快速
4K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7134SA/LA
产品特点：
高速访问
- 军事：三十五分之二十五/ 45/ 55 / 70ns的（最大）
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
低功耗运行
- IDT7134SA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7134LA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
有几个流行的密封塑料包
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试军用电气规范
描述：
的IDT7134的是一个高速4K ×8双端口静态RAM
设计的系统中使用，其中片上硬件端口
不需要仲裁。这部分适合于那些
不能忍受等待状态或设计的系统
能够从外部进行仲裁或承受争用时
双方同时访问相同的双端口RAM的
位置。
该IDT7134提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。这是用户的责任，以确保数据的完整性
当同时访问相同的存储器位置
从两个端口。自动断电功能，控制
by
CE
时，可允许芯片上的电路的每个端口的一个非常进入
低待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这些双端口通常在只有500mW的
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个端口的典型功耗为200μW
从2V电池。
该IDT7134包装上无论是sidebraze或塑料
48引脚DIP ，48引脚LCC ， 52引脚PLCC和48引脚陶瓷
扁平。军工级产品符合生产
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
CE
L
CE
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2720 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2720/4
6.04
1
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
N / C
R/
L
N / C
A
11R
R/
L
A
11L
A
10L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
W
OE
L
I / O
4L
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
4R
I / O
5R
2720 DRW 02
I / O
3R
I / O
6R
I / O
6L
I / O
7L
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
41
9 IDT7134 40
10 P48–1 39
＆放大器;
11
38
C48–2 37
12
DIP
13
36
14
35
顶部
15查看
(3)
34
16
33
17
32
18
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
CE
R
A
0L
CE
L
R/
R
A
11R
A
10R
W
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
4 3
2
OE
R
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
R/
V
CC
A
10R
A
10L
A
11L
CE
R
OE
L
V
CC
CE
L
W
R
W
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
IDT7134
J52-1
PLCC
俯视图（ 3 ）
41
40
39
38
37
36
19
35
34
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
2720 DRW 03
A
10L
A
11L
R/
L
W
R
A
11R
A
10R
V
CC
A
0L
OE
R
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
V
TERM
(2)
端电压
对于
对地
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
OE
L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
1
7
42
8
41
9
40
10
39
IDT7134
11
38
L48-1
＆放大器;
12
37
F48-1
LCC /扁平
13
36
14
35
顶视图
(3)
15
34
16
33
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
3L
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
5
L
6 5 4 3 2
48 47 46 45 44 43
R/
指数
CE
R
CE
L
W
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.5
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.5
50
°C
°C
°C
W
mA
2720 TBL 01
2720 DRW 04
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文不表示实际部件标记的方向。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
最大10纳秒，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+0.5V.
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
2720 TBL 02
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V和3V至0V 。
6.04
2
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2720 TBL 03
建议的直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2720 TBL 04
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
DC电气特性在
工作温度和电源电压
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT7134SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
0.5
—
IDT7134LA
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
0.5
—
单位
A
A
V
V
V
2720 TBL 05
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7134X20
(4)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
I
SB1
待机电流
（这两个端口， TTL
电平输入）
I
SB2
待机电流
（一个端口， TTL
电平输入）
I
SB3
测试条件
7134X25
7134X35
7134X45
7134X55
7134X70
版的典型。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
米尔。
S
L
—
—
170
170
—
—
25
25
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
105
105
—
—
280
240
—
—
110
80
—
—
180
150
—
—
15
4.5
—
—
170
130
160
160
160
160
25
25
25
25
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
95
95
95
95
310 150
260 150
280 150
220 150
100
80
80
50
210
170
180
140
30
10
15
4.0
210
150
170
120
25
25
25
25
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
300 140
250 140
260 140
210 140
75
55
75
45
200
160
170
130
30
10
15
4.0
190
130
160
110
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
280
240
240
200
70
50
70
40
190
150
160
130
30
10
15
4.0
180
120
150
100
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
270
220
240
200
70
50
70
40
180
150
160
130
30
10
15
4.0
170
120
150
100
140 270
140 220
140 240
140 200
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
70
50
70
40
180
150
160
130
30
10
15
4.0
170
120
150
100
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
输出打开
f = f
MAX(3)
COM'L 。 S
L
S
L
CE
L
和
CE
R
= V
IH
米尔。
f = f
MAX(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
有源端口输出COM'L 。 S
开放式中，f = F
MAX(3)
L
S
L
全待机电流两个端口
CE
L
和MIL 。
（这两个端口 - 所有
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(3)
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
I
SB4
全待机电流的一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
（一个端口，所有
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
≥
V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或COM'L 。 S
L
V
IN
≤
0.2V
有源端口输出
开放式中，f = F
MAX(3)
注意事项：
2720 TBL 06
在部件编号1 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C的典型，而参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3.
