高速3.3V
16 / 8K ×9双端口
静态RAM
.eatures
x
x
初步
IDT70V16/5S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业： 15/20 / 25ns的（最大）
- 工业： 20ns的（最大）
低功耗工作
- IDT70V16 / 5S
主动： 430mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V16 / 5L
主动： 415mW （典型值）。
待机： 660μW （典型值）。
IDT70V16 / 5轻松扩展数据总线宽度为18位或
x
x
x
x
x
x
x
x
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
LVTTL兼容，采用3.3V单电源（ + 0.3V ）电源
可提供68引脚PLCC和80引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
.UNCTIONAL框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
忙
L
A
13L
(1)
A
0L
(2,3)
I / O
0R
-I / O
8R
I / O
控制
忙
R
地址
解码器
14
(2,3)
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
(1)
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
L
(3)
INT
L
注意事项：
1. A
13
是NC的IDT70V15 。
2.在主模式下：
忙
为输出，是推挽式驱动器
在从模式下：
忙
输入。
3.
忙
输出和
INT
输出的非三态的推挽驱动。
M / S
SEM
R
(3)
INT
R
5669 DRW 01
2002年8月
1
2002集成设备技术有限公司
DSC 1分之5669
P
R
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
P
R
E
IDT70V16/5S/L
高速3.3V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V16 / 5是一个高速16 / 8K ×9双端口静态RAM 。
该IDT70V16 / 5被设计用于作为独立的双端口RAM的
或作为组合主/从双端口RAM用于18位或更多的
更广泛的系统。采用IDT主/从双口RAM AP-
proach在18位或更广泛的存储系统应用成果全速，
无需额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为430mW工作。
该IDT70V16 / 5封装在一个64引脚PLCC （塑料有引线
芯片载体）和80 pinTQFP （薄型四方扁平封装） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3,4)
08/26/02
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
V
SS
I / O
6L
I / O
7L
V
DD
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
DD
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
9
I / O
1L
I / O
0L
I / O
8L
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
A
13L
(1)
V
DD
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
8
7
6
5
4
3
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
IDT70V16/5J
J68-1(5)
68引脚PLCC
俯视图（ 6 ）
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
26
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
V
SS
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
5669 DRW 02
,
注意事项：
1. A
13
是NC的IDT70V15 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须连接到接地电源。
4.包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不意味着部分标记的方向。
I / O
7R
I / O
8R
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
A
13R
(1)
V
SS
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
2
6.42
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
IDT70V16/5S/L
高速3.3V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3,4)
（续）
I / O
1L
I / O
0L
I / O
8L
NC
A
13L
(1)
读/写
L
SEM
L
V
DD
A
12L
A
10L
OE
L
CE
L
A
9L
A
7L
A
8L
NC
A
6L
63
指数
79
78
77
65
62
69
68
67
75
72
76
80
74
73
71
66
64
61
70
NC
NC
60
59
58
57
56
55
54
08/26/02
A
11L
NC
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
NC
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
V
SS
I / O
6L
I / O
7L
V
DD
NC
IDT70V16/5PF
PN80-1(5)
80引脚TQFP
俯视图（ 6 ）
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
V
SS
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
NC
NC
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
DD
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
NC
27
31
34
26
36
35
38
30
33
37
24
25
28
29
32
39
40
20
22
23
21
41
I / O
7R
I / O
8R
OE
R
A
13R
(1)
SEM
R
A
10R
CE
R
NC
读/写
R
A
11R
A
9R
A
8R
NC
A
12R
A
7R
A
6R
V
SS
A
5R
NC
注意事项：
1. A
13
是NC的IDT70V15 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须连接到接地电源。
4. PN80-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.42
3
NC
5669 DRW 03
P
R
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
P
R
E
IDT70V16/5S/L
高速3.3V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
(1)
I / O
0L
- I / O
8L
SEM
L
INT
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
(1)
I / O
0R
- I / O
8R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
注意：
1. A
13
是NC的IDT70V15 。
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
5669 TBL 01
真理表I ：非争用的读/写控制
输入
(1)
CE
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-8
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
Deselcted ：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
5669 TBL 02
模式
注意：
1.
条件：A
0L
— A
13L
≠
A
0R
— A
13R
事实表二：信号灯读/写控制
(1)
输入
CE
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-8
数据
OUT
数据
IN
____
模式
阅读信号灯标志数据输出（ I / O
0
- I / O
8
)
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
5669 TBL 03
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的读取I / O
s
（ I / O
0
-I / O
8
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2.
4
6.42
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
IDT70V16/5S/L
高速3.3V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM(2)
T
BIAS(3)
T
英镑
T
JN
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
在偏置温度
储存温度
结温
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+3.6
-55到+125
-65到+150
+150
50
单位
V
最大工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
5669 TBL 05
o
C
C
C
产业
o
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
mA
5669 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V.
3.环境温度下偏置。没有交流的条件。芯片取消。
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
5669 TBL 06
____
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
5669 TBL 07
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V.
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V16/5S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出泄漏Currentt
(1)
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
= 3.6V, V
IN
= 0V牛逼
o
V
DD
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V牛逼
o
V
DD
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70V16/5L
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
5669 TBL 08
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1. V
DD
< 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
6.42
5
QQ：2880707522 复制
