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ISL6608
数据表
2004年3月
FN9140.1
同步整流MOSFET驱动器
带预偏置负载启动功能
该ISL6608是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET在synchronous-
整流降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合
在Intersil的HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器形成一个完整的单级核心电压
高效率表现在高稳压器解决方案
开关频率为先进的微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压(5V)和偏置
最大限度地减少栅极驱动损耗,由于在MOSFET栅极电荷
高开关频率的应用。每个驱动器能够
驱动3000pF的负载与低传播延迟和
超过10ns的过渡时间少。该产品实现
具有内部自举自举在上部栅
肖特基二极管,降低实施成本,复杂性
并且允许使用更高的性能的,具有成本效益
N沟道MOSFET 。自适应贯通保护
整合,以防止两个MOSFET的导通
同时。
该ISL6608拥有4A灌电流下门
驱动程序,它是能够保持较低的MOSFET栅极
第一阶段节点时上升沿防止直通
引起的相位节点的高dv / dt的功率损耗。
该ISL6608还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
将防止在输出电压时的负瞬态
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管通常出现在微处理器电源系统
用于保护所述微处理器从反转输出
电压事件。
二极管仿真功能集成在ISL6608为
提高轻负载条件下转换器的效率。二极管
仿真还启动时防止负瞬态
与上输出一个预偏置电压。当二极管
仿真使能,驱动程序允许不连续
通过检测电感电流导通模式
达到零,并随后关闭所述低压侧
的MOSFET ,从而防止输出吸收电流
并产生一个预偏置输出一个负脉冲
(参见图6和图7第7页) 。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
自适应贯通保护
0.5Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率高达2MHz
- 快速输出上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流( 5V , 80μA )
二极管仿真增强型轻载效率和
预偏置启动应用程序
VCC POR (上电复位)功能集成
低三态关机释抑时间(典型值为160ns )
引脚对引脚兼容ISL6605
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅可作为一种选择
应用
核心电压供应为FPGA和PowerPC的
微处理器
点-OF-负载模块具有预偏置启动向上
需求
高频率,大电流DC- DC转换器
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件“
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6608
订购信息
产品型号
ISL6608CB
ISL6608CB-T
ISL6608CR
ISL6608CR-T
ISL6608CBZ (注)
ISL6608CBZ-T
ISL6608CRZ (注)
ISL6608CRZ-T
ISL6608IB
ISL6608IB-T
ISL6608IR
温度范围
(°C)
0到70
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
订购信息
(续)
产品型号
ISL6608IR-T
ISL6608IBZ (注)
L8.3x3
ISL6608IBZ -T (注)
M8.15
ISL6608IRZ (注)
ISL6608IRZ -T (注)
-40到85
温度范围
(°C)
PKG 。
DWG 。 #
8 Ld的3x3 QFN封装,卷带式
-40到85
8 Ld的SOIC
(无铅)
M8.15
8 Ld的SOIC卷带
0到70
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装,卷带式
0到70
8 Ld的SOIC
(无铅)
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
8 Ld的3x3 QFN封装
(无铅)
L8.3x3
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到70
8 Ld的3x3 QFN封装
(无铅)
L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装,卷带式封装(无铅)
8 Ld的3x3 QFN封装,卷带式封装(无铅)
-40到85
8 Ld的SOIC
M8.15
注: Intersil的无铅产品采用特殊的无铅化
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是既锡铅兼容
和无铅焊接操作。 Intersil的无铅产品
MSL分类,可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020B标准的无铅要求。
8 Ld的SOIC卷带
-40到85
8 Ld的3x3 QFN封装
L8.3x3
引脚配置
ISL6608CB ( SOIC )
顶视图
ISL6608CR ( 3X3 QFN )
顶视图
7
6
6 FCCM
5 VCC
3
GND
4
LGATE
UGATE
8
BOOT 1
PWM 2
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
FCCM
VCC
LGATE
2
ISL6608
框图
ISL6608
VCC
FCCM
BOOT
UGATE
拍摄开启
通过
保护
PWM
10K
控制
逻辑
VCC
LGATE
GND
散热焊盘( FOR QFN封装)
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6608栅驱动器
V
BAT
+5V
+5V
VCC
+5V
FB
VCC
VSEN
PGOOD
PWM1
PWM2
FCCM
控制
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
V
BAT
COMP
FCCM
PWM
DRIVE
ISL6608
BOOT
UGATE
+V
CORE
热LGATE
PAD
VCC
FS
DACOUT
GND
FCCM
PWM
DRIVE
ISL6608
BOOT
UGATE
热LGATE
PAD
3
ISL6608
ti
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
BOOT电压(V
BOOT
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至22V
相电压(V
)
(注1 ) 。 。 。 V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
输入电压(V
DE
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
热信息
热电阻(典型,注2 , 3 , 4 )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装(注3,4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
