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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第792页 > IDT72V12081L15PFI
3.3伏多媒体FIFO
256 x 8, 512 x 8,
1,024 x 8, 2,048 x 8,
和4096 ×8
IDT72V10081 , IDT72V11081
IDT72V12081 , IDT72V13081
IDT72V14081
特点
描述
该IDT72V10081 / 72V11081 / 72V12081 / 72V13081 / 72V14081设备
是低功率的先入先出(FIFO)存储器与主频读写
控制。这些器件具有256 , 512 , 1024 , 2048和4096 ×8位的
存储器阵列,分别。这些FIFO适用于各种各样的
数据缓冲需要诸如图形和处理器间通信。
这些FIFO中有8位的输入和输出端口。输入端口是
通过一个自由运行的时钟( WCLK )控制和写使能引脚( WEN) 。
数据被写入到FIFO的多媒体上的每个时钟的上升沿时
写使能引脚置位。输出端口通过另一个控制
时钟引脚( RCLK )和读使能引脚( REN) 。读时钟可以作为
绑在写时钟为单一的时钟操作或两个时钟可以运行
异步一为双时钟运行另一个。输出使能
销(OE )设置在所述读端口的输出的三态控制。
多媒体FIFO中有两个固定的标志,空( EF )和满( FF ) 。
这些FIFO使用IDT的亚微米CMOS技术制造。
256 ×8位的组织阵列( IDT72V10081 )
512 ×8位的组织阵列( IDT72V11081 )
1,024× 8位的组织阵列( IDT72V12081 )
2048 ×8位的组织阵列( IDT72V13081 )
4096 ×8位的组织阵列( IDT72V14081 )
15毫微秒的读/写周期时间
5V输入容限
独立的读写时钟
空和满标志信号FIFO状态
输出使能输出数据总线的高阻抗状态
可提供32引脚塑料薄型四方扁平封装( TQFP )
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C )
°
°
功能框图
WCLK
控制
控制
RCLK
FIFO阵列
D
0
- D
7
DATA IN
x8
OE
Q
0
- Q
7
数据输出
x8
复位逻辑
FLAG产出
RS
EF
FF
6161 drw01
IDT和IDT标识是注册为Integrated Device Technology , Inc.的商标。
工业温度范围
1
2003
集成设备技术, Inc.保留所有权利。产品规格如有变更,恕不另行通知。
2003年11月
DSC-6161/2
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
引脚配置
GND
指数
32 31 30 29 28 27 26 25
D
6
D
7
DNC
(1)
DNC
(1)
GND
R
EN
RCLK
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
6161 drw02
RS
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
24
23
22
21
20
19
18
17
WCLK
V
CC
V
CC
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
FF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
注意:
1. DNC =请勿连接。
TQFP ( PR32-1 ,订货代码: PF )
顶视图
引脚说明
符号
D
0
-D
7
EF
FF
OE
名字
数据输入
空标志
满标志
OUTPUT ENABLE
数据输出
读时钟
读使能
RESET
写时钟
写使能
动力
I / O
I
O
O
I
O
I
I
I
I
I
I
I
DNC
(1)
OE
EF
描述
数据输入,一个8位总线。
EF
为低时,所述的FIFO是空的,进一步的数据读出从输出被抑制。当
EF
is
高电平时, FIFO不空。
EF
同步到RCLK 。
FF
为低电平时,FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当
FF
为高电平时,FIFO
没有满。
FF
同步到WCLK 。
OE
为低电平时,数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时,输出数据总线将处于高阻抗
状态。
数据输出为8位总线。
数据从FIFO中读取RCLK时的低到高的转变
为有效。
为低电平时,数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。
数据将不会被从FIFO读出,如果
EF
是低的。
RS
置为低电平,内部读和写指针被设置到RAM阵列的第一位置,
FF
变为高电平,并且
EF
变低。前电后的初始写入需要进行重置。
数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变时,写使能断言。
为低电平时,数据被写入FIFO每低到高的转变WCLK 。数据
将不被写入到FIFO中,如果
FF
是低的。
3.3V电压供电。
接地引脚。
Q
0
-Q
7
RCLK
RS
WCLK
V
CC
GND
2
