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IPB12CNE8N摹
IPI12CNE8N摹
IPD12CNE8N摹
IPP12CNE8N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
(TO252)
I
D
85
12.4
67
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPB12CNE8N摹
IPD12CNE8N摹
IPI12CNE8N摹
IPP12CNE8N摹
包
记号
PG-TO263-3
12CNE8N
PG-TO252-3
12CNE8N
PG-TO262-3
12CNE8N
PG-TO220-3
12CNE8N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
I
D，脉冲
E
AS
T
C
=25 °C
I
D
=67 A,
R
GS
=25
I
D
=67 A,
V
DS
=68 V,
的di / dt = 100 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
价值
67
48
268
154
mJ
单位
A
反向二极管的dv / dt
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
3)
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
6
KV / μs的
±20
T
C
=25 °C
125
-55 ... 175
55/175/56
V
W
°C
J- STD20和JESD22
见图3
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 Vgs<-5V
修订版1.05
第1页
2007-08-29
IPB12CNE8N摹
IPI12CNE8N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境（ TO220 ， TO262 ， TO263 ）
热阻，结 -
环境（ TO252 ）
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPD12CNE8N摹
IPP12CNE8N摹
单位
马克斯。
值
典型值。
1.2
62
40
75
50
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=83 μA
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=67 A,
(TO252)
V
GS
=10 V,
I
D
=67 A,
(TO262)
V
GS
=10 V,
I
D
=67 A,
（ TO220 ， TO263 ）
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=67 A
85
2
-
-
3
0.1
-
4
1
μA
V
-
-
-
10
1
9.2
100
100
12.4
nA
m
-
9.4
12.6
-
-
39
9.7
1.5
77
12.9
-
-
S
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。 PCB是
垂直在静止空气中。
4)
修订版1.05
第2页
2007-08-29
IPB12CNE8N摹
IPI12CNE8N摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
IPD12CNE8N摹
IPP12CNE8N摹
单位
马克斯。
值
典型值。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=40 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=33.5 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=40 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3260
608
44
17
21
32
8
4340
809
66
26
31
48
12
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=40 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=40 V,
I
D
=100 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
19
12
21
48
5.5
46
26
17
30
64
-
61
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=67 A,
T
j
=25 °C
V
R
=40 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1
103
255
67
268
1.2
-
-
A
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
5)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.05
第3页
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IPB12CNE8N摹
IPI12CNE8N摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
10 V
IPD12CNE8N摹
IPP12CNE8N摹
140
70
120
60
100
50
P
合计
[W]
80
40
60
I
D
[A]
30
40
20
20
10
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 μs
10
2
10 μs
100 μs
10
0
I
D
[A]
DC
10
1
10毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
1毫秒
0.5
0.2
0.1
10
-1
10
0
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.05
第4页
2007-08-29
IPB12CNE8N摹
IPI12CNE8N摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
250
10 V
8V
IPD12CNE8N摹
IPP12CNE8N摹
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
30
5V
7V
25
200
20
150
6.5 V
5.5 V
R
DS （ ON）
[m ]
I
D
[A]
15
6V
100
6V
10
10 V
50
5.5 V
5
5V
0
0
1
4.5 V
0
3
4
5
0
20
40
60
80
2
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
250
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
100
200
80
150
60
100
g
fs
[S]
40
175 °C
I
D
[A]
50
25 °C
20
0
0
2
4
6
8
0
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版1.05
第5页
2007-08-29
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