4. （商业专用） 0 ° C至+ 70 °C温度范围。
6.04
3
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
数据保持特性在所有温度范围
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
测试条件
V
CC
= 2V
分钟。
2.0
米尔。
Com'l 。
—
—
0
t
RC(2)
典型值。
(1)
—
100
100
—
—
马克斯。
—
4000
1500
—
—
ns
ns
2720 TBL 07
单位
V
A
CE
≥
V
HC
V
IN
≥
V
HC
或< V
LC
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数由器件特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
2720 DRW 05
CE
V
IH
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2720 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF的*
2720 DRW 06
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
2720 DRW 07
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
6.04
4
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
7134X20
(3)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
20
—
—
—
0
0
—
0
—
—
20
20
15
—
—
15
—
20
25
—
—
—
0
0
—
0
—
—
25
25
15
—
—
15
—
25
35
—
—
—
0
0
—
0
—
—
35
35
20
—
—
20
—
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
分钟。
马克斯。
7134X25
分钟。
马克斯。
7134X35
分钟。
马克斯。
单位
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
（续）
7134X45
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
45
—
—
—
0
5
—
0
—
—
45
45
25
—
—
20
—
45
55
—
—
—
0
5
—
0
—
—
55
55
30
—
—
25
—
50
70
—
—
—
0
5
—
0
—
—
70
70
40
—
—
30
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2720 TBL 09
7134X55
分钟。
马克斯。
7134X70
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出测试负载（图2）。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3. （商业专用） 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
在部件编号4 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
读周期第1 ，任何一方的时序波形
(1, 2, 3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
t
OH
数据有效
2720 DRW 08
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE
or
CE
.
2.时间取决于该信号拉高第一，
OE
or
CE
.
3. R/
W
= V
IH
.
6.04
5
快速
4K ×8双端口
静态RAM与SEMAPHORE
集成设备技术有限公司
IDT71342SA/LA
产品特点：
高速访问
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
低功耗运行
- IDT71342SA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT71342LA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供塑料封装
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
该IDT71342是一个非常高速的4K ×8双端口
全片上硬件支持信号量的静态RAM
在两个端口之间的信令。
该IDT71342提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。为了帮助港口之间进行仲裁，全
独立的信号的逻辑块被设置。此块
包含可以通过访问未分配的标志
侧;然而，仅在一侧可以在任何时间控制标志。
自动断电功能，通过控制
CE
和
SEM
,
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
待机功耗模式（包括
CE
和
SEM
HIGH ） 。
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这种设备通常运行在仅500mW的
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个端口的典型功耗为200μW
从2V电池。该器件封装在任一个64针
TQFP ，薄型四方扁平封装塑料，或52引脚PLCC 。
功能框图
R/
W
L
CE
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
内存
ARRAY
SEMAPHORE
逻辑
SEM
L
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
右侧
地址
解码
逻辑
SEM
R
A
0R
- A
11R
2721 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2721/4
6.05
1
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
SEM
L
SEM
R
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
W
R
W
L
A
11R
A
10R
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
4 3
2
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
V
TERM
(2)
端电压
对于
对地
A
10L
A
11L
A
0L
CE
R
OE
L
CE
L
V
CC
R/
R/
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.5
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.5
50
°C
°C
°C
W
mA
IDT71342
J52-1
PLCC
(3)
顶视图
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
2721 DRW 02
注意事项：
2721 TBL 01
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
最大10纳秒，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+0.5V.
I / O
4L
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
SEM
R
SEM
L
W
R
R/
L
A
11R
A
10R
N / C
N / C
N / C
N / C
A
10L
A
11L
V
CC
N / C
R/
CE
R
CE
L
W
I / O
6R
I / O
6L
I / O
7L
指数
电容
(1)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
71342
PN64-1
64引脚TQFP
(3)
顶视图
注意事项：
2721 TBL 02
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V和3V至0V 。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
5.0V
±
10%
2721 TBL 03
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
2721 DRW 03
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
建议的直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2721 TBL 04
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
6.05
2
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT71342SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
0.5
—
IDT71342LA
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
0.5
—
单位
A
A
V
V
V
2721 TBL 05
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
71342X20
符号
ICC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
ICC1
工作动态
当前
（信号灯
双侧）
待机电流
（这两个端口， TTL
电平输入）
待机电流
（一个端口， TTL
电平输入）
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
测试条件
VERSION
COM'L 。 S
L
71342X25
—
—
280
240
71342X35
—
—
260
220
71342X45
—
—
240
200
71342X55 71342X70
—
—
240
200
—
—
240
200
mA
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
—
—
280
240
CE
= V
IL
输出打开
SEM
=不关心
f = f
最大
(3)
CE
= V
IH
COM'L 。 S
—
—
280
240
—
—
200
170
—
—
185
155
—
—
170
140
—
—
170
140
—
—
170
140
mA
ISB1
输出打开
L
SEM
＆ LT ; V
IL
f = f
最大
(3)
CE
L
和
CE
R
= V
IH
COM'L 。 S
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
IH
L
f = f
最大
(3)
25
25
—
—
80
80
180
150
25
25
—
—
80
50
180
150
25
25
—
—
75
45
170
140
25
25
—
—
70
40
160
130
25
25
—
—
70
40
160
130
25
25
—
—
70
40
160
130
mA
ISB2
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
COM'L 。 S
L
mA
ISB3
ISB4
全待机电流
（一个端口，所有
CMOS电平输入）
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(3)
这两个端口
CE
L
和COM'L 。 S
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V ， F = 0
(4)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
COM'L 。 S
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(3)
1.0
0.2
15
4.5
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
mA
—
—
170
140
—
—
170
140
—
—
150
130
—
—
150
120
—
—
150
120
—
—
150
120
mA
注意事项：
在部件编号1 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C典型值，参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3.