82
16
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.相电压能够承受-7V时, BOOT引脚是GND的。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
5.通过设计保证,未经测试。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
上电复位( POR )
VCC上升
VCC下降
推荐工作条件,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM引脚悬空,V
VCC
= 5V
-
80
-
A
-
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= -40 ° C至85°C
2.40
2.175
-
3.40
2.90
2.90
500
4.00
-
-
-
V
V
V
mV
迟滞
自举二极管
正向电压
PWM输入
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ,T
A
= 0℃至70 ℃的
V
VCC
= 5V ,T
A
= -40 ° C至85°C
V
VCC
= 5.5V
三态关机释抑时间
t
tSSHD
V
VCC
= 5V ,T
A
= 0℃至70 ℃的
V
VCC
= 5V ,T
A
= -40 ° C至85°C
强制连续传导模式( FCCM ) INPUT
FCCM低阈值
FCCM高门槛
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= -40 ° C至85°C
V
F
V
VCC
= 5V ,我
F
= 2毫安
0.40
0.52
0.62
V
-
-
0.80
3.40
3.05
-
100
80
250
-250
1.00
3.65
3.65
-
160
160
-
-
1.20
3.90
4.10
4.55
250
250
A
A
V
V
V
V
ns
ns
0.50
-
-
-
-
-
-
2.00
2.05
V
V
V
4
ISL6608
电气规格
参数
开关时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
UG / LG三态传输延迟
LG最小导通时间在DCM (注5 )
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流(注5 )
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流(注5 )
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流(注5 )
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流(注5 )
R
U
I
U
R
U
I
U
R
L
I
L
R
L
I
L
250毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
250毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
250毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
250毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
1
2.00
1
2.00
1
2.00
0.5
4.00
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
A
A
A
A
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
t
PDHL
t
PT的
t
LGMIN
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.0
8.0
8.0
4.0
35
35
20
20
35
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
推荐工作条件,除非另有说明
(续)
符号
测试条件
典型值
最大
单位
功能引脚说明
UGATE (引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装)
该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接
高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
VCC (引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN )
VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高
优质的旁路电容此引脚与GND 。
FCCM (引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN )
该FCCM引脚使能或禁用二极管仿真。当
FCCM为低电平时,二极管仿真是允许的。否则,
连续导通模式被强制( FCCM =强制
连续传导模式) 。看到二极管仿真
在说明部分以了解详情。
BOOT (引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN )
BOOT是浮动自举电源引脚上闸
驾驶。连接该引脚之间的自举电容
在PHASE引脚。自举电容提供充电
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
PHASE (引脚8 SOIC - 8 , 7脚为QFN )
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极
和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个
返回为上层栅极驱动器的路径。
PWM (引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN )
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家,看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。
散热焊盘(在QFN只)
PCB的“热地”设计,这种暴露的芯片垫
应包括下拉,并连接到散热通孔
一个或多个埋铜平面( S) 。这种组合
过孔的垂直散热逃生和掩埋面热
扩展允许QFN充分发挥其热
势。此片应接地。请参阅TB389的
设计指南。
GND (引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN )
GND为接地引脚为IC 。
LGATE (引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN )
LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅
低侧功率N沟道MOSFET 。
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    ISL6608
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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