ILD205/206/207/211/213/217
特点
双通道耦合器
工业标准SOIC - 8表面贴装
包
标准铅0.05 ＆ QUOT间距;
可在磁带和卷轴选项
（符合EIA标准481-2 ）
隔离测试电压2500 VRMS
高电流传输比
ILD205 ， 40 ％ - 80％
ILD206 ， 63 -125 ％
ILD207 ， 100 - 200 ％
ILD211 ，20％的最低
ILD213 ，100％的最小
ILD217 ， 100 ％最低为1 mA
高BVCEO ， 70 V
兼容双波峰焊，汽相和
IR再溢流焊接
描述
在ILD205 / 206 /二百十一分之二百〇七/二百十七分之二百十三是光学
耦合对同一个砷化镓红外发光二极管
和硅NPN光电晶体管。信号信息
化，其中包括一个DC电平，可以由发送
该装置同时保持elec-高度
输入和输出之间电气隔离的。该
ILD205 / 6/7 /11 /十七分之一十三进来一个标准的SOIC -8
小外形封装表面贴装其中
使得它非常适合于高密度应用
在有限的空间。除了消除
通孔的要求，这个包只
形式为表面贴装设备的标准。
一个特定的ED最低和最高CTR允许
窄公差的电气设计
相邻电路。高BV
首席执行官
70伏给
更高的安全裕度相比，工业
30伏的标准。
最大额定值
（每个通道）
辐射源
峰值反向电压..................................... 6.0 V
峰值脉冲电流（ 1
S， 300 ，PPS） ................. 1
连续正向电流每通道.... 30毫安
25功耗
°
............................ 45毫瓦
25线性降额
°
...................... 0.5毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极击穿电压............... 70 V
发射极 - 集电极击穿电压................. 7 V
每通道功耗.................... 55毫瓦
25线性降额
°
.................... 0.55毫瓦/
°
C
包
25总包耗散
°
C环境
（ 2个LED + 2探测器， 2个通道） ....... 200毫瓦
25线性降额
°
...................... 2.0毫瓦/
°
C
存储温度-55
°
................... +150
°
C
工作温度-55
°
............... +100
°
C
在260焊接时间
°
............................. 10秒。
双通道光电晶体管
小尺寸
表面贴装光耦合器
尺寸以英寸（毫米）
销1
.120±.002
(3.05±.05)
.240
(6.10)
.154±.002
C
L (3.91±.05)
.016 (.41)
.230±.002
(4.88±.05)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 （ 1.27 ）典型值。
.040 (1.02)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
7°
40°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.001
(.04)
马克斯。
阳极1
阴极2
阳极3
阴极4
8收藏家
7发射
6收藏家
5发射
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
特征
(T
A
=25
°
C)
参数
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
集电极 - 发射极
电容
包
直流电流传输
ILD205
ILD206
ILD207
ILD211
ILD213
ILD205
ILD206
ILD207
ILD217
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （SAT）
电容，输入到
产量
绝缘测试电压
电阻，输入到输出
开启时间
打开-O FF时间
2500
100
5.0
4.0
0.5
40
63
100
20
100
13
22
34
100
80
125
200
30
45
70
130
0.4
%
%
%
%
%
%
%
%
V
pF
VAC
RMS
G
s
s
I
C
= 2毫安，
R
E
= 100
V
CE
=5 V
1995年8月
吨= 1分钟。
V
CE
=5 V
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 2.5毫安
70
7
5
10
50
V
V
nA
pF
I
C
= 10毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
=10 V
I
F
=0
V
CE
=0
1.2
0.1
25
1.55
100
V
mA
pF
I
F
= 10毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0
分钟。
典型值
最大
.
单位
TEST
条件
5–1
图1.正向电流与正向电压
图5.开关速度与负载电阻
10 3
开关速度（微秒）
10 2
IF = 10毫安
脉冲宽度100毫秒=
占空比= 50 ％
花花公子
10 1
吨
10 0
.1
1
10
RL负载电阻值（kΩ ）
100
图2.集电极 - 发射极电流与温度的关系
1.2
图6.集电极电流与温度的关系
NIC归集电极电流
1.0
0.8
0.6
If=10ma
If=5ma
0.4
0.2
0.0
0
2
4
6
8
10
12
If=1ma
目前科尔
归
@ IF = 10毫安
Vce=10v
Ta=25°C
VCE集电极到发射极电压（ V）
封装功耗（ MW）
图3.归CTRce与正向电流
NCTRce -N ormalized CTRce
图7.功耗与环境温度
200
总PKG
150
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
.01
Vce=0.4V
CTR归@
IF = 10毫安
Ta=25
°C
Vce=5V
100
50
每通道
0
25
.1
1
10
如果- LED电流（mA ）
100
50
75
100
TA-环境回火ATURE （ ° C）
125
图4. CTR （归一化）与温度的关系
1.2
图8.开关时间测试电路原理图和波形
V
CC
=5 V
输入
NCTRce标准化CTRce
输入
0
t
PDON
1.0
If=10ma
0.8
0.6
If=5ma
0.4
0.2
If=1ma
0.0
20
40
60
80
CTR （ nonsat ）
归@
If=10ma
Vce=10v
Ta=25°C
100
t
on
t
PDOF
td
t
关闭
R
L
V
OUT
产量
0
10%
50%
90%
t
r
t
s
t
r
10%
50%
90%
钽 - 温度（℃ ）
ILD205/206/207/211/213/217
5–2
QQ：2881677436 复制