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
2721 TBL 06
6.05
3
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
数据保持特性
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
测试条件
—
V
CC
= 2V,
CE
≥
V
HC
Com'l 。
分钟。
2.0
—
典型值。
(1)
—
100
马克斯。
—
1500
单位
V
A
SEM
≥
V
HC
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
IN
≥
V
HC
or
≤
V
LC
0
t
RC(2)
—
—
—
—
ns
ns
2721 TBL 07
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
2721 DRW 04
CE
V
IH
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2721 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF
2721 DRW 05
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
2721 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
6.05
4
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
71342X20
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
WDD
t
DDD
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
SEM标志更新脉冲（
OE
or
SEM
)
写脉冲数据延迟
(4)
写数据有效读取数据的延迟
(4)
旗语地址访问时间
20
—
—
—
0
0
—
0
—
—
—
—
—
—
20
20
15
—
—
15
—
50
—
40
30
—
25
—
—
—
0
0
—
0
—
10
—
—
—
—
25
25
15
—
—
15
—
50
—
50
30
25
35
—
—
—
0
0
—
0
—
15
—
—
—
—
35
35
20
—
—
20
—
50
—
60
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2721 TBL 09
71342X25
分钟。
马克斯。
71342X35
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
（续）
71342X45
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
WDD
t
DDD
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
SEM标志更新脉冲（
OE
or
写脉冲数据延迟
(4)
写数据有效读取数据的延迟
(4)
旗语地址访问时间
45
—
—
—
0
5
—
0
—
15
—
—
—
—
45
45
25
—
—
20
—
50
—
70
45
45
55
—
—
—
0
5
—
0
—
20
—
—
—
—
55
55
30
—
—
25
—
50
—
80
55
55
70
—
—
—
0
5
—
0
—
20
—
—
—
—
70
70
40
—
—
30
—
50
—
90
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2721 TBL 10
71342X55
分钟。
马克斯。
71342X70
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
SEM
)
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出继电器测试负载（图2）。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.要访问的RAM ，
CE
= V
白细胞介素，
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和
SEM
= V
IL
.
在部件编号4 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
6.05
5
快速
4K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7134SA/LA
产品特点：
高速访问
- 军事：三十五分之二十五/ 45/ 55 / 70ns的（最大）
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
低功耗运行
- IDT7134SA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7134LA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
有几个流行的密封塑料包
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试军用电气规范
描述：
的IDT7134的是一个高速4K ×8双端口静态RAM
设计的系统中使用，其中片上硬件端口
不需要仲裁。这部分适合于那些
不能忍受等待状态或设计的系统
能够从外部进行仲裁或承受争用时
双方同时访问相同的双端口RAM的
位置。
该IDT7134提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。这是用户的责任，以确保数据的完整性
当同时访问相同的存储器位置
从两个端口。自动断电功能，控制
by
CE
时，可允许芯片上的电路的每个端口的一个非常进入
低待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这些双端口通常在只有500mW的
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个端口的典型功耗为200μW
从2V电池。
该IDT7134包装上无论是sidebraze或塑料
48引脚DIP ，48引脚LCC ， 52引脚PLCC和48引脚陶瓷
扁平。军工级产品符合生产
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
CE
L
CE
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2720 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2720/4
6.04
1
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
N / C
R/
L
N / C
A
11R
R/
L
A
11L
A
10L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
W
OE
L
I / O
4L
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
4R
I / O
5R
2720 DRW 02
I / O
3R
I / O
6R
I / O
6L
I / O
7L
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
41
9 IDT7134 40
10 P48–1 39
＆放大器;
11
38
C48–2 37
12
DIP
13
36
14
35
顶部
15查看
(3)
34
16
33
17
32
18
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
CE
R
A
0L
CE
L
R/
R
A
11R
A
10R
W
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
4 3
2
OE
R
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
R/
V
CC
A
10R
A
10L
A
11L
CE
R
OE
L
V
CC
CE
L
W
R
W
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
IDT7134
J52-1
PLCC
俯视图（ 3 ）
41
40
39
38
37
36
19
35
34
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
2720 DRW 03
A
10L
A
11L
R/
L
W
R
A
11R
A
10R
V
CC
A
0L
OE
R
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
V
TERM
(2)
端电压
对于
对地
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
OE
L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
1
7
42
8
41
9
40
10
39
IDT7134
11
38
L48-1
＆放大器;
12
37
F48-1
LCC /扁平
13
36
14
35
顶视图
(3)
15
34
16
33
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
3L
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
5
L
6 5 4 3 2
48 47 46 45 44 43
R/
指数
CE
R
CE
L
W
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.5
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.5
50
°C
°C
°C
W
mA
2720 TBL 01
2720 DRW 04
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文不表示实际部件标记的方向。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
最大10纳秒，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+0.5V.
