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初步数据表
ICE20N170FP
ICE20N170FP
N沟道
增强型MOSFET
特点
= LOW
r
DS （ ON）
超低栅极电荷
高dv / dt能力
高非钳位感应开关（ UIS）能力
高峰值电流能力
提高跨导性能
优化设计的高性能电源系统
卤素
产品概述
I
D
V
（ BR ） DSS
r
DS （ ON）
免费
T
A
=25
o
C
I
D
=250uA
V
GS
=10V
V
DS
=480V
D
20A
600V
0.17Ω
62nC
最大
民
典型值
典型值
Q
g
G
S
ICEMOS和它的姊妹公司3D SEMI所拥有的基础专利
FOR超结MOSFET的。这些专利多数有17 20
剩余寿命年。该组合授予专利权发行
美国，中国，韩国，日本，台湾&欧洲
.
T0220全PAK
隔离（ T0-220 ）
1 =门， 2 =排水，
3=Source
最大额定值
b
参数
在
T
j
=25
o
C，除非另有规定编
符号
条件
价值
单位
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
I
D
I
D，脉冲
E
AS
T
c
=25
o
C
T
c
=25
o
C
I
D
=10A
20
62
520
A
A
mJ
雪崩电流，重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作和存储温度
安装力矩
a。当安装在1英寸方形2盎司覆铜板FR- 4
I
AR
dv / dt的
受
T
j
最大
V
DS
=480V,
I
D
=20A,
T
j
=125
o
C
STATIC
AC （ f>1Hz ）
T
c
=25
o
C
20
50
±20
±
30
35
-55到+150
A
V / ns的
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
V
W
o
C
M 2.5螺丝
50
NCM
B初步数据表 - 规格如有变更
SP-20N170FP-000-4
05/15/2013
1
初步数据表
ICE20N170FP
参数
热特性
热阻， Junction-
例
a
热阻， Junction-
环境
a
焊接温度，波
焊接只允许在引线
R
thJC
R
thJA
T
出售
含铅
1.6毫米从（ 0.063英寸）
情况下进行10秒
-
-
-
-
-
-
3.5
o
符号
条件
值
民
典型值
最大
单位
C / W
72
260
o
C
电气特性
b
,
at
T
=25
o
C，除非另有规定编
j
静态特性
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
=0 V,
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250A
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
o
T
j
=25 C
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
o
T
j
=150 C
V
GS
=±20 V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=10A,
o
T
j
=25 C
V
GS
=10V,
I
D
=10A,
o
T
j
=150 C
f=1
MHZ ，漏极开路
600
2.1
-
640
3
0.1
-
3.9
1
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
A
-
-
-
-
-
-
-
0.17
0.52
4.3
100
100
0.199
-
-
nA
门源漏电流
漏源
导通状态电阻
栅极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f=1
兆赫
-
-
2020
980
-
-
pF
-
V
DS
>2*I
D
*R
DS
, I
D
=10A
V
DS
=380V,
V
GS
=10V,
I
D
=20A,
R
G
= 4Ω （外部）
-
-
-
-
-
9
19
39
3.5
55
7
-
-
-
-
-
-
ns
跨
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
S
SP-20N170FP-000-4
05/15/2013
2
初步数据表
ICE20N170FP
参数
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
V
SD
t
rr
Q
rr
I
rm
V
GS
=0V,
I
S=
I
F
-
-
0.9
407
6.7
32
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DS
=480 V,
I
D
=20A,
V
GS
=10 V
-
-
-
-
13
23
62
5.8
-
-
-
-
V
nC
符号
条件
值
民
典型值
最大
单位
V
RR
=480V,
I
S=
I
F
,
d
iF
Id
t
= 100 A / μS
-
-
SP-20N170FP-000-4
05/15/2013
3
初步数据表
ICE20N170FP
输出特性
60
50
V
GS
= 10 7V
传输特性
60
50
40
30
20
10
0
I
D
- 漏电流（ A）
40
6V
30
20
5V
10
I
D
- 漏电流（ A）
T
J
= 150C
25C
0
0
5
10
15
0
2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极（V）的
10
在电阻与漏电流
500
R
DS （ ON）
- 通态电阻（mΩ ）
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻
（归一化）
在电阻与结温
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
400
300
V
GS
= 10V
200
100
0
0
10
20
30
40
I
D
- 漏电流（ A）
50
60
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS （ TH）
- 栅极阈值电压
（归一化）
9
8
7
6
5
V
DS
=
480V
I
D
= 20A
栅极阈值电压VS结温
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250μA
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
SP-20N170FP-000-4
05/15/2013
4
初步数据表
ICE20N170FP
电容
10000
西塞
V
（ BR ） DSS
- 漏极至源极击穿电压
（归一化）
漏极至源极击穿电压与结温
1.2
C-电容（pF ）
1000
科斯
1.1
I
D
= 1毫安
100
1.0
10
CRSS
0.9
1
0
100
200
300
400
500
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
600
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
- 结温（ ° C）
125
150
最大额定正向偏置安全工作区
100
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
单脉冲，
TC = 25
o
C,
T
j
=150
o
C,
V
GS
= 10V
瞬态热响应，结到外壳
1.00
0.5
0.2
0.1
10
I
D
- 漏电流（ A）
10us
0.10
0.05
0.02
100us
1
1ms
10ms
0.01
单脉冲
0.1
R
DS （ ON）
极限
套餐限制
热限制
DC
0.01
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1000
0.00
1.0E-06
1.0E-04
1.0E-02
1.0E+00
吨 - 时间（s ）
SP-20N170FP-000-4
05/15/2013
5
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