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
英镑
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
储存温度
直流输出电流
产业
-0.5 + 5
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
推荐工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压工业
电源电压
输入高电压工业
输入低电压工业
工作温度
产业
分钟。
3.0
0
2.0
-0.5
-40
典型值。
3.3
0
MAX 。 UNIT
3.6
0
5.5
0.8
85
V
V
V
V
°C
注意事项:
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作指示的
该规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
CC
终端而已。
DC电气特性
(工业: V
CC
= 3.3V ± 0.3V ,T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
IDT72V10081
IDT72V11081
IDT72V12081
IDT72V13081
IDT72V14081
产业
t
CLK
- 15纳秒
符号
I
LI
(1)
I
LO
(2)
V
OH
V
OL
I
CC1
(3,4,5)
I
CC2
(3,6)
参数
输入漏电流(任何输入)
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压,I
OH
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压,I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
典型值。
马克斯。
1
10
0.4
20
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
注意事项:
1.测量0.4
VIN
VCC 。
2.
OE
V
IH ,
0.4
V
OUT
V
CC
.
3.测试与输出禁用(我
OUT
= 0).
4. RCLK和WCLK切换,在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
5.我典型
CC1
= 0.17 + 0.48*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
(单位为mA)与V
CC
= 3.3V ,T
A
= 25
°
C,F
S
= WCLK频率= RCLK频率(以MHz为单位,采用TTL电平) ,数据在f开关
S
/2,
C
L
=容性负载(单位为pF ) 。
6.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ,除RCLK和WCLK ,这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项:
1.取消输出( OE
V
IH
).
2.特征值,而不是目前的测试。
3
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
AC电气特性
(1)
(工业: V
CC
= 3.3 ± 0.3V , TA = -40 ° C至+ 85°C )
产业
IDT72V10081L15
IDT72V11081L15
IDT72V12081L15
IDT72V13081L15
IDT72V14081L15
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
SKEW1
参数
时钟周期频率
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(1)
复位设置时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能,以在低Z输出
(2)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(2)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
与读时钟&写偏移时间
时钟为空标志&Full标志
分钟。
2
15
6
6
4
1
4
1
15
10
10
0
3
3
6
马克斯。
66.7
10
15
8
8
10
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
2.价值由设计保证,目前尚未进行测试。
3.3V
330
D.U.T.
AC测试条件
在脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
510
30pF*
6161 drw03
或等效电路
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
4
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
信号说明
输入
DATA IN ( D0 - D7 )
数据输入端的8位宽度的数据。
控制
复位(RS)
每当复位( RS)的输入取为低电平状态复位来实现的。
在复位过程中,无论是内部读和写指针被设置到所述第一位置。
复位是上电后写操作前可以进行必需的。该
