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PD - 96168
IRG4PC50F-EPbF
绝缘栅双极晶体管
特点
优化了媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
??行业标准的TO- 247AD封装
无铅
C
速度快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.45V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 39A
N沟道
好处
第四代IGBT的报价最高的效率提供
IGBT的用于特定应用条件优化
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外IGBT的
TO-247AD
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
70
39
280
280
± 20
20
200
78
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
0.64
40
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
08/06/08
IRG4PC50F-EPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
发射极 - 集电极击穿电压
18
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.62
1.45
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
1.79
1.53
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
-14
g
fe
正向跨导
21
30
I
CES
零栅极电压集电极电流
I
GES
门极 - 发射极漏电流
MAX 。单位
条件
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
1.6
I
C
= 39A
I
C
= 70A
参照图2 ， 5
V
I
C
= 39A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
S
V
CE
=
100V ，我
C
= 39A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
2000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 N A V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
典型值。
190
28
65
31
25
240
130
0.37
2.1
2.47
28
24
390
230
5.0
13
4100
250
49
MAX 。单位
条件
290
I
C
= 39A
42
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
97
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
ns
350
I
C
= 39A ，V
CC
= 480V
190
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"
mJ
参见图。 10，11 ，13，14
3.0
T
J
= 150°C,
I
C
= 39A ，V
CC
= 480V
ns
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"
mJ
参见图。 13，第14
nH
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 5.0,
（参见图13A ）
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
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IRG4PC50F-EPbF
100
对于这两种：
三角波：
80
负载电流（A ）
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗= 40W
钳位电压：
80 ％的额定
60
方波：
额定的60 ％
电压
40
20
理想二极管
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
1000
1000
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
10
10
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
0.1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
A
1
10
1
5
6
7
8
9
V
CC
= 50V
5μs脉宽
A
10
11
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4PC50F-EPbF
70
最大直流电集电极电流（ A）
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
2.5
V
GE
= 15V
为80μs脉冲宽度
I
C
= 78A
50
2.0
40
30
I
C
= 39A
1.5
20
10
I
C
= 20A
A
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
25
50
75
100
125
150
1.0
T
C
，外壳温度（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
结温
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t2
注意事项：
1.占空比系数D = T / T
1
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4PC50F-EPbF
8000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
卓越中心= CCE + CGC
20
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
A
短
V
CE
= 400V
I
C
= 39A
16
C，电容（pF ）
6000
C
IES
4000
12
C
OES
2000
8
C
水库
4
0
1
10
100
0
0
40
80
120
160
A
200
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3.8
3.6
3.4
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
V
GE
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 39A
100
R
G
= 5.0
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
10
3.2
I
C
= 78A
I
C
= 39A
3.0
2.8
1
I
C
= 20A
2.6
2.4
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
R
G
，栅极电阻
(
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
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