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IPB200N15N3摹IPD200N15N3摹
IPI200N15N3摹
IPP200N15N3摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
150
20
50
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
无卤素根据IEC61249-2-21 *
TYPE
IPB200N15N3摹
IPD200N15N3摹
IPI200N15N3摹
IPP200N15N3摹
包
记号
PG-TO263-3
200N15N
PG-TO252-3
200N15N
PG-TO262-3
200N15N
PG-TO220-3
200N15N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
I
D，脉冲
E
AS
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
I
D
=50 A,
V
DS
=120 V,
的di / dt = 100 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
价值
50
40
200
170
mJ
单位
A
反向二极管的dv / dt
的dV / dt
6
KV / μs的
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
±20
150
-55 ... 175
55/175/56
V
W
°C
J- STD20和JESD22
见图3
*除D- PAK （ TO- 252 ）
修订版2.05
第1页
2010-04-28
IPB200N15N3摹IPD200N15N3摹
IPI200N15N3摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
1
75
50
K / W
IPP200N15N3摹
单位
马克斯。
值
典型值。
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=90 A
V
DS
=120 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=120 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
150
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
10
1
16
100
100
20
nA
m
V
GS
=8 V,
I
D
=25 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
-
-
29
16
2.4
57
20
-
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
修订版2.05
第2页
2010-04-28
IPB200N15N3摹IPD200N15N3摹
IPI200N15N3摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
IPP200N15N3摹
单位
马克斯。
值
典型值。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=75 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=75 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1820
214
5
14
11
23
6
-
-
-
21
17
35
9
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=75 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=75 V,
I
D
=50 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
10
4
9
23
5.7
60
14
6
13
31
-
79
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=75 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1
106
332
50
220
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版2.05
第3页
2010-04-28
IPB200N15N3摹IPD200N15N3摹
IPI200N15N3摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
IPP200N15N3摹
160
60
120
40
P
合计
[W]
80
I
D
[A]
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
40
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10 s
10
2
100 s
10
0
1毫秒
10
1
10毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.5
I
D
[A]
0.2
0.1
DC
10
-1
0.05
10
0
0.01
0.02
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版2.05
第4页
2010-04-28
IPB200N15N3摹IPD200N15N3摹
IPI200N15N3摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
100
10 V
7V
6.5 V
IPP200N15N3摹
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
5V
5.5 V
6V
35
80
8V
30
R
DS （ ON）
[m
]
60
6V
25
I
D
[A]
20
8V
40
5.5 V
15
10 V
10
20
5V
5
4.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
100
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
100
80
80
60
60
40
g
fs
[S]
40
20
175 °C
25 °C
I
D
[A]
20
0
0
2
4
6
8
0
0
40
80
120
160
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版2.05
第5页
2010-04-28
查看更多IPP200N15N3GPDF信息
推荐型号
ICL7614DMPA
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