满标志( FF )将被重置为高t后,
RSF
。空标志( EF)会
吨后重置为LOW
RSF
。在复位时,输出寄存器初始化为全零。
写时钟( WCLK )
写周期的写时钟的低到高的转变开始
( WCLK ) 。数据建立时间和保持时间必须满足对于低到高
写时钟( WCLK )的过渡。的满标志( FF )与同步
对于写时钟( WCLK )的低到高的转变。
写和读时钟可以是异步或重合。
写使能( WEN )
当写使能(WEN )为低电平时,数据可以被加载到输入寄存器
和FIFO阵列上的每个写时钟( WCLK )的低到高的转变。
数据被存储在FIFO中的数组顺序地和独立于任何正在进行
读操作。
为了防止数据溢出,满标志( FF)将变低,进一步抑制
写操作。当完成一个有效的读周期中,满标志( FF )
会去吨后高
WFF
,允许一个有效的写操作开始。写使能( WEN )
当FIFO满时将被忽略。
读时钟( RCLK )
数据可以读取的输出上读取的低到高的转变
时钟( RCLK ) 。的空标志(EF)是相对于同步到LOW-
读时钟( RCLK )中到高的转变。
写和读时钟可以是异步或重合。
读使能( REN)
当两个读使能( REN)为低时,数据被从FIFO中读出的数组
对读时钟( RCLK )的低到高的跳变输出寄存器。
当读使能( REN )为高电平时,输出寄存器保存了之前的
数据并没有新的数据被允许加载到寄存器中。
当所有的数据已被从FIFO中读出,空标志( EF)会
低,抑制了进一步的读取操作。一次有效的写操作已经
完成时,空标志( EF)会去吨高后
REF
和一个有效的读
可以开始了。当FIFO为空的读使能( REN)被忽略。
输出使能( OE )
当输出使能( OE )有效(低电平) ,并行输出缓冲器
从输出寄存器接收数据。当输出使能( OE )被禁用
(高电平)时,Q输出的数据总线处于高阻抗状态。
输出
满标志( FF )
的满标志( FF),将变低,抑制了进一步的写操作中,当
设备已满。如果没有读取复位( RS )后进行,在满标志( FF )
将变低256写的IDT72V10081后, 512写的
IDT72V11081 , 1024写的IDT72V12081 , 2048写的
IDT72V13081 ,4096写的IDT72V14081 。
的满标志( FF),则相对于同步到低到高
写时钟( WCLK )的过渡。
空标志( EF )
当空标志( EF)将变低,进一步抑制读取操作,
读指针等于写指针,指示该设备是否为空。
空标志( EF )相对于同步到低到高
读时钟( RCLK )的过渡。
数据输出(Q
0
- Q7)
数据输出为一个8位宽的数据。
5
3.3伏多媒体FIFO
256 x 8, 512 x 8,
1,024 x 8, 2,048 x 8,
和4096 ×8
IDT72V10081 , IDT72V11081
IDT72V12081 , IDT72V13081
IDT72V14081
特点
描述
该IDT72V10081 / 72V11081 / 72V12081 / 72V13081 / 72V14081设备
是低功率的先入先出(FIFO)存储器与主频读写
控制。这些器件具有256 , 512 , 1024 , 2048和4096 ×8位的
存储器阵列,分别。这些FIFO适用于各种各样的
数据缓冲需要诸如图形和处理器间通信。
这些FIFO中有8位的输入和输出端口。输入端口是
通过一个自由运行的时钟( WCLK )控制和写使能引脚( WEN) 。
数据被写入到FIFO的多媒体上的每个时钟的上升沿时
写使能引脚置位。输出端口通过另一个控制
时钟引脚( RCLK )和读使能引脚( REN) 。读时钟可以作为
绑在写时钟为单一的时钟操作或两个时钟可以运行
异步一为双时钟运行另一个。输出使能
销(OE )设置在所述读端口的输出的三态控制。
多媒体FIFO中有两个固定的标志,空( EF )和满( FF ) 。
这些FIFO使用IDT的亚微米CMOS技术制造。
256 ×8位的组织阵列( IDT72V10081 )
512 ×8位的组织阵列( IDT72V11081 )
1,024× 8位的组织阵列( IDT72V12081 )
2048 ×8位的组织阵列( IDT72V13081 )
4096 ×8位的组织阵列( IDT72V14081 )
15毫微秒的读/写周期时间
5V输入容限
独立的读写时钟
空和满标志信号FIFO状态
输出使能输出数据总线的高阻抗状态
可提供32引脚塑料薄型四方扁平封装( TQFP )
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C )
°
°
功能框图
WCLK
控制
控制
RCLK
FIFO阵列
D
0
- D
7
DATA IN
x8
OE
Q
0
- Q
7
数据输出
x8
复位逻辑
FLAG产出
RS
EF
FF
6161 drw01
IDT和IDT标识是注册为Integrated Device Technology , Inc.的商标。
工业温度范围
1
2003
集成设备技术, Inc.保留所有权利。产品规格如有变更,恕不另行通知。
2003年11月
DSC-6161/2
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
引脚配置
GND
指数
32 31 30 29 28 27 26 25
D
6
D
7
DNC
(1)
DNC
(1)
GND
R
EN
RCLK
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
6161 drw02
RS