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
2720 TBL 02
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V和3V至0V 。
6.04
2
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2720 TBL 03
建议的直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2720 TBL 04
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
DC电气特性在
工作温度和电源电压
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT7134SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
0.5
—
IDT7134LA
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
0.5
—
单位
A
A
V
V
V
2720 TBL 05
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7134X20
(4)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
I
SB1
待机电流
（这两个端口， TTL
电平输入）
I
SB2
待机电流
（一个端口， TTL
电平输入）
I
SB3
测试条件
7134X25
7134X35
7134X45
7134X55
7134X70
版的典型。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
米尔。
S
L
—
—
170
170
—
—
25
25
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
105
105
—
—
280
240
—
—
110
80
—
—
180
150
—
—
15
4.5
—
—
170
130
160
160
160
160
25
25
25
25
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
95
95
95
95
310 150
260 150
280 150
220 150
100
80
80
50
210
170
180
140
30
10
15
4.0
210
150
170
120
25
25
25
25
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
300 140
250 140
260 140
210 140
75
55
75
45
200
160
170
130
30
10
15
4.0
190
130
160
110
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
280
240
240
200
70
50
70
40
190
150
160
130
30
10
15
4.0
180
120
150
100
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
270
220
240
200
70
50
70
40
180
150
160
130
30
10
15
4.0
170
120
150
100
140 270
140 220
140 240
140 200
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
70
50
70
40
180
150
160
130
30
10
15
4.0
170
120
150
100
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
输出打开
f = f
MAX(3)
COM'L 。 S
L
S
L
CE
L
和
CE
R
= V
IH
米尔。
f = f
MAX(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
有源端口输出COM'L 。 S
开放式中，f = F
MAX(3)
L
S
L
全待机电流两个端口
CE
L
和MIL 。
（这两个端口 - 所有
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(3)
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
I
SB4
全待机电流的一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
（一个端口，所有
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
≥
V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或COM'L 。 S
L
V
IN
≤
0.2V
有源端口输出
开放式中，f = F
MAX(3)
注意事项：
2720 TBL 06
在部件编号1 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C的典型，而参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3.
4. （商业专用） 0 ° C至+ 70 °C温度范围。
6.04
3
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
数据保持特性在所有温度范围
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
测试条件
V
CC
= 2V
分钟。
2.0
米尔。
Com'l 。
—
—
0
t
RC(2)
典型值。
(1)
—
100
100
—
—
马克斯。
—
4000
1500
—
—
ns
ns
2720 TBL 07
单位
V
A
CE
≥
V
HC
V
IN
≥
V
HC
或< V
LC
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数由器件特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
2720 DRW 05
CE
V
IH
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2720 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF的*
2720 DRW 06
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
2720 DRW 07
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
6.04
4
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
7134X20
(3)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
20
—
—
—
0
0
—
0
—
—
20
20
15
—
—
15
—
20
25
—
—
—
0
0
—
0
—
—
25
25
15
—
—
15
—
25
35
—
—
—
0
0
—
0
—
—
35
35
20
—
—
20
—
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
分钟。
马克斯。
7134X25
分钟。
马克斯。
7134X35
分钟。
马克斯。
单位
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
（续）
7134X45
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
45
—
—
—
0
5
—
0
—
—
45
45
25
—
—
20
—
45
55
—
—
—
0
5
—
0
—
—
55
55
30
—
—
25
—
50
70
—
—
—
0
5
—
0
—
—
70
70
40
—
—
30
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2720 TBL 09
7134X55
分钟。
马克斯。
7134X70
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出测试负载（图2）。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3. （商业专用） 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
在部件编号4 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
读周期第1 ，任何一方的时序波形
(1, 2, 3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
t
OH
数据有效
2720 DRW 08
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE
or
CE
.
2.时间取决于该信号拉高第一，
OE
or
CE
.
3. R/
W
= V
IH
.
6.04
5
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