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IPLU300N04S4-R7
的OptiMOS -T2功率三极管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
40
0.76
300
H-PSOF-8-1
TAB
8
1
TAB
V
mW
A
特点
N沟道 - 增强型
AEC合格
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品（符合RoHS标准） ; 100 ％无铅
极低的RDS（ON）
100 ％雪崩测试
1
8
漏
TAB
TYPE
IPLU300N04S4-R7
包
H-PSOF-8-1
记号
4N04R7
门
销1
来源
引脚2 - 8
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号
I
D
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=10V
1)
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
T
C
=25 °C
I
D
=150 A
-
-
T
C
=25 °C
-
-
价值
300
300
1200
750
300
±20
429
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
单位
A
1.0版
第1页
2013-11-12
IPLU300N04S4-R7
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
2)
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
-
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
DS
=V
GS
,
I
D
=230 A
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=18 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=85 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
-
-
-
-
-
-
0.35
62
40
K / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
40
2.0
-
-
3.0
0.1
-
4.0
10
V
A
-
-
-
1
-
0.53
20
100
0.76
nA
mΩ
1.0版
第2页
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IPLU300N04S4-R7
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
2)
反向恢复电荷
2)
1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=20 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=300 A,
R
G
=3.5
W
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
17650
3790
130
50
22
68
61
22945 pF的
4930
300
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=32 V,
I
D
=300 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
77
27
221
4.4
100
68
287
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
-
T
C
=25 °C
-
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
V
R
=20 V,
I
F
=50A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
0.9
85
132
300
1200
1.3
-
-
A
V
ns
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.35 K / W ，芯片能够承载697A在25℃ 。
由设计确定。不受生产测试。
2)
3)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第3页
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IPLU300N04S4-R7
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥ 6 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥ 6 V
500
350
300
400
250
300
P
合计
[W]
200
I
D
[A]
200
150
100
100
50
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
10000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
0
1 s
1000
10 s
0.5
10
-1
100 s
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.1
100
1毫秒
0.05
10
-2
10
0.01
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2013-11-12
IPLU300N04S4-R7
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
1200
10 V
6.5 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= (I
D
);
T
j
= 25 °C
参数：
V
GS
12
5V
5.5 V
6V
1000
10
6V
800
8
R
DS （ ON）
[毫瓦]
I
D
[A]
600
5.5 V
6
400
4
5V
200
2
6.5 V
10 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
300
600
900
1200
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6V
参数：
T
j
1200
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 100 A;
V
GS
= 10 V
1
1000
0.8
800
R
DS （ ON）
[毫瓦]
175 °C
I
D
[A]
600
0.6
400
0.4
200
25 °C
-55 °C
0
2
4
6
8
0.2
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
1.0版
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2013-11-12
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