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
24
23
22
21
20
19
18
17
WCLK
V
CC
V
CC
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
FF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
注意:
1. DNC =请勿连接。
TQFP ( PR32-1 ,订货代码: PF )
顶视图
引脚说明
符号
D
0
-D
7
EF
FF
OE
名字
数据输入
空标志
满标志
OUTPUT ENABLE
数据输出
读时钟
读使能
RESET
写时钟
写使能
动力
I / O
I
O
O
I
O
I
I
I
I
I
I
I
DNC
(1)
OE
EF
描述
数据输入,一个8位总线。
EF
为低时,所述的FIFO是空的,进一步的数据读出从输出被抑制。当
EF
is
高电平时, FIFO不空。
EF
同步到RCLK 。
FF
为低电平时,FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当
FF
为高电平时,FIFO
没有满。
FF
同步到WCLK 。
OE
为低电平时,数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时,输出数据总线将处于高阻抗
状态。
数据输出为8位总线。
数据从FIFO中读取RCLK时的低到高的转变
为有效。
为低电平时,数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。
数据将不会被从FIFO读出,如果
EF
是低的。
RS
置为低电平,内部读和写指针被设置到RAM阵列的第一位置,
FF
变为高电平,并且
EF
变低。前电后的初始写入需要进行重置。
数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变时,写使能断言。
为低电平时,数据被写入FIFO每低到高的转变WCLK 。数据
将不被写入到FIFO中,如果
FF
是低的。
3.3V电压供电。
接地引脚。
Q
0
-Q
7
RCLK
RS
WCLK
V
CC
GND
2
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
英镑
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
储存温度
直流输出电流
产业
-0.5 + 5
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
推荐工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压工业
电源电压
输入高电压工业
输入低电压工业
工作温度
产业
分钟。
3.0
0
2.0
-0.5
-40
典型值。
3.3
0
MAX 。 UNIT
3.6
0
5.5
0.8
85
V
V
V
V
°C
注意事项:
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作指示的
该规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
CC
终端而已。
DC电气特性
(工业: V
CC
= 3.3V ± 0.3V ,T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
IDT72V10081
IDT72V11081
IDT72V12081
IDT72V13081
IDT72V14081
产业
t
CLK
- 15纳秒
符号
I
LI
(1)
I
LO
(2)
V
OH
V
OL
I
CC1
(3,4,5)
I
CC2
(3,6)
参数
输入漏电流(任何输入)
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压,I
OH
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压,I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
典型值。
马克斯。
1
10
0.4
20
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
注意事项:
1.测量0.4
VIN
VCC 。
2.
OE
V
IH ,
0.4
V
OUT
V
CC
.
3.测试与输出禁用(我
OUT
= 0).
4. RCLK和WCLK切换,在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
5.我典型
CC1
= 0.17 + 0.48*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
(单位为mA)与V
CC
= 3.3V ,T
A
= 25
°
C,F
S
= WCLK频率= RCLK频率(以MHz为单位,采用TTL电平) ,数据在f开关
S
/2,
C
L
=容性负载(单位为pF ) 。
6.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ,除RCLK和WCLK ,这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项:
1.取消输出( OE
V
IH
).
