IDTQS3384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS
10位总线开关
产品特点：
增强型N沟道场效应管，没有内在二极管到Vcc
5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟，零地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制销
两个能够控制每5位
采用SOIC ， QSOP和TSSOP封装
IDTQS3384
描述：
该QS3384提供了一组10高速CMOS ， TTL兼容
总线开关。低开QS3384电阻输入可以是
连接到输出端无需增加传播延迟和不gener-
阿婷额外的接地反弹。两个银行5开关由控制
独立的总线使能（ BE ）的信号。
在QS3384的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
应用
热交换，热对接
电压转换（ 5V至3.3V ）
节能
减小电容和隔离
总线隔离
时钟门控
功能框图
A
0
B
0
A
4
B
4
A
5
B
5
A
9
B
9
BEA
BEB
工业温度范围
1
c
1999
集成设备技术有限公司
2000年2月
DSC-5758/-
IDTQS3384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每个控制输入高功率电源电流
(2)
每MHz的动态电源电流
(3)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或VCC ， F = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ， F = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路
控制输入切换，在占空比为50％
马克斯。
1.5
2.5
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TLL输入驱动（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。在A
和B输入端不产生显著交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
开关特性在工作范围
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 5%
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
数据传输延迟
(2,4)
斧头BX， Bx的斧
开关导通延迟
BEA ， BEB
以斧，BX
开关关断延迟
(2)
BEA ， BEB
以斧，BX
分钟。
(1)
—
1.5
1.5
典型值。
—
—
—
马克斯。
0.25
(3)
6.5
5.5
单位
ns
ns
ns
注意事项：
1.最低金额的保证，但未经生产测试。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.时间常数为单独的开关是0.25ns的对C的顺序的
L
= 50pF的。
4.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。由于这
时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟的系统。传播
根据总线开关的延迟，在一个系统中使用时，是通过在开关的驱动侧和与负载它的相互作用的驱动电路确定
在驱动侧。
4
IDTQS3384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
订购信息
IDTQS
XXXXX
设备类型
XX
包
SO
Q
PA
小外形集成电路（ SO24-2 ）
四分之一尺寸封装（ SO24-8 ）
薄型小尺寸封装（ SO24-9 ）
3384
高速CMOS 10位总线开关
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉， CA 95054
销售：
800-345-7015或408-727-6116
传真： 408-492-8674
www.idt.com *
*为了寻找售楼处靠近你，请点击销售按钮在我们的主页上找到或拨打800 ＃以上的，按2 。
IDT标志，快速切换，并SynchroSwitch注册为Integrated Device Technology ， Inc.的商标。
5
IDTQS3384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS
10位总线开关
产品特点：
IDTQS3384
描述：
增强型N沟道场效应管，没有内在二极管到Vcc
5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟，零添加地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制输入
两个能够控制每5位
采用SOIC ， QSOP和TSSOP封装
该QS3384提供了一组10高速CMOS ， TTL兼容
总线开关。低开QS3384电阻输入可以是
连接到输出端无需增加传播延迟和不gener-
阿婷额外的接地反弹。两个银行5开关由控制
独立的总线使能（ BE ）的信号。
在QS3384的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
应用范围：
热交换，热对接
电压转换（ 5V至3.3V ）
节能
减小电容和isloation
总线隔离
时钟门控
功能框图
A
0
B
0
A
4
B
4
A
5
B
5
A
9
B
9
BEA
BEB
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
c
2000集成设备技术有限公司
2000年2月
DSC-5758/2
IDTQS3384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每输入高功率电源电流
(2)
每MHz的动态电源电流
(3)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ， F = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路，控制输入切换@ 50 ％占空比
马克斯。
1.5
2.5
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TTL驱动的输入端（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不产生显著
交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5V ± 5%
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500Ω ，除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
数据传输延迟
(2)
斧头BX， Bx的斧
开关导通延迟
BEA ， BEB
以斧，BX
开关关断延迟
(2)
BEA ， BEB
以斧，BX
民
.
(1)
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
0.25
(3)
6.5
5.5
单位
ns
ns
ns
注意事项：
1.最低金额的保证，但未经生产测试。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为0.25ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
4
IDTQS3384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
订购信息
IDTQS XXXXX
设备类型
XX
包
SO
Q
QG
PA
3384
小外形集成电路
四分之一大小外形包装
QSOP - 格林
薄型小尺寸外形封装
高速CMOS 10位总线开关
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉， CA 95054
销售：
800-345-7015或408-727-6116
传真： 408-492-8674
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对于技术支持：
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5
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