲
dv / dt的
-
-
-
-
-
-
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-
-55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
20.2
12.8
66
485
0.73
3.5
50
20
30
151
34
150
60
50
17.5
66
15
500
A
A
V / ns的
A / μs的
°C
NCM
M3和M3.5螺丝
M2.5螺丝
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
= 0 ... 400 V，I
SD
I
D
,
T
j
=25 °C
W
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 3.5 A，V
DD
=50 V
I
D
= 3.5 A，V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
最大的二极管整流
di
f
/ DT
3)
速度
1 ）通过有限
T
，最大值
最大占空比D = 0.75
2 ）脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
3 ）相同的偏低和具有相同的高边开关
R
G
最终数据手册
4
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650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPx65R190E6
热特性
3
热特性
表3
参数
热特性的非FULLPAK
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
0.83
62
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
单位
注意： /
测试条件
热阻，结 - 案
R
thJC
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在
LEADS
表4
参数
R
thJA
T
出售
热特性FULLPAK
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
3.7
80
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
单位
注意： /
测试条件
热阻，结 - 案
R
thJC
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在
LEADS
表5
参数
R
thJA
T
出售
热特性SMD
符号
分钟。
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
0.83
62
° C / W
SMD版本，设备
在PCB上，最小的
脚印
SMD版本，设备
在PCB上， 6厘米
2
冷却
区域
1)
°C
回流焊MSL1
单位
注意： /
测试条件
热阻，结 - 案
R
thJC
热阻，结 -
环境
R
thJA
-
35
-
焊接温度，
波&回流焊允许
T
出售
-
-
260
1 ）设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米一层环氧树脂FR4 PCB与6厘米
2
铜面积（厚度为70μm ）的漏极连接点。
PCB是垂直的无气流冷却。
最终数据手册
5
2.0版本， 2011-05-13
QQ：2880707522 复制