2.特征值,而不是目前的测试。
3
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
AC电气特性
(1)
(工业: V
CC
= 3.3 ± 0.3V , TA = -40 ° C至+ 85°C )
产业
IDT72V10081L15
IDT72V11081L15
IDT72V12081L15
IDT72V13081L15
IDT72V14081L15
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
SKEW1
参数
时钟周期频率
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(1)
复位设置时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能,以在低Z输出
(2)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(2)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
与读时钟&写偏移时间
时钟为空标志&Full标志
分钟。
2
15
6
6
4
1
4
1
15
10
10
0
3
3
6
马克斯。
66.7
10
15
8
8
10
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
2.价值由设计保证,目前尚未进行测试。
3.3V
330
D.U.T.
AC测试条件
在脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
510
30pF*
6161 drw03
或等效电路
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
4
IDT72V10081 / 12081分之11081 / 14081分之13081 3.3V多媒体FIFO
256× 8 512 ×8 , 1024 ×8 , 2048 ×8和4096 ×8个
工业温度范围
信号说明
输入
DATA IN ( D0 - D7 )
数据输入端的8位宽度的数据。
控制
复位(RS)
每当复位( RS)的输入取为低电平状态复位来实现的。
在复位过程中,无论是内部读和写指针被设置到所述第一位置。
复位是上电后写操作前可以进行必需的。该
满标志( FF )将被重置为高t后,
RSF
。空标志( EF)会
吨后重置为LOW
RSF
。在复位时,输出寄存器初始化为全零。
写时钟( WCLK )
写周期的写时钟的低到高的转变开始
( WCLK ) 。数据建立时间和保持时间必须满足对于低到高
写时钟( WCLK )的过渡。的满标志( FF )与同步
对于写时钟( WCLK )的低到高的转变。
写和读时钟可以是异步或重合。
写使能( WEN )
当写使能(WEN )为低电平时,数据可以被加载到输入寄存器
和FIFO阵列上的每个写时钟( WCLK )的低到高的转变。
数据被存储在FIFO中的数组顺序地和独立于任何正在进行
读操作。
为了防止数据溢出,满标志( FF)将变低,进一步抑制
写操作。当完成一个有效的读周期中,满标志( FF )
会去吨后高
WFF
,允许一个有效的写操作开始。写使能( WEN )
当FIFO满时将被忽略。
读时钟( RCLK )
数据可以读取的输出上读取的低到高的转变
时钟( RCLK ) 。的空标志(EF)是相对于同步到LOW-
读时钟( RCLK )中到高的转变。
写和读时钟可以是异步或重合。
读使能( REN)
当两个读使能( REN)为低时,数据被从FIFO中读出的数组
对读时钟( RCLK )的低到高的跳变输出寄存器。
当读使能( REN )为高电平时,输出寄存器保存了之前的
数据并没有新的数据被允许加载到寄存器中。
当所有的数据已被从FIFO中读出,空标志( EF)会
低,抑制了进一步的读取操作。一次有效的写操作已经
完成时,空标志( EF)会去吨高后
REF
和一个有效的读
可以开始了。当FIFO为空的读使能( REN)被忽略。
输出使能( OE )
当输出使能( OE )有效(低电平) ,并行输出缓冲器
从输出寄存器接收数据。当输出使能( OE )被禁用
(高电平)时,Q输出的数据总线处于高阻抗状态。
输出
满标志( FF )
的满标志( FF),将变低,抑制了进一步的写操作中,当
设备已满。如果没有读取复位( RS )后进行,在满标志( FF )
将变低256写的IDT72V10081后, 512写的
IDT72V11081 , 1024写的IDT72V12081 , 2048写的
IDT72V13081 ,4096写的IDT72V14081 。
的满标志( FF),则相对于同步到低到高
写时钟( WCLK )的过渡。
空标志( EF )
当空标志( EF)将变低,进一步抑制读取操作,
读指针等于写指针,指示该设备是否为空。
空标志( EF )相对于同步到低到高
读时钟( RCLK )的过渡。
数据输出(Q
0
- Q7)
数据输出为一个8位宽的数据。
5
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