CMOS静态RAM
64K （ 16K ×4位）
IDT7188S
IDT7188L
x
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 军事：25 /35 /五十五分之四十五/ 70 / 85ns （最大）
低功耗
电池备份操作 - 2V的数据保留
（只有L型）
可在高密度的工业标准22针， 300密耳
陶瓷DIP
制作与先进的CMOS技术
输入/输出TTL兼容
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
创新的电路设计技术，提供了一种经济有效的方法
对于内存密集型应用。
存取时间快25ns的都可用。该IDT7188提供
降低功耗待机模式，我
SB1
，它被激活时
CS
云
HIGH 。同时增强这种能力显著降低功耗
系统的可靠性。低功率版本（L ）版本还提供了一个电池
备份数据保留能力，其中所述电路通常只消耗
30μW从2V电池供电。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从单一的操作
5V电源。的IDT7188打包在一个22针， 300密耳的陶瓷DIP
提供优良的板级封装密度。
军工级产品的制造符合最新的
MIL -STD - 883 ， B级，改版使得它非常适合军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平
和可靠性。
x
x
x
x
x
x
描述
该IDT7188是组织为65,536位高速静态RAM
16K X 4.它采用IDT的高性能制造，高可靠性
技术 - CMOS 。国家的最先进的这种技术，结合
功能框图
A
0
V
CC
GND
65,536-BIT
存储阵列
解码器
A
13
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
列I / O
输入
数据
控制
,
CS
WE
2989 DRW 01
2001年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-2989/09
IDT7188S/L
CMOS静态RAM 64K （ 16K ×4位）
军用温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
CS
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
相对于GND端子电压
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
单位
V
o
o
D22-1
V
CC
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
2989 DRW 02
V
TERM
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
C
C
C
o
W
mA
2989 TBL 03
,
DIP
顶视图
注意：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的，V
CC
= 0V)
符号
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
2989 TBL 04
电容
引脚说明
名字
A
0
- A
13
CS
WE
I / O
0
- I / O
3
V
CC
GND
描述
地址输入
芯片选择
写使能
数据输入/输出
动力
地
2989 TBL 01
C
IN
C
I / O
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是生产
测试。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
2989 TBL 05
真值表
(1)
模式
待机
读
写
CS
H
L
L
WE
X
H
L
I / O
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
2989 TBL 02
V
IH
V
IL
____
注意：
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
GND
0V
VCC
5V ± 10%
2989 TBL 06
2
IDT7188S/L
CMOS静态RAM 64K （ 16K ×4位）
军用温度范围
AC电气特性
7188S25
7188L25
符号
参数
分钟。
马克斯。
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7188S35
7188L35
分钟。
马克斯。
7188S45
7188L45
分钟。
马克斯。
7188S55
7188L55
分钟。
马克斯。
7188S70
7188L70
分钟。
马克斯。
7188S85
7188L85
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OH
t
LZ
(1)
t
HZ
(1)
t
PU
(1)
t
PD
(1)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
输出在低Z选择输出
取消芯片输出高-Z
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
25
____
____
35
____
—
35
35
____
45
____
—
45
45
____
55
____
____
70
____
____
85
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2989 TBL 11
25
25
____
55
55
____
70
70
____
85
85
____
____
____
____
____
____
____
5
5
____
5
5
____
5
5
____
5
5
____
5
5
____
5
5
____
____
____
____
____
____
____
10
____
14
____
14
____
20
____
25
____
30
____
0
____
0
____
0
____
0
____
0
____
0
____
25
35
45
55
70
85
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1,2)
t
RC （ 5 ）
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
2989 DRW 06
,
读循环中没有时序波形。 2
(1,3)
t
RC （ 5 ）
CS
t
ACS
t
LZ （4）
数据
OUT
t
PU
V
CC
供应
当前
I
CC
I
SB
2989 DRW 07
t
HZ （4）
数据有效
t
PD
高阻抗
,
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.
CS
为低电平读周期。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.转变是从稳态电压测量± 200mV的。
5.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
6.42
5
QQ：2880707522 复制
