低功耗
3.3V CMOS快速SRAM
256K （ 32K ×8位）
特点
非常适用于高性能处理器的二级缓存
商用（0 ° C至+ 70 ° C）和工业级（-40° C至+ 85°C ）
温度范围选项
快速访问次数：
- 商业和工业10 /12/ 15 / 20ns的
低待机电流（最大） ：
- 2毫安全备
小包装的空间有效的布局：
- 28引脚300密耳SOJ
- 28引脚TSOP I型
制作与先进的高性能CMOS
技术
输入和输出都是LVTTL兼容
单3.3V （ ± 0.3V ）电源
IDT71V256SA
◆
◆
◆
◆
◆
描述
该IDT71V256SA是组织了262,144位高速静态RAM
作为为32K x 8。使用IDT的高性能，高可靠性的制造
CMOS技术。
该IDT71V256SA具有出色的低功耗特性，同时
同时保持非常高的性能。地址访问
作为快10ns的时间，非常适用于3.3V 3.3V二级缓存
桌面设计。
当电源管理逻辑会将IDT71V256SA待机
模式，极低功耗特性有助于延长电池寿命。
通过采取
CS
HIGH时， SRAM将自动进入低功耗待机
模式和将保持在待机状态下，只要
CS
仍然很高。 Further-
以上，根据满待机模式（CS在CMOS电平中，f = 0），功率消耗
灰是保证始终小于6.6mW ，并且通常会更
小。
该IDT71V256SA封装在一个28引脚300密耳SOJ和28引脚
300万TSOP I型
◆
◆
◆
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
,
控制
电路
3101 DRW 01
2004年1月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-3101/08
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
真值表
(1)
WE
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
3101 DRW 02
CS
H
V
HC
L
L
L
OE
X
X
H
L
X
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
功能
待机（我
SB
)
待机（我
SB1
)
输出禁用
读
写
3101 TBL 02
X
X
H
H
L
SO28-5
22
21
20
19
18
17
16
15
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
,
DIP / SOJ
顶视图
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
等级
电源电压
相对于GND
端电压
相对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
o
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
SO28-8
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
V
TERM
(2)
T
BIAS
T
英镑
P
T
C
C
o
W
mA
3101 TBL 03
,
I
OUT
TSOP
顶视图
引脚说明
名字
A
0
- A
14
I / O
0
- I / O
7
CS
WE
OE
GND
V
CC
3101 DRW 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2.输入，输出和I / O端子; 4.6V最大。
描述
地址
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
3101 TBL 01
电容
符号
C
IN
C
OUT
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3101 TBL 04
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是生产
测试。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V ± 0.3V
3.3V ± 0.3V
3101 TBL 05
2
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压 - 输入
输入高电压 - I / O
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
5.0
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
V
3101 TBL 06
____
注意：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
DC电气特性
(1)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出
开放式，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
= V
IH
, V
CC
=最大值，输出打开，女= F
最大
(2)
全部备用电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
, V
CC
=最大值，输出开路， F = 0
(2)
,
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V ，商业和工业温辐射范围）
71V256SA10
100
20
2
71V256SA12
90
20
2
71V256SA15
85
20
2
71V256SA20
85
20
2
单位
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有解决投入骑自行车在f
最大
; F = 0表示没有输入循环。
3101 TBL 07
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V± 0.3V)
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
IDT71V256SA
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN =
GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
___
典型值。
___
马克斯。
2
2
0.4
___
单位
A
A
V
V
3101 TBL 08
___
___
___
___
___
2.4
6.42
3
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
3101 TBL 09
3.3V
320
数据
OUT
350
30pF*
数据
OUT
3.3V
320
,
350
5pF*
,
3101 DRW 05
3101 DRW 04
图1. AC测试负载
*包括范围和夹具电容
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，商用和工业温度范围）
71V256SA10
符号
参数
分钟。
马克斯。
71V256SA12
分钟。
马克斯。
71V256SA15
分钟。
马克斯。
71V256SA20
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
10
____
____
____
12
____
____
____
15
____
____
____
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
20
20
____
5
0
____
5
0
____
5
0
____
5
0
____
8
6
____
8
6
____
9
7
____
10
8
____
3
2
3
3
2
3
0
0
3
0
0
3
6
____
6
____
7
____
8
____
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
10
9
9
0
9
0
6
0
4
1
____
____
____
____
____
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
____
____
____
____
____
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
____
____
____
____
____
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3101 TBL 10
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
8
8
9
10
注意：
1.此参数保证与交流测试负载（图2）器件特性，但不生产测试。
4
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
t
OLZ
CS
t
ACS
t
CLZ （ 2 ）
数据
OUT
数据有效
3101 DRW 06
t
OH
(2)
t
OHZ
(2)
t
CHZ
(2)
,
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.转变是从稳态测量± 200mV的。
读循环中没有时序波形。 2
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
3101 DRW 07
t
OH
,
读周期3号的时序波形
(1,3,4)
CS
t
ACS
t
CLZ （ 5 ）
数据
OUT
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.
OE
是低的。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
t
CHZ
数据有效
(5)
3101 DRW 08
,
6.42
5
QQ：2881677436 复制
